Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Czynniki konkurencyjności przedsiębiorstw sektora turystycznego w Polsce

Sieradzka K., Luft R., Walasik M.

Logistyka

|

2015

|

nr 4

5634--5640, CD2

PL

W artykule dokonano analizy pojęcia konkurencyjności przedsiębiorstw oraz omówiono czynniki mające wpływ na ich konkurencyjność. Celem artykułu jest przedstawienie i analiza czynników konkurencyjności polskich przedsiębiorstw sektora turystycznego, ze szczególnym uwzględnieniem ceny. W artykule wykorzystano aktualne dane statystyczne odnoszące się do konkurencyjności cenowej polskich produktów turystycznych na arenie europejskiej..

EN

The article analyzes the concept of the competitiveness of enterprises and discusses the factors of the affecting their competitiveness. The aim of the article is to present and analyze the factors of competitiveness of Polish enterprises of the tourism sector, with special emphasis on the price. The current statistical data relating to the price competitiveness of Polish tourism products in the European arena have been used.

2

Fundusze strukturalne Unii Europejskiej a rozwój przedsiębiorstw turystycznych w Polsce

Sieradzka K., Luft R., Michalski A.

Logistyka

|

2014

|

nr 3

5685--5693

PL

Wymogiem dzisiejszej gospodarki rynkowej jest m.in. wzrost konkurencyjności przedsiębiorstw. Umiejętność zarządzania przedsiębiorstwem w zmieniającym się otoczeniu jest podstawą jego sukcesu rynkowego. Optymalne zarządzanie przedsiębiorstwem turystycznym, w tym umiejętność zdobywania środków finansowych, niezbędnych do dalszego rozwoju, jest podstawowym zadaniem wszystkich przedsiębiorstw, w tym MSP. Fundusze strukturalne Unii Europejskiej stanowią istotne źródło pozyskania kapitału zewnętrznego. W latach 2007-2013 przedsiębiorstwa turystyczne zyskały wsparcie w ramach: PO Innowacyjna Gospodarka, PO Kapitał Ludzki, Program Rozwoju Obszarów Wiejskich oraz Regionalnych Programów Operacyjnych. Przedsiębiorstwa turystyczne dzięki unijnemu wsparciu mogą rozszerzyć zakres świadczonych usług oraz poprawić ich dotychczasową jakość. Przedsiębiorcy oraz inne podmioty mogą liczyć m.in. na wsparcie inwestycji w bazę noclegową, obiekty sportowe i rekreacyjne, renowację zabytków czy budowę ścieżek rowerowych. Środki unijne mogą częściowo sfinansować udział w targach, jak również inną działalność promocyjną i informacyjną. Istotnym czynnikiem promującym rozwój przedsiębiorstw turystycznych w perspektywie lat 2014-2020 są działania zapisane w regionalnych programach operacyjnych oraz programach operacyjnych o zasięgu krajowym. Ich znajomość jest czynnikiem warunkującym wzrost konkurencyjności i innowacyjności tych pomiotów, a tym samym całej gospodarki.

EN

The current market economy requires, inter alia, growing competitiveness of enterprises. Skilful management of an enterprise in a shifting environment is key to its market success. Optimum management of a tourist company, including the ability to obtain financial resources necessary for continuing development, is the fundamental objective of all business, including SMEs. The European Union structural funds are a major source of external capital. In 2007-2013, tourist enterprise were awarded support as part of: Innovative Economy OP, Human Capital OP, Programme of Rural Area Development and Regional Operational Programmes. Tourist enterprises can take advantage of the EU aid to broaden the range of their services and improve their quality. Entrepreneurs and other organisations may count on support for investments into accommodation, sports and leisure facilities, restoration of historic buildings or construction of biking paths, among other things. The EU funding may co-finance participation in fairs as well as other promotional and information activities. Actions under regional and national operational programmes are set to become important promoters of tourist enterprise development in 2014-2020. Awareness of these programmes conditions growth of competitiveness and innovation of these entities, and thus of the entire economy.

3

Jak skutecznie magazynować energię?

Sieradzka K.

