Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Properties of second order gratings for surface emitting DBR lasers. Part 1, Gratings with rectangular cross-section profile

100%

Mroziewicz B.

|

tom Vol. 32, No. 4

327-337

EN

Optical properties of heterostructure wave guides with inprinted second order gratings thar form DBR section in a SQW GRIN SCH laser are studies. Compute calculations for a 1-D models of DBR sections with wave guides of various dimensions and rectangular grating profiles are performed in the part of the work described in this paper. The purpose was to estimate reflectivity, transmissivity and fractions of the power radiated to the air and substrate in such DBR laser sections.

2

Properties of the second order gratings for surface emitting DBR lasers. Part 2, Sinusoidal and blazed gratings

100%

Mroziewicz B.

Electron Technology

|

2000

|

tom Vol. 33, No. 3

453-458

EN

Modelling of DBR sections in Surface Emitting DBR lasers described in Part I has been extended in this paper on gratings with sinusoidal and blazed profiles. Results presented in both Part I and Part II are compared and final conclusions are drawn.

3

Kwantowe lasery kaskadowe do celów spektroskopii molekularnej : zagadnienia wybrane

100%

Mroziewicz B.

|

tom Vol. 54, nr 11

58-66

PL

Artykuł stanowi przegląd wybranych właściwości kwantowych laserów kaskadowych I-rodzaju, którymi te przyrządy powinny się charakteryzować w zastosowaniach do celów spektroskopii, w paśmie średniej podczerwieni. Przyjęto, że muszą to być lasery pracujące w pojedynczym modzie a do najważniejszych ich parametrów zaliczono osiągalne długości fal, szerokość generowanej linii, moc wyjściową oraz zakres przestrajania. W przeważającej części artykułu zagadnienia te przedstawiono w sposób ogólny mając na celu głównie wprowadzenie czytelnika w ich meritum, natomiast najbardziej znaczące dokonania w okresie ostatniej dekady zilustrowano za pomocą chronologicznie ułożonych tablic. Liczne odesłania do literatury zawarte w tekście i tabelach powinny umożliwić zainteresowanym czytelnikom dokładniejsze zapoznanie się ze szczegółami dotyczącymi omawianych zagadnień. Analiza danych zawartych w artykule może w szczególności posłużyć do oceny sytuacji w dziedzinie szeroko rozumianej technologii laserów kaskadowych oraz perspektyw ich dalszego rozwoju.

EN

The paper contains a review of some selected properties of the type quantum cascade lasers designed for MIR spectroscopy. Single mode operation, available wavelengths, linewidh, output power and the tuning range are considered in particular. The topics are discussed in a rather general form to introduce the reader into the subject. Most relevant properties of the lasers attained in the last decade have been displayed in tables which also show chronology of the developments. Interested readers may find much more details in the numerous bibliography included in the paper. Analysis of the data contained in the paper may be helpful to estimate the state of the art and perspectives for further progress in the field.

4

Połączenia optyczne w układach elektronicznych nowych generacji

100%

Mroziewicz B.

|

2006

|

tom Vol. 47, nr 6

6-15

PL

Zdumiewająca i niewyczerpalna zdolność elektroniki do wykładniczego wzrostu jest wciąż reprezentowana przez prawo Moore'a. Skutki działalności tego prawa zmuszają do refleksji na temat sposobów transmisji danych między poszczególnymi układami elektronicznymi o nieustannie rosnącym stopniu złożoności i szybkości działania. W artykule omówiono zasady działania połączeń optycznych i aktualny stan ich zaawansowania, zilustrowany przykładami proponowanych rozwiązań, oraz perspektywy tej techniki na przyszłość.

EN

Amazing and seemingly inexhaustible capacity for growth in electronics is still represented by Moore's Law. This reality makes us to look for new ways of data transmission between ever faster operating electronic systems. Optical interconnects emerge as a viable solution. In the paper, principle of operation of such interconnects, pertinent designs and their performance are described.

