Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Ilu lat i szlifów wymaga Prawo geologiczne i górnicze, by stało się legislacyjnym kamieniem szlachetnym?

Piotrowska A.

Inżynieria Górnicza

|

2018

|

nr 4

63--66

PL

Nowelizacja Ustawy Prawo geologiczne i górnicze wprowadza wiele postulowanych przez przedsiębiorców zmian w przepisach prawa. Najistotniejsze z nich to: modyfikacja prawa pierwszeństwa i postępowania kwalifikacyjnego, wprowadzenie procedury open door dla węglowodorów i wydłużenie terminu na przekształcenie tych zmian w tzw. koncesje łączne, a także umożliwienie przedłużenia ważności tzw. Koncesji 2020 w uproszczonym trybie. Dodatkowe zmiany w Prawie geologicznym i górniczym wprowadza także Ustawa Prawo przedsiębiorców.

EN

The amendment to the Geological and Mining Law introduces a number of changes to the legal provisions postulated by entrepreneurs. The most important of them are: the modification of the right of priority and the qualifying procedure, the introduction of the „open door” procedure for hydrocarbons and postponing the deadline to convert these amendments into so-called joint concessions, as well as allowing for the extension of the validity of the so-called Concession 2020 in a simplified mode. Additional amendments to the Geological and Mining Law are also introduced by the Entrepreneurs Law.

2

Właściwości antyoksydacyjne, antybakteryjne i przeciwgrzybicze związków kompleksowych miedzi(II)

Piotrowska A., Drzeżdżon J., Jacewicz D., Chmurzyński L.

Wiadomości Chemiczne

|

2017

|

[Z] 71, 3-4

219--240

EN

Since late 1930s copper has been recognized as an essential trace metal in living organisms. Copper(II) cation plays the role as a coordination center not only in the single-nuclear complexes, but also in the multinuclear coordination compounds with a particular emphasis on the polymers as ligands. The selected complex compounds of copper(II) with ligands which are organic and inorganic species have been characterized taking into account their physico-chemical properties. In addition, the complex compounds containing ligands such as Schiff ’s bases, hydrocarbons, organic bases, and also polycarboxylic anions: oxydiacetate, thiodiacetate, iminodiacetate and dipicolinate have been described considering their role in the biological systems. Nowadays tested coordination compounds of copper(II) have interesting antibacterial activities against bacteria strains that are antagonistic to the human. The antibacterial activity of copper(II) complex is stronger than some of the known antibacterial substances e.g. ciprofloxacin. In addition, copper(II) complex compounds exhibit a 64-fold greater antimicrobial properties than copper(II) chloride. Moreover, these compounds have antifungal and antioxidant properties. The activities of antibacterial, antifungal, and antioxidant complex compounds of copper( II) have been compared to the reactivities of these compounds with complexes used as reference substances, e.g. L-ascorbic acid, in the assay using nitrotetrazolium blue.

3

Możliwości otrzymywania funkcjonalnych produktów z mięsa wieprzowego poprzez modyfikowanie technologii ich wytwarzania®

Świąder K., Piotrowska A., Rachtan-Janicka J., Rembiałkowska E., Kostyra E., Dybkowska E., Wilk S.

Postępy Techniki Przetwórstwa Spożywczego

|

2017

|

Nr 1

128--135

PL

Wychodząc naprzeciw oczekiwaniom konsumentów, na rynku pojawia się coraz więcej nowych technologii i receptur umożliwiających produkcję wyrobów o cechach żywności funkcjonalnej. Modyfikacja technologii produkcji przetworów pozwala uzyskać produkty niskotłuszczowe, poprzez zastosowanie preparatów błonnikowych w tym inuliny oraz o zredukowanej zawartości soli, azotynów czy azotanów, jak również wzbogacone w ekstrakty roślinne o silnych właściwościach neutralizujących wolne rodniki. W tym celu stosuje się ekstrakty z oregano, rozmarynu, goździków, zielonej herbaty czy czosnku, których dodatek do produktu wpływa na zmniejszenie stopnia utleniania lipidów oraz wydłużenie okresu przechowalniczego.

