Electron Technology - Tom Vol. 32, No. 4 (1999) - Biblioteka Nauki - Yadda

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Tom - szczegóły

Tytuł artykułu

Vol. 32, No. 4

Czasopismo

Electron Technology

Wydawca

Rocznik

1999

Identyfikatory

Zawartość wolumenu

Vol. 32, No. 4
- artykuł: The influence of structure and signal parameters on the results of two-level charge pumping measurements (Łukasiak L., Nowak B., Szostak S., Jakubowski A.), s. 295-303
- artykuł: TEM study of the formation of defects in AlGaAs/GaAs and InGaAs/GaAs heterostructures (Kątcki J., Ratajczak J., Phillipp F., Jin-Phillipp N. Y., Shiojiri M., Regiński K., Bugajski M.), s. 343-347
- artykuł: Self-heating of the 1-h junction structure in conditions of the accumulation (Sikorski S., Piotrowski T.), s. 354-360
- artykuł: Properties of second order gratings for surface emitting DBR lasers. Part 1, Gratings with rectangular cross-section profile (Mroziewicz B.), s. 327-337
- artykuł: Photonic detectors in nonequilibrium conditions (Niedziela T., Ciupa R.), s. 373-377
- artykuł: Nonstationary exclusion and accumulation of nonequilibrium charge carriers in germanium p⁺ -p-p⁺ structures of different geometrical forms (Kletski S. V., Piotrowski T., Sikorski S.), s. 361-364
- artykuł: Monitoring of border trap effects in MOS capacitors by the voltage step technique (Boużyk A., Przewłocki H. M.), s. 396-400
- artykuł: High-temperature InAs1-xSbx photodiodes employing nonequilibrium effects (Jóźwikowski K., Niedziela T.), s. 378-383
- artykuł: High-resolution transmission electron microscopy of AlAs/GaAs/AlGaAs multilayer heterostructure (Nishio K., Kątcki J., Shiojiri M.), s. 348-353
- artykuł: GMR-effect in granular Co-Cu structure at elevated temperatures (Kuźmiński M., Ślawska-Waniewska A., Lachowicz H. K., Kulik T.), s. 338-342
- artykuł: Determination of optical parameters of the MOS structure for use in photoelectric measurements (Kudła A., Brzezińska D., Kątcki J., Wagner T.), s. 390-395
- artykuł: Deposition and properties of refractory metallic films for diffusion barrier applications in Au-based metallizations to III-V semiconductors (Kamińska E., Piotrowska A., Guziewicz M., Gołaszewska K., Barcz A., Turos A., Mizera E., Adamczewska J., Rouvimov S., Liliental-Weber Z., Bremser M. D., Davis R. F.), s. 304-326
- artykuł: Comparative analysis and simulation of current relaxation in germanium p⁺ -p -p⁺ structures of different geometrical forms (Kletski S., Piotrowski T., Sikorski S.), s. 365-368
- artykuł: Application of the galvanomagnetic measurements in the temperature range 4 ÷ 300 K to the MBE GaAs layers characterization (Wolkenberg A., Przesławski T.), s. 369-372
- artykuł: A method for analysis of spatial distribution of electrostatic potential and band structure in (Hg,Cd)Te diode heterostructures (Jóźwikowski K., Niedziela T.), s. 384-389

rozwiń roczniki

JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.