5

Generacja fal terahercowych z zastosowaniem laserów półprzewodnikowych

100%

Mroziewicz B.

|

2009

|

tom Vol. 50, nr 9

132-143

PL

Pasmo częstotliwości terahercowych w widmie promieniowania elektromagnetycznego to ostatni skrawek tego widma dotychczas słabo wykorzystywany w technice. Powodem tego stanu rzeczy są trudności w osiągnięciu fal o częstotliwości terahercowej. Tymczasem technika ta znajduje coraz szersze możliwości aplikacyjne. W artykule omówiono metody generacji fal terahercowych oparte na wykorzystaniu promieniowania emitowanego przez lasery - szczególnie lasery półprzewodnikowe. Znaczną część artykułu poświęcono opisowi zjawisk leżących u podstaw tej techniki z położeniem nacisku na zjawisko mieszania częstotliwości. Szczególną uwagę zwrócono na potencjał tkwiący w kwantowych laserach kaskadowych i laserach dwufalowych, które uważane są za szczególnie perspektywiczne z punktu widzenia budowy generatorów promieniowania terahercowego o znaczącej mocy wyjściowej.

EN

The terahertz frequency band is the last shred of the electromagnetic radiation spectrum that had been left al most unused in practical applications. The situation has been caused by difficulties encountered when trying to generate terahertz wavelengths of meaningful power. However, this technique finds ever increasing applications and has aroused a great interest in its development. In the paper we describe basic phenomena leading to generation of terahertz signals by optical methods. Photo-mixing of laser beams is treated more in detail due to variety of possibilities offered by the method itself and semiconductor lasers in particular. Quantum Cascade Lasers and two-colour external cavity lasers deserve special attention as promising sources of high output power terahertz signals and the state of the art in this field has been therefore enlightened more thoroughly.

6

50 lat działalności Instytutu Technologii Elektronowej

100%

Mroziewicz B.

|

2016

|

tom Vol. 57, nr 8

3--15

PL

Opis zawiera ważniejsze fragmenty historii Instytutu i wyniki jego działalności w okresie 50 lat istnienia. Przewijają się w nim dwa nurty powiązane odpowiednio z licznymi zmianami w jego organizacji i działalności naukowo badawczej oraz aplikacyjnej. Ta ostatnia podlegała znacznym fluktuacjom stosownie do zadań stawianych przed Instytutem najpierw jako jednostką naukową Polskiej Akademii Nauk, następnie instytutem badawczo rozwojowym należącym do Naukowo-Produkcyjnego Centrum Półprzewodników, a na końcu instytutem o statusie jednostki badawczo-rozwojowej. Przedstawiona w opisie historia została podzielona na etapy wyznaczane przez nominacje kolejnych dyrektorów, chociaż nie zawsze pociągały one za sobą zmiany w obszarze tematyki rozwijanej przez Instytut czy sposobu upowszechniania osiąganych wyników. Rysunki zawarte w tekście są kopiami slajdów prezentowanych na uroczystym Sympozjum poświęconym 50-leciu Instytutu.

EN

The paper contains some selected fragments of the history and more important achievements of the Institute during its 50 year activity. There are two intermixing mainstreams connected respectively with multiple changes in its organization and scientific or industrial application activity. The latter has been subjected to significant fluctuations adequately to tasks set for the Institute which started as a unit of the Polish Academy of Sciences, next belonged to the Scientific and Production Semiconductor Center and finally has been supervised by the Ministry of Development. The history presented in the paper has been divided into stages corresponding to directors that had led the Institute although these personal changes not always have affected its activity in a particular scientific field or in the way the results were spread out. Figures included in the paper have been presented at the festive Symposium devoted to the 50 anniversary of the Institute.