Energetyka Cieplna i Zawodowa

|

2014

|

Nr 6

78--79

PL

W ramach projektu NanoMat(1) naukowcy współpracujący z Wrocławskim Centrum Badań EIT+ realizują prace związane z systemami magazynowania energii. Opracowywane są technologie wytwarzania nowych materiałów kompozytowych, przeznaczonych do konstrukcji ogniw litowo-jonowych (Li-Ion) oraz materiałów węglowych i hybrydowych o zwiększonej zdolności magazynowania wodoru.

4

Niestabilność finansowa i rozwojowa regionów a dobrobyt społeczeństw lokalnych

Frejtag-Mika E., Sieradzka K.

Ekonomia i Zarządzanie

|

2014

|

Vol. 6, no. 4

135--145

PL

W artykule podjęto zagadnienia dysproporcji rozwojowych regionów w Polsce, problemów związanych z finansowaniem jednostek samorządu terytorialnego w kontekście stabilności finansowej, jak również zróżnicowania społeczno-gospodarczego w poziomie i jakości życia społeczeństwa (gospodarstw domowych). Przedstawiono i usystematyzowano badania dotyczące rozwoju regionalnego, jak również wskazano działania mające na celu zmniejszanie dysproporcji w rozwoju społeczno-gospodarczym polskich regionów.

EN

The paper addresses the developmental disparities among Polish regions and the problems of financing local authorities in the context of financial stability. Additionally, the socio-economic differences of living standards and the quality of life of the society (households) is analysed. Research into regional development is discussed and systematized. Actions to reduce imbalances in socio-economic development of Polish regions are proposed.

5

Photocatalytic properties of Ti–V oxides thin films

Domaradzki J, Mazur M, Sieradzka K, Wojcieszak D, Adamiak B

Optica Applicata

|

2013

|

Vol. 43, nr 1

153--162

EN

In this work, the photocatalytic properties of Ti–V oxides thin films with 19 and 23 at.% of vanadium addition have been outlined. The films were deposited by the high energy reactive magnetron sputtering method. X-ray photoelectron spectroscopy measurements were done in order to determine the chemical composition and binding energy of the elements on the samples surface. Additionally, based on wettability measurements, the water contact angles were evaluated and were equal to ca. 94° and 55° for thin films with 19 and 23 at.% of V, respectively. This testifies about hydrophilic and hydrophobic properties, respectively. Photoactivity of thin films was determined by percent decomposition of phenol for 5 hours during UV–vis radiation exposure. The highest photocatalytic activity of 6.2%/cm2 was obtained for thin films with 19 at.% of V. It has been found that an increase in V amount in Ti–V oxides thin films to 23 at.% results in lowered to 3%/cm2 photocatalytic activity.

6

Investigation of physicochemical and tribological properties of transparent oxide semiconducting thin films based on Ti-V oxides

Mazur M., Sieradzka K., Kaczmarek D., Domaradzki J., Wojcieszak D., Domanowski P.

Materials Science Poland

|

2013

|

Vol. 31, No. 3

434--445

EN

In this paper investigations of structural and optical properties of nanocrystalline Ti–V oxide thin films are described. The films were deposited onto Corning 7059 glass using a modified reactive magnetron sputtering method. Structural investigations of prepared Ti–V oxides with vanadium addition of 19 at. % revealed amorphous structure, while incorporation of 21 and 23 at. % of vanadium resulted in V2O5 formation with crystallites sizes of 12.7 and 32.4 nm, respectively. All prepared thin films belong to transparent oxide semiconductors due to their high transmission level of ca. 60 – 75 % in the visible light range, and resistivity in the range of 3.3_10 2 – 1.4_105 Wcm. Additionally, wettability and hardness tests were performed in order to evaluate the usefulness of the films for functional coatings.

