Electron Technology - Tom Vol. 33, No. 3 (2000) - Biblioteka Nauki - Yadda

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Tom - szczegóły

Tytuł artykułu

Vol. 33, No. 3

Czasopismo

Electron Technology

Wydawca

Rocznik

2000

Identyfikatory

Zawartość wolumenu

Vol. 33, No. 3
- artykuł: The renormalized potemtial for cubic crystals (Gwizdałła T., Czerbniak J.), s. 315-318
- artykuł: Advantages and disadvantages of layer growth model in which particles maximize number of lateral bonds (Malarz K.), s. 319-322
- artykuł: Non-adiabatic effects in atom scattering on surfaces (Wiertel M., Taranko E., Taranko R.), s. 323-328
- artykuł: Strain in multilayered systems and its influence on asymmetric X-ray diffraction profiles (Chocyk D., Gładyszewski G., Pienkos T., Gładyszewski L.), s. 329-333
- artykuł: A defect study of self-assembled monolayers by chemical etching (Cyganik P., Felgenhauer T., Rong H. T., Buck M., Postawa Z.), s. 337-343
- artykuł: Scanning tunneling spectroscopy of the NaDDP molecules deposited on the (0001) graphite surface in the presence of charging effects (Klusek Z.), s. 344-349
- artykuł: A combined scanning tunneling microscopy/current imaging tunneling spectroscopy study of molecular image contrast of the 8OCB liquid crystal deposited on the HOPG(0001) substrate (Klusek Z., Kozłowski W.), s. 350-354
- artykuł: Investigations of electronic structure of topological defects in carbon nanotubes by scanning tunneling microscopy and current imaging tunneling spectroscopy (Klusek Z., Byszewski P., Kowalczyk P.), s. 355-360
- artykuł: Atomic force microscopy imaging of the paper surface subjected to process of artificial ageing (Krok F., Piątkowski P., Czuba P., Konieczna A., Barański A., Szymoński M.), s. 361-365
- artykuł: Changes of stainless steel surface roughness induced by ion irradiation (Przybylski G., Bałamucki J., Łasisz S., Wilk J., Kowalski Z. W.), s. 366-368
- artykuł: Nanoscale studies of electron-stimulated desorption of alkali halides (Szymoński M., Kołodziej J., Struski P., Such B., Czuba P., Piątkowski P.), s. 369-374
- artykuł: Mesoscopic Pb wires on ordered vicinal Si(111) (Jałochowski M.), s. 375-379
- artykuł: Growth of the ultra-thin Pb layers on Si(533) surface (Zdyb R., Stróżak M., Jałochowski M.), s. 380-384
- artykuł: Fabrication of microstructures in thin niobium films by reactive ion etching (Piotrowska A., Piotrowski T. T., Kamińska E., Szopniewski Z., Gierłowski P., Lewandowski S.), s. 387-392
- artykuł: Technology and properties of GaInAsSb layers grown on GaSb substrates (Piskorski M., Papis E., Gołaszewska K., Jung W., Adamczewska J., Perchuć L.), s. 393-399
- artykuł: An oscillatory surface reaction of hydrogen with cobalt in high electric field (Stępień Z. M.), s. 400-403
- artykuł: Technology and characterization of resonant cavity enhanced MSM GaAs photodetectors (Ściana B., Radziewicz D., Zborowska-Lindert I., Boratyński B., Czernecki R., Sitarek P., Misiewicz J., Tłaczała M.), s. 404-407
- artykuł: Field-induced effects in the glass coated with In₂O₃ thin layer (Olesik J.), s. 408-411
- artykuł: Influence of electron states parameters on results of SSPG measurements (Nowak M., Starczewska A.), s. 412-415
- artykuł: In search for substrate materials for GaN epitaxy: optical properties of thin films of ZnO grown by atomic layer epitaxy (Godlewski M., Szczerbakov A., Ivanov V. Y., Ghali M., Langer R., Barski A.), s. 416-420
- artykuł: Investigation of structural evolution of Co₆₆Ni₁₂Si₉B₁₃ metallic glass by electrical and hall resistivity (Jakubczyk E.), s. 423-426
- artykuł: Interlayer coupling in magnetic superlattices with self-similar interfaces (Bąk Z., Gruhn W., Jaroszewicz R.), s. 427-429
- artykuł: On the surface domain structure of cobalt monocrystals (Szmaja W.), s. 430-433
- artykuł: Design and parameters of home made sample holders enabling the alignment, rotations, heating and cooling of the samples in ultra-high vacuum (Otop H., Mróz S., Mróz A., Krupski A.), s. 437-442
- artykuł: The programming and technical realizations used in measurement of channeling effect by RBS technique (Gront K., Czerbniak J., Gwizdałła T.), s. 443-446
- artykuł: Inverse photoemission spectrometer with LiF lens as dispersive element (Orłowska A.), s. 447-449
- artykuł: Properties of the second order gratings for surface emitting DBR lasers. Part 2, Sinusoidal and blazed gratings (Mroziewicz B.), s. 453-458
- artykuł: Application of thermovision camera for quality control of silicon wafer bonding (Piotrowski T., Jung W.), s. 459-466
- artykuł: Infrared radiation from GaAs : Si structures with I-h junctions (Pułtorak J.), s. 467-468
- artykuł: Mesoscopic description of the high frequency thermal processes in the submicron structures (Marciak-Kozłowska J.), s. 469-472
- artykuł: Analysis of detectin parameters of non-cooled long-wavelength multi-junction (Cd,Hg)Te photodiodes (Jóźwikowski K., Niedziela T.), s. 473-477

rozwiń roczniki

JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.