EN

There is growing number of new recipes on the market, that enable the production of products with characteristics of functional food. This is to meet the expectations of consumers. Modification of pork meat products technology allows to obtain the low-fat products that are received through the use of fiber preparations including inulin and reduced salt content, nitrites or nitrates, as well as enriched with plant extracts strongly neutralizing the free radicals. For this purpose, extracts of oregano, rosemary, cloves, green tea or garlic are used. Their addition to the product reduces lipid oxidation and prolongs the storage period.

4

Zagrożenia zdrowotne związane ze stosowaniem syropu wysokofruktozowego w produkcji żywności

Biernacka K., Hoffman M., Piotrowska A.

Postępy Techniki Przetwórstwa Spożywczego

|

2016

|

Nr 2

89--96

PL

Syrop wysokofruktozowy jest powszechnie stosowany w wielu produktach spożywczych, głównie w napojach i słodyczach, czy nawet produktach mięsnych i przetworach mlecznych, częściowo wypierając sacharozę. Pełni w nich funkcję teksturotwórczą, nadaje smak i aromat, a także przedłuża trwałość. Wyniki badań wskazują, że powszechne stosowanie syropu fruktozowego i związane z tym wysokie spożycie fruktozy zwiększa ryzyko rozwoju wielu chorób. Długoterminowe negatywne skutki mogą obejmować zmiany poziomu hormonów insuliny i leptyny, zmiany apetytu oraz metabolizmu wątrobowego, prowadząc do rozwoju insulinooporności, cukrzycy, otyłości i chorób układu sercowo-naczyniowego.

EN

High fructose corn syrup is commonly used in many food products, such as beverages, sweets or even meat and milk products, partially replacing sucrose. It functions as the firming factor, provides taste and aroma as well as increases shelf-life of products. According to current studies it has an influence on the development of many diet related diseases. Long-term adverse consequences of the high fructose corn syrup consumption may include changes in hormone level insulin and leptin, changes in appetite and liver metabolism, leading to the development of insulin resistance, diabetes, obesity and cardiovascular diseases.

5

The effect of organic practices on the bioactive compounds content in strawberry fruits

Hallmann E., Piotrowska A., Świąder K.

Journal of Research and Applications in Agricultural Engineering

|

2016

|

Vol. 61, nr 3

176--179

EN

In organic agriculture only natural methods of cultivation (fertilization and plant protection) are allowed. The total conventional strawberry production in 2014 was 216 thousand tones on the 53 thousand ha. Organic production was on a very low level with only 5 thousand tones cultivated on 1.3 thousand ha of area. Experiment was carried out in the years2013-2014. One strawberry cultivar Honeyoe was cultivated in two experimental organic farms. In one organic farm EM, as well as in the second only organic practice without effective organisms have been used. Three times of harvest have been organized in every experimental year. In fruits the content of dry matter (by scale method), vitamin C (by spectrophotometric method) as well as polyphenols (by HPLC method) have been determinated. The obtained results were statistically elaborated with post-hoc Tukey test ( =0,05). The obtained results showed that using of effective organisms had significant impact on the caffeic, p-coumaric, quercetin, glucoside-3-O-quercetin and luteolin content in strawberry fruits. The third fruits harvest time was the most effective in case of dry matter, vitamin C, gallic, ellagic, p-coumaric acids as well as some flavonoids (quercetin and its derivates), luteolin, kaempferol and pelargonidine-3,5-di-rutinoside in experimental strawberry fruits.