7

Charakteryzacja i właściwości przezroczystych warstw półprzewodnikowych na bazie mieszaniny tlenków tytanu i wanadu dla transparentnej elektroniki

Domaradzki J., Kaczmarek D., Sieradzka K., Mazur M., Wojcieszak D., Morgiel J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 10

21-23

PL

Na przestrzeni ostatnich dwóch dekad można było zauważyć znaczny wzrost zainteresowania badaniami naukowymi, dotyczącymi wytwarzania oraz badania właściwości nowego typu nieorganicznych materiałów tlenkowych o takich unikatowych właściwościach, jak duża przezroczystość w zakresie widzialnych fal świetlnych oraz duże przewodnictwo elektryczne o elektronowym lub dziurawym typie w temperaturze pokojowej. Wprawdzie takie materiały, jak SnO2 czy In2O3 są dobrze znane od wielu lat, jednakże nawet obecnie są one stosowane prawie wyłącznie jako przezroczyste elektrody. Przez wiele lat brak dobrze przewodzących i przezroczystych materiałów o dziurawym typie przewodnictwa elektrycznego stanowił poważne ograniczenie w możliwości wytwarzania w całości przezroczystych elementów złączowych, które są podstawą działania urządzeń elektronicznych, jak diody czy tranzystory. Dopiero prace wykonane w latach 90. u.b.w. przyczyniły się do powstania nowej dziedziny naukowej, która łączy nowoczesną elektronikę tlenkową oraz fotonikę – transparentną elektronikę. Przegląd literatury światowej pokazuje, że obecne prace badawcze wciąż koncentrują się jeszcze na poszukiwaniu nowych materiałów tlenkowych, w szczególności takich, które mogłyby w przyszłości zastąpić tlenki na bazie indu. W niniejszej pracy opisano elektryczne i optyczne właściwości cienkich warstw w postaci mieszaniny tlenków tytanu i wanadu wytworzonych metodą rozpylania magnetronowego. Analiza wyników uzupełniona badaniami metodą dyfrakcji rentgenowskiej oraz za pomocą transmisyjnego mikroskopu elektronowego pokazała, że przez dobór ilości tytanu i wanadu możliwe jest wytwarzanie przezroczystych i półprzewodnikowych cienkich warstw o elektronowym lub dziurawym typie przewodnictwa elektrycznego, które w przyszłości mogłyby znaleźć zastosowanie w transparentnej elektronice.

EN

During last two decades one can see significant increase in the works concerning preparation and characterizattion of a new kind of inorganic oxide-based materials with such unique properties as high transparency in the visible light range and high electrical conductivity of either electron or hole type in a room temperature. Although, some of such materials, like SnO2 or In2O3 have been quite well known for years, but even today they are applied mostly for preparation of transparent n-type electrical contacts. For years the lack of well conductive, transparent p-type materials has limited the preparation of the whole transparent electronics junctions which are the fundamental blocks needed for realization of diodes or transistors. The works concerned mostly in Japan in 90’ of last century have contributed to establishment of new scientific domain that join modern oxide electronics and photonics – transparent electronics. The survey of world literature shows, that at present main scientific works are focused still on searching for new materials, especially those that would replace toxic indium-based oxides. This paper describes the electrical and optical properties of thin films of mixtures of vanadium and titanium oxides prepared by magnetron sputtering. The analysis supported by examination with the aid of x-ray diffaction and transmission electron microscopy has shown that by a selection of the quantity of components it is possible to prepare well transparent and semiconducting thin films with either p or n-type conduction, which may find future application in transparent electronics.

8

Wpływ wygrzewania na nanokrystaliczne cienkie warstwy na bazie TiO₂ na przykładzie TiO₂:Nd

Mazur M., Wojcieszak D., Sieradzka K., Kaczmarek D., Domaradzki J., Prociów E. L.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 2

16-18

PL

W artykule przedstawiono wyniki badania wpływu wygrzewania na właściwości strukturalne oraz właściwości powierzchni nanokrystalicznych cienkich warstw TiO₂ domieszkowanych neodymem (0,84% at.). Cienkie warstwy TiO₂:Nd wytworzono zmodyfikowaną metodą rozpylania magnetronowego i bezpośrednio po naniesieniu miały one strukturę amorficzną. Wygrzewanie w 800°C spowodowało rekrystalizację struktury w anataz o wielkości krystalitów równych 6 nm. Mikroskopia sił atomowych potwierdziła nanokrystaliczność badanych cienkich warstw.

