PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 11

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available The effect of ceramic type reinforcement on structure and properties of Cu-Al2O3 composites
Strojny-Nędza A., Pietrzak K., Gładki A., Nosewicz S., Jarząbek D. M., Chmielewski M.
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2018
|
Vol. 66, nr 4
553--560
EN
The purpose of this paper is to elaborate on mechanical alloying conditions for a composite powder consisting of copper and brittle aluminium oxides. Detailed analysis of the Cu-Al2O3 powder mixture structure obtained in the mechanical alloying process allows for the study of the homogenization phenomena and for obtaining grains (in composite form) with a high degree of uniformity. The Cu-5vol.%Al2O3 composites were obtained by means of the spark plasma sintering technique. The results presented herein were studied and discussed in terms of the impact of using a different form of aluminium oxide powder and a different shape of copper powder on composite properties. Research methodology included microstructure analysis as well as its relation to the strength of Cu-Al2O3 interfaces. It transpires from the results presented below that the application of electrocorundum as a reinforcement phase in composites decreases porosity in the ceramic phase, thus improving thermal properties and interfacial strength.
2
Content available Physical and Electrical Properties of Silver-Matrix Composites Reinforced with Various Forms of Refractory Phases
Borkowski P., Pietrzak K., Frydman K., Wójcik-Grzybek D., Gładki A., Sienicki A.
Archives of Metallurgy and Materials
|
2018
|
Vol. 63, iss. 2
817--823
EN
This paper presents technological trials aimed at producing Ag-W, Ag-WC, Ag-W-C and Ag-WC-C composite contact materials and characterizing their properties. These materials were obtained using two methods, i.e. press-sinter-repress (PSR) at the refractory phase content of less than 30% by weight as well as press-sinter-infiltration (PSI) at the refractory phase content of ≥50% by weight). The results of research into both the physical and electrical properties of the outcome composites were shown. They include the analysis of the influence of the refractory phase content (W or WC) on arc erosion and contact resistance changes for the following current range: 6 kAmax in the case of composites with a low refractory phase content, 10 kAmax in the case of composites with the refractory phase content of ≥50% by weight.
3
Content available Copper-Carbon Nanoforms Composites - Processing, Microstructure and Thermal Properties
Pietrzak K., Gładki A., Frydman K., Wójcik-Grzybek D., Strojny-Nędza A., Wejrzanowski T.
Archives of Metallurgy and Materials
|
2017
|
Vol. 62, iss. 2B
1307--1310
EN
The main current of publication is focused around the issues and problems associated with the formation of composite materials with Cu matrix and reinforcing phases in the various carbon nanoforms. The core of the research has been focused on thermal conductivity of these composites types. This parameter globally reflects the state of the structure, quality of raw materials and the technology used during the formation of composite materials. Vanishingly low affinity of copper for carbon, multilayered forms of graphene, the existence of critical values of graphene volume in the composite are not conducive to the classic procedures of composites designing. As a result, the expected, significant increase in thermal conductivity of composites is not greater than for pure copper matrix. Present paper especially includes: (i) data of obtaining procedure of copper/graphene mixtures, (ii) data of sintering process, (iii) the results of structure investigations and of thermal properties. Structural analysis revealed the homogenous distribution of graphene in copper matrix, the thermal analysis indicate the existence of carbon phase critical concentration, where improvement of thermal diffusivity to pure copper can occur.
4
Content available Electrical properties of Ag-C and Cu-C contact materials
Pietrzak K., Gładki A., Frydman K., Wójcik-Grzybek D., Kaszyca K., Borkowski P.
Materiały Elektroniczne
|
2016
|
T. 44, nr 2
4--10
EN
Industrial production of various forms of carbon, including graphene, nanotubes, and fullerenes, expanded the range of composite materials for which they constitute the reinforcing phase of metallic matrices. It was expected that the graphene form (GF) reinforcing phase would improve the electrical, thermal, and mechanical properties of such composites. Composites with Cu and Ag matrices, having a wide range of applications in micro- and optoelectronics, aerospace and automotive industries, proved to be particularly promising. A specific group of these composites is used in a variety of electrical circuits for electrical switches, contactors, circuit breakers, voltage regulators, and arcing tips. Among others, this group includes composites such as Ag-W, Ag-WC, Ag-WC-C, or Cu-W. The presented results of electrical tests performed for the Cu (Ag) /GF composites extend the number of properties of materials used in air and vacuum electrical contacts.