PL

W rolnictwie ekologicznym dozwolone jest stosowanie tylko naturalnych metod upraw (nawożenia i ochrony roślin). W 2014 roku produkcja truskawek z upraw konwencjonalnych wyniosła 216 tys. ton i uprawiane one były na powierzchni 53 tys. ha. Niestety, produkcja truskawek w systemie ekologicznym była znikoma i wyniosła 5 tys. ton zebranych z powierzchni 1.3 tys. ha. Doświadczenie przeprowadzono w latach 2013-2014 w dwóch gospodarstwach ekologicznych uprawiano jedną odmianę truskawki Honeyoe. W jednym z gospodarstw zastosowano efektywne mikroorganizmy, w drugim gospodarstwie ekologicznym nie stosowano żadnych dodatkowych zabiegów agrotechnicznych. Owoce truskawek były zbierane trzy razy w ciągu sezonu owocowania. W dojrzałych owocach oznaczono zawartość: suchej masy (metoda wagową), witaminy C (metoda spektrofotometryczną) oraz polifenoli (metoda HPLC). Otrzymane wyniki zostały poddane analizie statystycznej z użyciem testu post-hoc Tukey’a na poziomie istotności ( =0,05). Wykazały one, że zastosowanie w gospodarstwie ekologicznym efektywnych mikroorganizmów miało istotny wpływ na zawartość kwasu kawowego, p-kumarynowego, kwercetyny i jej glikozydu, jak też luteoliny w owcach truskawek. Najbardziej efektywny okazał się trzeci termin zbioru. Owoce zebrane w tym czasie charakteryzowały się istotnie wyższą zawartością suchej masy, witaminy C, kwasu galusowego, elagowego, pkumarynowego, jak tez niektórych flawonoidów (kwercetyny i jej pochodnych), luteoliny, kempferolu i rutinozidu-3,5-di- pelargonidyny.

6

Technologia tranzystorów HEMT na bazie azotku galu do zastosowań w mikrofalowej elektronice mocy i energoelektronice

Taube A., Kamińska E., Ekielski M., Piotrowska A., Wojtasiak W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2016

|

Vol. 57, nr 8

90--97

PL

W pracy przedstawiono wyniki prac badawczych nad technologią tranzystorów HEMT na bazie azotku galu prowadzonych w Instytucie Technologii Elektronowej. Omówione zostaną konstrukcje tranzystorów przeznaczonych do zastosowań w mikrofalowej elektronice mocy oraz do zastosowań w energoelektronice. Przedstawione zostaną wybrane elementy technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN na podłożu Ammono-GaN m.in. wykonywanie izolacji za pomocą implantacji jonów oraz wykonywanie kontaktów omowych w procesie rewzrostu warstw GaN. Omówione zostaną wyniki prac nad zwiększeniem napięcia przebicia tranzystorów HEMT AlGaN/GaN na podłożu krzemowym.

EN

In this work the results of development of GaN-based HEMTs at Institute of Electron Technology are presented. The device structure suitable for application in microwave and power electronics will be discussed. Key technological steps, especially planar isolation by ion implantation and formation of low resistivity ohmic contacts are discussed along with the results of DC and RF electrical characterization of AlGaN/GaN HEMTs on Ammono-GaN. The results of works devoted to increasing the breakdown voltage of AlGaN/GaN-on-Si HEMTs will also be presented.

7

Technologia cienkich warstw tlenku cynku o kontrolowanych własnościach strukturalnych, transportowych i optycznych

Borysiewicz M. A., Kamińska E., Wojciechowski T., Gołaszewska K., Dynowska E., Wzorek M., Kruszka R., Pągowska K. D., Kwoka M., Szuber J., Boll T., Stiller K., Wojtowicz T., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2016

|

Vol. 57, nr 8

75--80

PL

W ramach artykułu zaprezentowaliśmy wyniki prac dotyczących kontroli struktury, morfologii, własności transportowych i optycznych cienkich warstw tlenku cynku (ZnO) wytwarzanych na drodze magnetronowego rozpylania katodowego. Wykorzystując zaawansowany reaktor rozpylania katodowego umożliwiający kontrolę parametrów procesu osadzania takich, jak temperatura podłoża, przepływ gazów, ciśnienie gazów, moc podawana na katody pokazujemy jaką rolę odgrywają poszczególne parametry w kontroli własności wytwarzanego materiału. Prezentujemy zarówno badania z zakresu podstawowego dotyczące domieszkowania monokrystalicznych cienkich warstw ZnO przy pomocy akceptorów Ag, jak i badania stosowane dotyczące inżynierii przerwy energetycznej w celu opracowania przezroczystych elektrod dla diod elektroluminescencyjnych UV czy prace nad wzrostem nanoporowatego ZnO dla zastosowań w czujnikach gazowych, biochemicznych oraz urządzeniach do magazynowania energii.