EN

In this paper results of annealing influence on structural and surface properties of nanocrystalline TiO₂:Nd (0.84 at.%) thin films have been shown. Thin films have been deposited using modified magnetron sputtering process. As-deposited TiO₂:Nd thin films revealed amorphous structure. Additional annealing at 800°C caused the appearance of anatase phase with crystallites size of 6 nm. Atomic force microscopy confirmed nanoery-stallinity of investigated thin films.

9

Właściwości hydrofilowe przezroczystych i półprzewodzących cienkich warstw tlenków Ti-V do zastosowań w transparentnej elektronice

Sieradzka K., Domaradzki J., Adamiak B., Baniewicz K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 7

97-98

PL

W pracy omówiono właściwości nanokrystalicznych cienkich warstw tlenków Ti-V, które wytworzono zmodyfikowaną metodą rozpylania magnetronowego. Na podstawie pomiarów właściwości optycznych i elektrycznych pokazano, że warstwy te mają dużą przezroczystość dla światła oraz są półprzewodnikami w temperaturze pokojowej. Oprócz tego, jak wykazano w artykule, tlenki Ti-V wykazują również zdolność zwilżania powierzchni dla wody na poziomie ok. 64°. Dzięki temu, warstwy te mogłyby znaleźć zastosowanie jako przezroczyste, półprzewodzące powłoki o właściwościach hydrofilowych.

EN

In this work the properties of nanocrystalline Ti-V oxide thin films prepared by a modified magnetron sputtering method have been outlined. Based on optical and electrical investigation it has been presented that these films have high transparency to light and are semiconducting properties at room temperature. In addition, as shown in the article, Ti-V oxide thin films also exhibit the ability to wet the surface to water at about 64°. Thus, this mixture of oxides could be used as a transparent, semiconductive coating with hydrophilic properties.

10

Właściwości cienkowarstwowych, przezroczystych półprzewodników o zadanym typie przewodnictwa elektrycznego do zastosowań w transparentnej elektronice

Sieradzka K., Mazur M., Domaradzki J., Kaczmarek D., Prociów E. L., Berlicki T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 2

18-20

PL

W niniejszej pracy przedstawiono możliwości wytwarzania nanokrystalicznych, przezroczystych cienkich warstw tlenków na bazie TiO₂ o właściwościach półprzewodnikowych. Tlenki wytwarzano za pomocą dwóch zmodyfikowanych metod rozpylania magnetronowego. Na podstawie pomiarów właściwości optycznych i elektrycznych pokazano, że uzyskanie tego typu materiałów jest trudne i wymaga kompromisu między jednocześnie dobrą przezroczystością, a dużym przewodnictwem elektrycznym. Stwierdzono, że domieszkowanie cienkich warstw TiO₂ stwarza możliwość wytwarzania półprzewodników o zarówno elektronowym, jak i dziurawym typie przewodnictwa elektrycznego.

EN

In this work the preparation of nanocrystalline, transparent and semiconducting thin films based on TiO₂ has been presented. The thin films of TOS oxides were deposited by using two different and modified magnetron sputtering methods. On the basis of opticat and electrical measurements it was shown that preparation of such materials is difficult and requires a suitable compromise between good optical and good electrical properties. It has been found that by doping of TiO₂ created a possibility to produce the oxide semiconductors both with electron and hole type of electrical conduction.

11

Thermoelectrical, conductometrical and optical studies of gas sensing TiO₂ : (V, Ta) thin films

Prociów E., Mazur M., Domaradzki J., Wojcieszak D., Kaczmarek D., Sieradzka K., Franczyk Ł.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 4

28-30

EN

For the purpose of this work TiO₂ : (V, Ta) thin films have been manufactured and characterized. Two types of performed measurements, that are conductometrical and thermoelectrical and differences between them have been especially discussed. Measurements of response and recovery times of Ti0₂ : (V, Ta) thin film gas sensor in the presence of isopropyl alcohol have been carried out. Optical properties, i.e. transparency and its changes in the presence of isopropanol have been also studied.

