Optica Applicata - Tom Vol. 32, nr 3 (2002) - BazTech - Yadda

Tom - szczegóły

Tytuł artykułu

Vol. 32, nr 3

Czasopismo

Optica Applicata

Wydawca

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Rocznik

2002

Identyfikatory

Zawartość wolumenu

Vol. 32, nr 3
- artykuł: Low energy ion beam-induced modification of InSb surface studied at nanometric scale (Krok F., Kołodziej J.J., Such B., Piątkowski P., Szymoński M., Odendaal R.Q., Malherbe J.B.), s. 221-226
- artykuł: Characterization of electronic properties of InP(100) surfaces from computer-aided analysis of photoluminescence (Miczek M., Adamowicz B., Hasegawa H.), s. 226-233
- artykuł: Ultra-low frequency spectra for Li+ ion thermoemission noise (Gładyszewski L.), s. 235-239
- artykuł: Changes of properties during the annealing Fe28Co50Si9B13 and Fe28Ni50Si9B13 metallic glasses (Jakubczyk E., Jakubczyk M.), s. 241-246
- artykuł: Ordering of the vicinal Si(15 1 0) surface at low Au coverage (Mazurek P., Jałochowski M.), s. 247-252
- artykuł: Studies on the origin of reflection high energy electron diffraction oscillations observed during molecular beam epitaxy (Mitura Z.), s. 253-258
- artykuł: Growth of the optical layers in a stochastic simulation. Study of a film morphology (Oleszkiewicz W., Romiszowski P.), s. 259-265
- artykuł: Influence of Ar and He implantation on surface morphology of polymers (Piątkowska A., Jagielski J., Turos A., Ślusarski L., Bieliński D.), s. 267-273
- artykuł: Erythrocyte surface modification due to the pharmacological treatment studied with atomic force microscopy (Targosz M., Czuba P., Szymoński M.), s. 275-281
- artykuł: H3+-synthesis on the surface of d-transition metals during the process of field desorption (Tomaszewska A., Stępień Z.), s. 283-289
- artykuł: Optical gain saturation effects in InAs/GaAs self-assembled quantum dots (Wasiak M., Bugajski M., Machowska-Podsiadło E., Ochalski T., Kątcki J., Sarzała R.P., Maćkowiak P., Czyszanowski T., Nakwaski W., Chen J. X., Oesterle U., Fiore A., Ilegems M.), s. 291-299
- artykuł: Influence of adsorbed atoms on the charge transfer in atom/ionsurface collision (Wiertel M., Taranko E., Taranko R.), s. 301-305
- artykuł: Photoreflectance spectroscopy of semiconductor device active regions: quantum wells and quantum dots (Sęk G., Misiewicz J.), s. 307-317
- artykuł: Defect structure changes in thin layers of semiconductors annealed under hydrostatic pressure (Bąk-Misiuk J., Misiuk A., Domagała J.), s. 319-325
- artykuł: Optical properties of AlN thin films obtained by reactive magnetron sputtering (Brudnik A., Czapla A., Kusior E.), s. 327-331
- artykuł: Determination of stress in Au/Ni multilayers by symmetric and asymmetric X-ray diffraction (Chocyk D., Prószyński A., Gładyszewski G., Labat S., Gergaud P., Thomas O.), s. 333-337
- artykuł: Plasma dry etching of monocrystalline silicon for the microsystem technology (Górecka-Drzazga A.), s. 339-346
- artykuł: Optimized structure of SiCxNy–Si(111) interfaces by molecular dynamics simulation (Gruhn W., Kityk I.V.), s. 347-354
- artykuł: Bonding with atomic rearrangement – new possibilities in material and devices technology (Hruban A., Strzelecka S., Wegner E., Pawłowska M., Gładki A., Stępniewski R., Jasiński J., Bożek R.), s. 355-364
- artykuł: Influence of the thermal annealing on hydrogen concentration in GaN layers – SIMS characterization (Jakieła R., Jasik A., Strupiński W., Góra K., Kosiel K., Wesołowski M.), s. 365-371
- artykuł: Optical anisotropy of Pb nanowires on Si(533) surface (Jałochowski M., Stróżak M.), s. 373-379
- artykuł: Optical properties of nominally undoped n-type MOVPE GaN epilayers (Kudrawiec R., Misiewicz J., Paszkiewicz R., Paszkiewicz B., Tłaczała M.), s. 381-388
- artykuł: Forming the High quality CoSi2 by solid phase epitaxy (Mazurek P., Daniluk A., Paprocki K.), s. 389-395
- artykuł: Effect of uniform stress on SiO2/Si interface in oxygen-implanted Si and SIMOX structures (Misiuk A., Bryja L., Kątcki J., Ratajczak J.), s. 397-407
- artykuł: High-energy electron emission from MIS-structures (Olesik J.), s. 409-416
- artykuł: Computer controlling of MOVPE process (Piasecki T., Kośnikowski W., Paszkiewicz B., Panek M.), s. 417-420
- artykuł: Measurements of stress during ion irradiation (Pieńkos T., Gładyszewski L., Chocyk D., Prószyński A., Gładyszewski G., Martin F., Jaouen Ch.), s. 421-424
- artykuł: Non-standard techniques of surface characterization in scanning electron microscope (Słówko W., Drzazga W.), s. 425-430
- artykuł: Photoreflectance study of AlGaN/GaN heterostructures grown by MOCVD process (Wójcik A., Piwoński T., Ochalski T.J., Kowalczyk E., Bugajski M., Grzegorczyk A., Macht Ł., Haffouz S., Larsen P.K.), s. 431-435
- artykuł: Transistors today - after 50 years in microelectronics (Boratyński B.), s. 437-447
- artykuł: Computer simulation of performance characteristics of (GaIn)(NAs) diode lasers (Sarzała R.P.), s. 449-460
- artykuł: Numerical simulation of semiconductor lasers (Zbroszczyk M.), s. 461-468
- artykuł: High power AlGaAs/GaAs lasers with improved optical degradation level (Bugajski M., Zbroszczyk M., Sajewicz P., Muszalski J.), s. 469-475
- artykuł: Method of lines-the new vectorial approach to optical phenomena in diode lasers (Czyszanowski T., Wasiak M., Maćkowiak P., Sarzała R.P., Nakwaski W.), s. 477-483
- artykuł: Computer modelling of devices based on AlGaN/GaN heterostructure (Kośnikowski W., Piasecki T.), s. 485-491
- artykuł: Designing guidelines for nitride VCSELs resonator (Maćkowiak P., Wasiak M., Czyszanowski T., Sarzała R.P., Nakwaski W.), s. 493-502
- artykuł: Application of selective area epitaxy for GaN devices (Paszkiewicz R.), s. 503-510
- artykuł: Heterojunction In0.53Ga0.47As/InP magnetic field sensors fabricated by molecular beam epitaxy (Przesławski T., Wolkenberg K., Regiński K., Kaniewski J.), s. 511-515
- artykuł: Numerical modelling of InGaAs infrared photovoltaic detectors (Sioma M., Kaniewski J.), s. 517-522
- artykuł: Reflectance study of SiO2/Si3N4 dielectric Bragg reflectors (Szerling A., Wawer D., Hejduk K., Piwoński T., Wójcik A., Mroziewicz B., Bugajski M.), s. 523-527
- artykuł: Numerical calculation of electron density distribution in modulation-doped GaAs/AlGaAs heterostructures (Szymański M., Zbroszczyk M.), s. 529-534

rozwiń roczniki

JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.