EN

In this work we present the results of studies on the control of structure, morphology, transport and optical properties of zinc oxide (ZnO) thin films fabricated by means of magnetron sputtering. using a state-of-the-art sputtering reactor enabling the control of such process parameters as: substrate temperature, gas flow, gas pressure and cathode power, we show the role of each parameter in controlling the properties of the deposited material. We present both basic research on doping monocrystalline ZnO films with Ag acceptors as well as applied research on band gap engineering for the development of transparent electrodes for UV LEDs or on the growth of nanoporous ZnO for applications in gas and biochemical sensors and energy storage devices.

8

Characterization of Al2O3/4H-SiC and Al2O3/SiO2/4H-SiC MOS structures

Taube A., Guziewicz M., Kosiel K., Gołaszewska-Malec K., Król K., Kruszka R., Kamińska E., Piotrowska A.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

|

2016

|

Vol. 64, nr 3

537--551

EN

The paper presents the results of characterization of MOS structures with aluminum oxide layer deposited by ALD method on silicon carbide substrates. The effect of the application of thin SiO2 buffer layer on the electrical properties of the MOS structures with Al2O3 layer has been examined. Critical electric field values at the level of 7.5–8 MV/cm were obtained. The use of 5 nm thick SiO2 buffer layer caused a decrease in the leakage current of the gate by more than two decade of magnitude. Evaluated density of trap states near the conduction band of silicon carbide in Al2O3/4H-SiC MOS is about of 1×1013 eV−1cm−2. In contrast, the density of the trap states in the Al2O3/SiO2/4H-SiC structure is lower about of one decade of magnitude i.e. 1×1012 eV−1cm−2. A remarkable change in the MOS structure is also a decrease of density of electron traps located deeply in the 4H-SiC conduction band below detection limit due to using of the SiO2 buffer layer.

9

Parametry tranzystorów GaN HEMT – wyniki I etapu projektu PolHEMT

Wojtasiak W., Gwarek W., Piotrowska A., Kamińska E.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2015

|

R. 91, nr 9

211-215

PL

Celem projektu PolHEMT jest opracowanie nowego typu tranzystora mikrofalowego na pasmo S z wykorzystaniem struktur AlGaN/GaN hodowanych na podłożach z półizolacyjnego monokrystalicznego GaN wytwarzanych metodą ammonotermalną (Ammono). Referat stanowi krótkie podsumowanie pierwszego etapu projektu w formie zestawienia parametrów elektrycznych struktur GaN PolHEMT i komercyjnych tranzystorów GaN HEMT produkowanych przez wiodące firmy.

EN

The aim of the PolHEMT project is to develop a new type of microwave transistor for S-band using the structures of AlGaN/GaN grown on a uniques type of material – a semi-insulating monocrystalline GaN substrate manufactured by ammonotermal method (Ammono). The paper provides a brief summary of the first phase of the project. It presents a report on obtained electrical parameters of GaN structures and compares them against the parameters of commercial GaN HEMT transistors manufactured by leading companies.