PL
Przemysłowe otrzymywanie rozmaitych form węgla – grafenu, nanorurek, fulerenów – rozszerzyło gamę materiałów kompozytowych, w których stanowią one fazę wzmacniającą matryc metalicznych. Oczekiwano, że grafenowa faza wzmacniająca polepszy cechy elektryczne, cieplne i wytrzymałościowe takich kompozytów. Szczególnie obiecującymi są kompozyty z matrycami Cu lub Ag znajdujące zastosowania w mikroelektronice i optoelektronice, przemysłach lotniczym i samochodowym. Specyficzna grupa tych kompozytów stosowana jest w rozmaitych elementach układów elektrycznych jako wyłączniki etc. Do grupy tej należą między innymi kompozyty Ag-W; Ag-WC, Ag-WC-C lub Cu-W. Prezentowane wyniki badań elektrycznych kompozytów Cu(Ag)/GF poszerzają zbiór właściwości materiałów stosowanych w powietrznych i próżniowych stykach elektrycznych.
5
Content available Morphology and properties of the graphene layer on the copper substrate
Pietrzak K., Olesińska W., Strąk C., Siedlec R., Gładki A.
Polish Journal of Chemical Technology
|
2015
|
Vol. 17, nr 4
104--108
EN
The aim of the work presented in the article was to clarify controversial comments about anti-corrosion and mechanical properties of graphene coatings, deposited on copper substrates. It was designed special experimental cycle comprising: preparation of graphene forms and copper, the observation of layers Cu / GO (rGO) after the thermal reduction processes and oxidative test in air at 150°C temperature and 350 h in time. The resulting coatings and graphene layers were subjected to tribological test for hardness. The observed differences in the continuity of the coverage copper surface by graphene forms, allowed to understand the macroscopic effect of increased hardness and wear resistance layers rGO/Cu.
6
Content available Rola wymiaru cząstek w procesie formowania struktury proszku kompozytowego metodą syntezy mechanicznej
Gładki A., Wójcik-Grzybek D., Frydman K.
Materiały Elektroniczne
|
2012
|
T. 40, nr 3
3-16
PL
Publikacja stanowi podsumowanie prac teoretycznych i doświadczalnych związanych z prognozowaniem struktury i otrzymywaniem materiałów kompozytowych z osnową srebrową i kruchymi fazami wzmacniającymi. Dwa modele geometryczne: model pokrycia powierzchniowego (MPP) i model gęstego upakowania (MGU) cząstek sferycznych w i na cząstce kulistej zostały zespolone z podstawowym równaniem procentu objętościowego faz wzmacniających w osnowie. W ten sposób uzyskano przestrzeń, w której kierując się zasadami dynamiki można przewidzieć strukturę kompozytów otrzymywanych metodą syntezy mechanicznej (MS). Prognozowanie modelowe zweryfikowano na dziewięciu zaplanowanych materiałach kompozytowych stosowanych na styki elektryczne, ograniczając się do układów kompozytowych złożonych z osnowy plastycznej i kruchych faz wzmacniających.
EN
This publication provides a summary of theoretical and experimental research related to forecasting the structure and obtaining composite materials with a silver matrix and fragile reinforcing phases. Two geometrical models, i.e. a model of the surface coating (MSC) and high-density model (MHD) of spherical particles in and on a spherical particle have been combined with a basic equation of the volumetric percentage of the reinforcing phase in the matrix. This has provided a space where the structure of the composites obtained by mechanical alloying (MA) can be predicted when guided by the principles of dynamics. The model forecasting has been verified using nine previously selected composite materials applied in electrical contacts, limited to systems composed of a plastic composite matrix and brittle reinforcement phases.
7
Content available Pomiar długozasięgowego odchylenia od płaskości powierzchni płytek Si za pomocą HR XRR
Mazur K., Sass J., Surma B., Piątkowski B., Wnuk A., Gładki A., Turos A.
Materiały Elektroniczne
|
2008
|
T. 36, nr 3
5-22
PL
Opracowano metodę oszacowania stopnia długozasięgowego odchylenia od płaskości powierzchni za pomocą rentgenowskiej metody reflektometrycznej XRR w układzie niezwierciadlanym (non - specular). Otrzymane wyniki dla ośmiu płytek krzemowych o zróżnicowanej grubości porównano z wynikami uzyskanymi za pomocą innych metod: (1) optycznej (w przypadku próbek grubości < 200 μm), (2) z wykorzystaniem stykowego miernika grubości (TSK) (dla próbek o grubości > 200 μm). Pomimo różnych założeń dla porównywanych metod uzyskano wystarczająco dobrą zgodność wyników co świadczy o użyteczności opracowanej metody.
EN
The adaptation of the non-specular X-ray reflectivity method to control the long range random deviation of the surface flatness were done. The results obtained for eight Si samples were compared with the ones obtained (1) by optical method (for the samples < 200 μm in thickness), (2) by contact thickness gage (TSK) measurements, (for samples > 200 m in thickness). Despite of the rather rough assumptions made for compared methods, a sufficiently good conformity has been obtained. This is important conclusion confirms the usefulness of the proposed X-ray method
8
Content available Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni
Strzelecka S., Hruban A., Wegner R., Piersa N., Surma B., Orłowski W., Mirowska A., Materna A., Gładki A.