7

Biało-świecące diody LED rewolucjonizują technikę oświetleniową

100%

Mroziewicz B.

|

2010

|

tom Vol. 51, nr 9

145-154

PL

Diody elektroluminescencyjne (LED) legły u podstaw rozwoju optoelektroniki służąc przez wiele lat jako źródła promieniowania prawie koherentnego o długości fal rozciągającej się od światła zielonego do podczerwieni. Spełniały głównie role wskaźników sygnalizujących stan systemu, służyły do wyświetlania informacji lub były źródłami sygnałów optycznych. Jednak dopiero opanowanie technologii produkcji LED emitujących światło o barwie fioletowo-niebieskiej przyniosło trzeci składnik barwowy umożliwiający syntezę światła białego. Prowadziło to do budowy diod zawierających trzy chipy emitujące światło czerwone zielone i niebieskie, lecz szybko okazało się, że rozwiązaniem tańszym będzie wykorzystanie nowych diod do pobudzania luminoforów, które w rezultacie napromieniowania światłem krótkofalowym emitują światło białe. Okoliczność ta zbiegła się w czasie z uświadomieniem przez ekologów zagrożeń związanych z zanieczyszczeniem atmosfery dwutlenkiem węgla (CO₂) i wynikającą stąd koniecznością ograniczenia światowego zużycia energii elektrycznej.

EN

Light emitting diodes (LEDs) have been fundamental for most developments in the optoelectronics. Over many years they were indispensable as sources of nearly coherent radiation in the light-band extending from green to infrared. They were serving as indicators, displays and signal sources, respectively. However, it was not until the violet-blue LEDs have been developed that white light could be synthesized. These LEDs have led to RGB (red, green, blue) white emitting LEDs but soon turned out that it would be cheaper to generate white light by illuminating with blue light a proper phosphor. Such notion was developed just on time as it had been understood that treats brought about by CO₂ air pollution and necessity to restrict electrical energy consumption are becoming obligatory. White-emitting LEDs feature properties that allow not only for reduction of demand for electricity but also promise economical profits. Some selected topics conceming LEDs used for SSL (solid state lighting) are the subject covered by the present review.

8

Jednomodowe przestrajalne lasery półprzewodnikowe do zastosowań w układach czujnikowych spektroskopii absorpcyjnej

100%

Mroziewicz B.

|

tom Vol. 48, nr 5

31-41

PL

Spektroskopia absorpcyjna wykorzystywana do wykrywania śladowych ilości obcych substancji w gazach, coraz częściej posługuje się czujnikami, w których źródłem promieniowania są lasery półprzewodnikowe. W artykule omówiono zasady budowy takich czujników oraz konstrukcję i właściwości znajdujących w nich zastosowanie laserów półprzewodnikowych. Specjalną uwagę poświęcono laserom z zewnętrzną wnęką rezonansową oraz kwantowym laserom kaskadowym, szczególnie przydatnym dla spektroskopii absorpcyjnej w zakresie średniej podczerwieni.

EN

Absorption spectroscopy currently exploited to detect trace gases is mainly based on sensors that use semiconductor lasers. In the paper systems of such sensors are briefly described to set the stage for discussion on design and properties of the semiconductor lasers suitable to applications in these systems. A special attention is paid to external resonant cavity lasers and quantum cascade lasers as the most important light sources for absorption spectroscopy in the midinfrared wavelength range.

9

Pomiar współczynnika odbicia zwierciadeł diod laserowych z wnęką Fabry-Perota

63%

Pruszyńska-Karbownik E. , Mroziewicz B.

|

2009

|

tom Vol. 50, nr 5

83-85

PL

Pokrycie zwierciadeł diod laserowych o konstrukcji krawędziowej powłokami optycznymi, dpowiednio - refleksyjnymi i antyrefleksyjnymi, jest ważnym elementem technologii tych przyrządów zarówno z punktu widzenia ich trwałości, jak i sprawności kwantowej. W artykule opisano metodę pomiaru współczynnika odbicia powłoki antyrefleksyjnej, którą opracowano pod kątem zastosowania w pomiarach diod laserowych zmontowanych na chłodnicach.