10

Konstrukcje tranzystorów HEMT AlGaN/GaN/Si przeznaczonych dla elektroniki mocy

Taube A., Kamińska E., Sochacki M., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2015

|

Vol. 56, nr 10

23-26

PL

Parametry elektrofizyczne azotku galu wytwarzanego w postaci warstw epitaksjalnych na krzemie oraz dostępność podłoży krzemowych o dużej średnicy sprawiają, że tranzystory HEMT AlGaN/GaN/Si stanowią poważną konkurencję dla przyrządów krzemowych w układach dla energoelektroniki nowej generacji. W pracy omówiono różne konstrukcje tranzystorów HEMT AlGaN/GaN/Si przeznaczonych dla elektroniki mocy. Przedstawiono podstawowe operacje technologiczne prowadzące do uzyskania tranzystorów z kanałem wzbogacanym o dużej wartości napięcia przebicia i możliwie małym prądzie zaporowym.

EN

It is believed that, owing to excellent electro-physical parameters of gallium nitride and availability of large diameter silicon substrates, AlGaN/GaN/Si HEMTs will replace silicon transistors in the next generation power electronic devices. In this work we discusse the Al- GaN/GaN/Si HEMT structures design for power electronics and give an overwiev of basic methods of obtaining normally-off operation and increasing the breakdown voltage as well as reducing the impact of the silicon substrate on the leakage currents.

11

Chłodziarka Joule’a-Thomsona pracująca w obiegu zamkniętym I zasilana mieszaniną azotu z węglowodorami

Chorowski M., Dorosz P., Piotrowska A.

Chłodnictwo : organ Naczelnej Organizacji Technicznej

|

2015

|

R. 50, nr 12

12--17

PL

W pracy przedstawiono parametry eksploatacyjne chłodziarki Joule'a Thomsona (J-T) pracującej w układzie zamkniętym i napełnionej mieszaniną gazów. Chłodziarki takie są przedmiotem intensywnych badań w wielu laboratoriach w szczególności w USA i Azji. Zastąpienie czynnika roboczego, jakim jest czysty azot, mieszanina azotu oraz węglowodorów wpływa na obniżenie ciśnienia roboczego do ciśnienia możliwego do osiągnięcia przez komercyjnie dostępne kompresory chłodnicze. Chłodziarki takie są niezawodne, relatywnie tanie i charakteryzują je moce chłodnicze rządu kilku W przy temperaturze ok. 90 K. Generowana moc chłodnicza może być wykorzystana do kriostatowania niewielkich urządzeń, magnesów wykonanych z wysokotemperaturowych nadprzewodników, w zastosowaniach kriomedycznych oraz do skraplania niewielkich ilości gazów takich jak azot, argon, tlen lub metan.

EN

The paper presents working parameters of Joule-Thomson (J-T) cryocooler supplied with nitrogen-hydrocarbons mixture and working m a closed cycle. Nowadays, the development of the J-T coolers has become the matter of the intensive research programs, particularly in the USA and Asia. Industrial applications of this kind of coolers are significantly limited by high values of the working pressure for pure nitrogen. Supplying the cryocooler with nitrogen-hydrocarbons mixtures allows to reduce the working pressure down to the level achievable by commercially available compressors. The J-T coolers are characterized by high reliability and relatively low investment costs. The described system produces a few Watts of cooling power at temperature around 90 K. The cooling power can be used to cool down the high-temperature superconducting magnets, for cryomedical applications and to liquefy a small amount of nitrogen, argon, oxygen or methane.

12

Optical investigations of ZnO layers affected by some selected gases in the aspect of their application in optical gas sensors

Struk P., Pustelny T., Gołaszewska K., Borysiewicz M. A., Piotrowska A.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

|

2015

|

Vol. 63, nr 4

829--836

EN

The paper presents the results of investigations of zinc oxide (ZnO) layers as a potential sensing material, being affected by certain selected gaseous environments. The investigations concerned the optical transmission through thin ZnO layers in wide spectral ranges from ultraviolet to the near infrared. The effect of the gaseous environment on the optical properties of zinc oxide layers with a thickness of ~ 400 nm was analyzed applying various technologies of ZnO manufacturing. Three kinds of ZnO layers were exposed to the effect of the gaseous environment, viz.: layers with relatively slight roughness (RMS several nm), layers with a considerable surface roughness (RMS some score of nm) and layers characterized by porous ZnO structures. The investigations concerned spectral changes in the transmission properties of the ZnO layers due to the effect of such gases as: ammonia (NH3), hydrogen (H2), and nitrogen dioxide (NO2) in the atmosphere of synthetic air. The obtained results indicated the possibility of applying porous ZnO layered structures in optical gas sensors.