Materiały Elektroniczne
|
2006
|
T. 34, nr 1-2
78-103
PL
Przedstawiono kryteria oceny przydatności monokryształów GaAs, InP i GaP do wytwarzania elementów optyki podczerwieni (okienka, soczewki). Zbadano wpływ parametrów fizycznych i rodzaju domieszki na wartość transmitancji monokryształów GaAs, InP, GaP w obszarze podczerwieni. Określono zakres koncentracji nośników dla wymienionych materiałów, w którym zmiany transmitancji związane z absorpcją na swobodnych nośnikach są w granicach błędu. Oceniono przydatność wytwarzanych w ITME monokryształów GaAs, InP, GaP dla potrzeb optyki podczerwieni.
EN
In this work the influence of physical parameters and dopants concentration on infrared transmission level in GaAs, InP, GaP crystals was investigated. The carrier concentration range in which transmitance value is constant was evaluated. For the higher concentration, transmitance decreases due to absorption on free carriers. An assessment of GaAs, InP, GaP crystals for optical applications was done.
9
Content available remote Bonding with atomic rearrangement – new possibilities in material and devices technology
Hruban A., Strzelecka S., Wegner E., Pawłowska M., Gładki A., Stępniewski R., Jasiński J., Bożek R.
Optica Applicata
|
2002
|
Vol. 32, nr 3
355-364
EN
In this work we present the results of investigations into direct bonding of AIIIBV bulk wafers and/or epitaxial structures. A good quality junction of GaAs–GaAs, GaAs–InP, GaAs–GaP has been obtained. Bonding of GaAs/GaAlAs/GaAs epi-structures with GaAs bulk substrates enabled obtaining universal compliant substrates. On these substrates InAs epitaxial layers have been deposited. Properties of the structures have been examined by Nomarski microscopy, scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), atomic force microscopy (AFM) and X-ray diffractometry
10
Opracowanie technologii płytek podłożowych do homoepitaksji wiązką molekularną szerokoprzerwowych półprzewodników AII--BVI oraz budowa uproszczonego stanowiska do tego procesu
Mycielski A., Szadkowski A., Kaliszek W., Witkowska B., Kowalczyk L., Łusakowska E., Domagała J., Bąk-Misiuk J., Jędrzejczak A., Zieliński M., Adamczewska J., Adamiec K., Rutkowski J., Dobrowolski W., Gładki A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2000
|
Vol. 41, nr 2
3-8
PL
Opisano wytwarzanie gotowych do epitaksji podłoży z szerokoprzerwowych związków pólprzewodnikowych AII--BVI, to znaczy - uzyskiwanie super czystych pierwiastków, syntezę materiału źródłowego do krystalizacji, krystalizacja metodą transportu w fazie gazowej, wycinanie zorientowanych rentgenowsko płytek podłożowych i ich obróbka mechaniczna oraz metody przygotowania powierzchni "epi-ready", jak również budowa uproszczonej wersji stanowiska MBE do pokrywania płytek podłożowych warstwą homoepitaksjalnń. Przedstawiono wyniki charakteryzacji kryształów i płytek podłożowych.
EN
The technology of the "epi-ready" substrate plates (for MBE) of the wide-gap AII-BVI semiconductor compounds, i.e. - preparation of the ultra pure elements, synthesis of the source material, crystallization by the physical vapour transport technique, cutting of the oriented plates, mechano-chemical polishing and preparation of the "epi-ready" surface - is described, as well as the construction of a simplified version of the MBE setup for covering the substrate plates with the homoepitaxial layer. The results of the characterization of the substrate crystals and plates are presented.
11
Content available remote Properties of Ceramics Derived from Direct Observations of Crack
Librant Z., Boniecki M., Gładki A., Daszkiewicz M., Galas J., Rećko W.
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
1999
|
Vol. 47, nr 4
365-377
EN
A device was designed and constructed for direct observations of crack growth from notch or form Vickers indent made on the beam bent in a typical testing machine. The device, consisting of horizontal light microscope coupled with CCD camera, is fitted to ZWICK 1446 testing machine by the system of elevator stages driven by stepping motors. This enables precise movements of objective in x, y, z-direction, for adjustment, focusing and tracking on the beam side and bottom surface where the crack propagates. Measuring and registration picture system (framegrabber) is coupled with load and strain system of testing machine and both systems are aided by computer. Optical and electronic magnification is about to 250x. For the case of crack propagated in single-edge notched beam, directly measured crack length was compared with crack length calculated from compliance measurements.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.