PL
|
EN
Szukaj
Przeglądaj
Pomoc
O bazie
test
Preferencje
Polski
English
Język
Widoczny
[Schowaj]
Abstrakt
10
20
50
100
Liczba wyników
Tom - szczegóły
Adres strony
Kopiuj
Tytuł artykułu
T. 34, nr 1-2
Czasopismo
Materiały Elektroniczne
Wydawca
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Rocznik
2006
Identyfikatory
Zawartość wolumenu
T. 34, nr 1-2
artykuł:
Lead free thick film circuits
(
Achmatowicz S.
,
Zwierkowska E.
), s. 5-47
artykuł:
Obrazowanie struktury defektowej kryształów półizolującego GaAs poprzez analizę relaksacyjnych przebiegów fotoprądu z zastosowaniem odwrotnego przekształcenia Laplace'a
(
Pawłowski M.
,
Kamiński P.
,
Kozłowski R.
,
Kozubal M.
,
Żelazko J.
), s. 48-77
artykuł:
Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni
(
Strzelecka S.
,
Hruban A.
,
Wegner R.
,
Piersa N.
,
Surma B.
,
Orłowski W.
,
Mirowska A.
,
Materna A.
,
Gładki A.
), s. 78-103
artykuł:
Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:Si metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)
(
Kozubal N.
), s. 104-119
rozwiń roczniki
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.