13

Procedura utraty statusu odpadu

Kruś M., Piotrowska A.

Przegląd Komunalny

|

2014

|

nr 4

24--27

PL

Zgodnie z obowiązującymi w Polsce przepisami, utrata statusu odpadu następuje z mocy prawa po spełnieniu kryteriów określonych w ustawie o odpadach, które następnie muszą zostać uszczegółowione w decyzji administracyjnej wydawanej dla danego przedsięwzięcia. Taką decyzją może być pozwolenie na przetwarzanie odpadów albo pozwolenie zintegrowane.

14

Department of Micro- and Nanotechnology of Wide Bandgap Semiconductors

Piotrowska A.

Prace Instytutu Technologii Elektronowej

|

2014

|

z. 1/2

62-97

15

Jakość sensoryczna oraz mikrobiologiczna wybranych rynkowych serków homogenizowanych

Jesionkowska K., Piotrowska A., Żebrowska-Krasuska M., Waszkiewicz-Robak B.

Postępy Techniki Przetwórstwa Spożywczego

|

2014

|

nr 1

9--13

PL

Serki twarogowe homogenizowane stanowią ważną grupę wartościowych produktów nabiałowych, chętnie spożywanych szczególnie przez dzieci. Celem badań była ocena jakości sensorycznej oraz czystości mikrobiologicznej wybranych rynkowych serków twarogowych o smaku waniliowym i naturalnym. Ocenę jakości sensorycznej wykonano metodą profilową (QDA) w Akredytowanym Laboratorium Oceny Żywności i Diagnostyki Zdrowotnej SGGW. Jakość mikrobiologiczną wyrobów oceniono przez oznaczenie zawartości drobnoustrojów E. coli oraz określenie ogólnej ilości drobnoustrojów, zawartości drożdży i pleśni. Badania wykonano pod koniec okresu przydatności do spożycia. Jakość sensoryczna ocenionych serków była znacznie zróżnicowana. Ocena ogólna wahała się od 4,64 do 7,69 j.u. W części serków wyczuwano smak i zapach kwaśny, obcy, gorzki świadczący o zachodzących niekorzystnych zmianach, co znalazło potwierdzenie w badaniach mikrobiologicznych – wysoka zawartość drożdży i pleśni. Ilość bakterii E. coli we wszystkich badanych próbach nie przekraczała wymagań Rozporządzenia Komisji Europejskiej (WE) nr 2073/2005 tj. była na poziomie poniżej 10 jtk/g. Przeprowadzone badania wskazują, że poza obowiązującą obecnie kontrolą zawartości drobnoustrojów chorobotwórczych (E. coli) w serkach twarogowych konieczna jest również kontrola zawartości drożdży i pleśni, których wysoki poziom obniża jakość sensoryczną wyrobów, a także jest niewskazany z punktu widzenia zdrowotnego.

EN

Homogenized cream cheeses are very important valuable group within milk products which are appreciated especially by children. Thus, the evaluation of sensory quality and microbiological purity of market homogenized cheeses with vanilla and natural taste was the aim of this study. The assessment of sensory quality using Quantitative Descriptive Analysis was performed in Certified Laboratory of Food Quality Assessment and Health Diagnostics at Warsaw University of Life Science. The microbiological purity of evaluated products was diversified. The overall sensory quality ranged from 4,64 to 7,69 units. In part of assessed homogenized cheeses the sour aroma and taste as well as bitter and odd taste was perceived, that pointed at disadvantageous microbiological changes. This finding confirmed microbiological tests were high level of molds and yeasts was detected. The content of E. coli was under the requirements of European Commission Regulation no 2073/2005 (under 10 CFU/g). The performed research revealed that apart from obligatory control of E. coli content, the simultaneous evaluation of molds and yeasts level is necessary as high level of these microorganisms decrease the sensory quality of products. It is also inadvisable because of consumers’ health.