PL

W artykule przedstawiono wyniki badania wytworzonych cienkich warstw TiO₂ : (V, Ta). Wykonano pomiary konduktometryczne oraz termoelektryczne badanych cienkich warstw i omówiono różnice między nimi. Wyznaczono czasy odpowiedzi oraz odtrucia gazoczułych cienkich warstw TiO₂ : (V, Ta) dla pobudzenia parami alkoholu izopropylowego. Badano również zmianę właściwości optycznych cienkich warstw w obecności izopropanolu.

12

Multifunctional coatings for solar cells application

Sieradzka K., Mazur M., Kaczmarek D., Domaradzki J., Wojcieszak D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 6

102-104

EN

This paper briefly presents the main scientific directions and measurement opportunities of the staff from Laboratory of Optoelectrical Diagnostics of Nanomaterials situated at Wroclaw Univeristy of Technology. All discussed thin oxide films based on TiO₂ were prepared by High Energy Reactive Magnetron Sputtering method. As it was showed, control of material composition allows to obtain nanocrystalline, transparent semiconductors with particular type of conductivity. Additionally, in such thin films other desirable properties can be achieved simultaneously, e.g. photoactivity and reduced reflection. It testifies about great application potential of nanocrystalline TOS thin films as coatings for architectural glasses, windscreens, solar cells application.

13

Structural and optical properties of vanadium oxides prepared by microwave-assisted reactive magnetron sputtering

Sieradzka K., Wojcieszak D., Kaczmarek D., Domaradzki J., Kiriakidis G., Aperathitis E., Kambilafka V., Placido F., Song S.

Optica Applicata

|

2011

|

Vol. 41, nr 2

463--469

EN

In this work, structural and optical properties of vanadium oxides have been presented. Thin films were manufactured by microwave-assisted magnetron sputtering process. Particles were sputtered from a vanadium target in Ar/O2 atmosphere. Oxygen partial pressure was changing from 3×10-4 to 7×10-4 Torr. After the deposition, the thin films were additionally annealed at 400 °C in ambient air in order to oxidize the films. Structural investigation was performed with the aid of X-ray diffraction measurements and Raman spectroscopy. The results obtained from both methods have revealed that as-deposited films were amorphous, while annealed films had V2O5 crystal form. Optical properties were determined by transmission measurements in the spectral range from 250 to 2500 nm. As-deposited films had low transmission (below 10%), but oxidization by additional annealing of the structure resulted in the increase of the transmission level up to about 20 and 43% at 650 nm wavelength for samples prepared under 3×10-4 and 7×10-4 Torr oxygen partial pressure, respectively. The analysis of the structure and optical properties of the thin films has revealed the influence of deposition parameters on the properties of vanadium oxides.

14

Analysis of thickness influence on wettability of ITO thin films

Mazur M., Wojcieszak D., Domaradzki J., Sieradzka K., Kaczmarek D., Song S., Placido F., Gornicka B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 3

71-73

EN

In this paper contact angle and surface free energy of ITO thin films prepared by microwave-assisted magnetron sputtering process with thick-nesses of 280, 200, 100 and 50 nm were investigaled. The measurement of surface energy and contact angle was carried out with a computer controlled goniometer system with water, ethylene glycol and diodomethane. Contact angle measurements were performed according to the sessile drop method. Results have shown that manufactured ITO thin films with thickness of 280, 200 and 100 nm were hydrophobic, while 50 nm ITO thin film was hydrophilic. Contact angle was about 105 degrees for thin films with thickness above 100 nm. Decrease of thickness down to 50 nm results in 30% decrease of contact angle value (down to 75 degrees). The effect of ITO thin films thickness on the dispersive and polar components of the surface energy was also investigated. Analysis of surface free energy has confirmed that samples with lower surface free energies exhibit higher values of water contact angles.