EN

It is essential for reliability and quantum efficiency of the edge emitting diode lasers to protect their mirrors with reflection and antireflection coatings, respectively. In the paper there is described a measurement method that has been developed to measure refractive index of the antireflection coating deposited on the front mirror of a diode laser bonded to a heatsink.

10

Analysis of thermal conditions of pulse operated single quantum well separate confinement heterostructure (SQW SCH) lasers

51%

Ornoch L. , Kowalczyk E. , Mroziewicz B.

|

2005

|

tom Vol. 35, nr 3

591-595

EN

Junction temperature affects laser diode performance in many ways. Magnitude of the light output power, a center wavelength of the spectrum and diode reliability are all strongly dependent on the junction temperature. A simple electrical method to measure laser diode junction temperature has been developed. It is based on the measurement of the junction voltage change, which is due to the change of its temperature and is induced by supplying the laser with DC current in parallel to the pulsed driving current. Junction temperature dynamics in the pulse operated GaAs based SQW SCH quantum well broad contact lasers designed for emission at 980 nm was studied and results are presented. Additionally, junction cooling in these lasers as a function of time was also assessed.

11

Thermally induced changes of broad contact pulse-operated single quantum well (SQW) separate confinement heterostructure (SCH) laser spectra

51%

Kowalczyk E. , Ornoch L. , Szerling A. , Mroziewicz B.

|

2005

|

tom Vol. 35, nr 3

573-578

EN

A technique of time-resolved laser spectra mapping has been developed to assess thermo-optical properties of diode lasers. Using this technique the emission spectra of broad contact pulse operated diode lasers were measured for consecutive time points within the pulse duration width. The emitted wavelength was found to be highly dependent on the time elapsing from the pulse front and a time shift of wavelength was clearly observed in the spectrum of pulse-operated lasers.

12

Reflectance study of SiO2/Si3N4 dielectric Bragg reflectors

38%

Szerling A. , Wawer D. , Hejduk K. , Piwoński T. , Wójcik A. , Mroziewicz B. , Bugajski M.

|

2002

|

tom Vol. 32, nr 3

523-527

EN

We present the results of reflectance investigations into SiO2/Si3N4 dielectric distributed Bragg reflectors (DBR). The dielectric multilayers forming reflectors have been deposited by plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) on silicon substrates. Such structures can be utilised in vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) and resonant cavity light emitting diodes (RC LEDs)

13

High power QW SCH InGaAs/GaAs lasers for 980-nm band

26%

Bugajski M. , Mroziewicz B. , Regiński K. , Muszalski J. , Kosiel K. , Zbroszczyk M. , Ochalski T. , Piwoński T. , Wawer D. , Szerling A. , Kowalczyk E. , Wrzesińska H. , Górska M.

|

tom Vol. 53, nr 2

113-122

EN

Strained layer InGaAs/GaAs SCH SQW (Separate Confinement Heterostructure Single Quantum Well) lasers were grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE). Highly reliable CW (continuous wave) 980-nm, broad contact, pump lasers were fabricated in stripe geometry using Schottky isolation and ridge waveguide construction. Threshold current densities of the order of Jth = 280 A/cm2 (for the resonator length L = 700 [mu]m) and differential efficiency [eta]= 0.40 W/A (41%) from one mirror were obtained. The record wall-plug efficiency for AR/HR coated devices was equal to 54%. Theoretical estimations of above parameters, obtained by numerical modelling of devices were Jth = 210 A/cm and [eta] = 0.47 W / A from one mirror, respectively. Degradation studies revealed that uncoated and AR/HR coated devices did not show any appreciable degradation after 1500 hrs of CW operation at 35°C heat sink temperature at the constant optical power (50 mW) conditions.