16

ZnO - Wide bandgap semiconductor and possibilities of its application in optical waveguide structures

Struk P., Pustelny T., Gołaszewska K., Borysiewicz M. A., Kamińska E., Wojciechowski T., Piotrowska A.

Metrology and Measurement Systems

|

2014

|

Vol. 21, nr 3

401--412

EN

The paper presents the results of investigations concerning the application of zinc oxide - a wideband gap semiconductor in optical planar waveguide structures. ZnO is a promising semiconducting material thanks to its attractive optical properties. The investigations were focused on the determination of the technology of depositions and the annealing of ZnO layers concerning their optical properties. Special attention was paid to the determination of characteristics of the refractive index of ZnO layers and their coefficients of spectral transmission within the UV-VIS-NIR range. Besides that, also the mode characteristics and the attenuation coefficients of light in the obtained waveguide structures have been investigated. In the case of planar waveguides, in which the ZnO layers have not been annealed after their deposition, the values of the attenuation coefficient of light modes amount to a ≈ 30 dB/cm. The ZnO layers deposited on the heated substrate and annealed by rapid thermal annealing in an N2 and O2 atmosphere, are characterized by much lower values of the attenuation coefficients: a ≈ 3 dB/cm (TE0 and TM0 modes). The ZnO optical waveguides obtained according to our technology are characterized by the lowest values of the attenuation coefficients a encountered in world literature concerning the problem of optical waveguides based on ZnO. Studies have shown that ZnO layers elaborated by us can be used in integrated optic systems, waveguides, optical modulators and light sources.

17

Modelling and Simulation of Normally-Off AlGaN/GaN MOS-HEMTs

Taube A., Sochacki M., Szmidt J., Kamińska E., Piotrowska A.

International Journal of Electronics and Telecommunications

|

2014

|

Vol. 60, No. 3

253-258

EN

The article presents the results of modelling and simulation of normally-off AlGaN/GaN MOS-HEMT transistors. The effect of the resistivity of the GaN:C layer, the channel mobility and the use of high-κ dielectrics on the electrical characteristics of the transistor has been examined. It has been shown that a low leakage current of less than 10⁻⁶ A/mm can be achieved for the acceptor dopant concentration at the level of 5×10¹⁵cm⁻³. The limitation of the maximum on-state current due to the low carrier channel mobility has been shown. It has also been demonstrated that the use of HfO₂, instead of SiO₂, as a gate dielectric increases on-state current above 0.7A/mm and reduces the negative influence of the charge accumulated in the dielectric layer.

18

Pseudotachylites of the Zloty Stok-Skrzynka tectonic zone, Snieżnik metamorphic, Sudetes

Gotowała R., Piotrowska A., Wojtulek P

Geologia Sudetica

|

2014

|

Vol. 42

21--22

19

Symulacje cienkowarstwowych tranzystorów polowych z kanałem z amorficznego In-Ga-Zn-O

Grochowski J., Kaczmarski J., Taube A., Kamińska E., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2014

|

Vol. 55, nr 9

20-23

PL

W pierwszej części niniejszego opracowania, prezentujemy przegląd stanu wiedzy w dziedzinie symulacji tranzystorów cienkowarstwowych z kanałem z amorficznego In-Ga-Zn-O oraz wyniki naszych badań w tej materii. Symulacje numeryczne mogą być stosowane do przewidywania parametrów elektrycznych zaprojektowanych struktur TFT przed wytworzeniem rzeczywistych przyrządów. Seria czasochłonnych procesów technologicznych może być zastąpiona przez symulacje komputerowe mające na celu określenie takich parametrów fizycznych materiału, które zagwarantują uzyskanie pożądanych właściwości tranzystora TFT. W niniejszej pracy prezentujemy ponadto wyniki obliczeń numerycznych dotyczących wpływu grubości dielektryka oraz wymiarów geometrycznych kanału. Symulacje numeryczne mogą służyć jako dodatkowe narzędzie charakteryzacji materiałów i przyrządów, gdyż pozwalają na wizualizację wielkości fizycznych trudnych do zmierzenia. Są to między innymi rozkład koncentracji nośników ładunku w kanale TFT lub gęstości stanów w przerwie energetycznej półprzewodnika tlenkowego. W niniejszej pracy prezentujemy proces i wyniki podejścia łączącego metody analityczne i symulacje numeryczne, pozwalającego na ekstrakcję krzywej gęstości stanów (DoS) w funkcji energii.

EN

In this work we present an overview of various methods for amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) thin-film transistors (TFTs) simulations. We will also discuss limiting factors of their usability as well as the challenges which should be overcome to make progress. We give a description of the state of-the art in the area and present our recent results. We will present our results of effects of physical structure parameters such as channel thickness and dimensions on electrical I-V transfer characteristics. Secondly, numerical simulations may serve as additional characterisation tool, as they make it possible to extract physical quantities that are difficult to measure, such as density of states within semiconductor bandgap. These advantages mean that increased use of device simulation is expected for efficient development of a-IGZO TFTs. We will present a process of combined analytical and numerical simulation approach to the extraction of density of states (DoS) versus energy curve.

20

Przezroczysty amorficzny półprzewodnik tlenkowy Zn-Ir-Si-O

Grochowski J., Kamińska E., Kaczmarski J., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2014

|

Vol. 55, nr 9

30-32

PL

W opracowaniu proponujemy nową technikę kontroli koncentracji dziur w warstwach Zn-Ir-O przy zachowaniu wysokiego poziomu transmisji optycznej. Prezentowane podejście polega na wprowadzeniu krzemu do cienkich warstw o strukturze spinelu w trakcie procesu osadzania. Dodanie tlenku krzemu o amorficznej mikrostrukturze do tlenku irydu zapobiega powstawaniu faz krystalicznych IrO2 wspomagając amorfizację oraz obniżając koncentrację swobodnych nośników. W zależności od stosunku Zn:Ir:Si:O uzyskano rentgenowsko amorficzne cienkie warstwy o przewodnictwie dziurowym. Najlepsze wyniki uzyskano dla próbek o składzie Zn3Ir8Si33O56. Materiał ten charakteryzował się opornością ρ = 0,6 Ωcm, koncentracją dziur p = 1•1018 cm-3 oraz ruchliwością µp = 2 cm2/Vs. Transmisja optyczna w zakresie widzialnym widma promieniowania elektromagnetycznego przekracza 70%, a szerokość przerwy energetycznej to 3,0 eV. Analiza HRTEM sugeruje, że ZnIrSiO składa się z nanoziaren Ir3Si i ZnIr2O4 zawieszonych w amorficznej matrycy.

EN

In this report, we propose a novel technique to control hole concentration in Zn-Ir-O thin films while retaining high optical transmission. Our approach relies on adding a controlled amount of silicon during thin spinel-type films deposition process. Addition of amorphous silicon oxide to iridium oxide is known to frustrate crystal growth of the latter one enhancing amorphization and lowering free carrier concentration. Depending on Zn:Ir:Si:O ratios, various p-type conductive XRD amorphous thin films were obtained. The best results were achieved for samples with a composition Zn3Ir8Si33O56, as obtained from RBS analysis. Transport properties were as follows: resistivity ρ = 0.6 Ωcm, hole concentration p = 2∙18 cm-3and mobility µ = 2 cm2/Vs. Optical transmission in the visible wavelength region is 70% and band gap width exceeds 2.6 eV. HRTEM analysis strongly suggests that ZnIrSiO is composed of Ir3Si, IrO2 and ZnIr2O4 nanograins embedded in an amorphous matrix.