PL

W artykule przedstawiono wyniki badań kąta zwilżania i wolnej energii powierzchniowej cienkich warstw ITO o grubościach odpowiednio 280, 200, 100 i 50 nm, wytworzonych za pomocą rozpylania magnetronowego wspomaganego mikrofalami. Pomiary energii powierzchniowej oraz kąta zwilżania zostały wykonane za pomocą specjalistycznego stanowiska używając wody, glikolu etylowego oraz diodometanu. Kąty zwilżania określono za pomocą pomiaru osadzonych kropli na powierzchni cienkich warstw. Wyniki pokazały, że wytworzone cienkie warstwy ITO o grubościach 280, 200 oraz 100 nm były hydrofobowe, podczas gdy warstwa ITO o grubości 50 nm wykazała właściwości hydrafilowe. Kąt zwilżania wynosił około 105° dla próbek o grubościach 100, 200 oraz 280 nm. W wypadku próbki ITO o grubości 50 nm kąt zwilżania zmniejszył się o 30% (do 75°). Zbadano również wpływ grubości warstw ITO na składową dyspersyjną i polarną energii powierzchniowej. Analiza wolnej energii powierzchniowej potwierdziła, że próbki z niższą energią powierzchniową odznaczają się wyższymi kątami zwilżania.

15

Study of structural and optical properties of TiO2:Tb thin films prepared by high energy reactive magnetron sputtering method

Domaradzki J., Kaczmarek D., Prociow E. L., Wojcieszak D., Sieradzka K., Mazur M., Lapinski M.

Optica Applicata

|

2009

|

Vol. 39, nr 4

815-823

EN

This work is focused on structural and optical properties of TiO2 thin films doped with different amount of terbium. The thin films have been prepared by high energy reactive magnetron sputtering (HE RMS) and by low pressure hot target reactive magnetron sputtering (LP HTRS) processes. Thin films were deposited from mosaic, metallic Ti-Tb target sputtered under oxygen plasma (without argon) at a pressure below 10-1 Pa. Structural examinations show nanocrystalline nature of prepared thin films with either anatase or rutile phases depending on concentration of Tb 0.4 at.% and 2.6 at.%, respectively. The phase transformation from the anatase to the rutile has not been observed after additional post-deposition annealing even at the temperature up to 1000 K. Based on investigations performed with the help of atomic force microscope high nanocrystalline, close-packed structure has been found. Studies of refraction index revealed higher value for the thin films prepared by the HE RMS than by the LP HTRS methods.

16

Evaluation of electrical properties of Eu and Pd-doped titanium dioxide thin films deposited on silicon

Prociow E. L., Domaradzki J., Kaczmarek D., Sieradzka K., Michalec B.

Materiały Elektroniczne

|

2008

|

T. 36, nr 4

149-156

EN

In this work, investigations of electrical properties of Eu and Pd-doped TiO2 thin films have been outlined. Our previous studies [4, 6] of Eu and Pd-doped TiO2, have shown the nanocrystalline structure and high transparency in visible region (about 70%). Now, it has been shown that by incorporation of Pd and Eu dopants into TiO2 matrix, its properties can be modified so as to obtain simultaneously electrically and optically active oxide-semiconductor with specified type of electrical conduction at room temperature. Pd dopant changes the electrical properties of TiO2 from dielectric oxide to conducting oxide. Samples were examined by means of theromelectrical, current-voltage (I-V), transient photovoltage and optical beam induced current OBIC (Optical Beam Induced Current). I-V measurements showed formation of electrical junctions at the interface of semiconducting thin films of metal oxides and silicon substrate (TOS-Si). The presence of build-in potential has been confirmed by OBIC through created maps of photocurrent distribution generated in the active areas of prepared TOS-Si heterojunctions.

PL

W niniejszej pracy przedstawiono badanie właściwości elektrycznych cienkich warstw TiO2 domieszkowanych Eu i Pd. Pokazano, że wprowadzenie domieszki Eu i Pd do matrycy TiO2 modyfikuje jej właściwości, pozwala otrzymać cienkie warstwy elektrycznie i optycznie aktywne. Dodatkowo, wytworzone tlenki posiadają określony typ przewodnictwa elektrycznego w temperaturze pokojowej. Decydujący wpływ na właściwości elektryczne matrycy TiO2 miała domieszka Pd, która umożliwiła zmianę właściwości cienkich warstw dielektrycznych na półprzewodnikowe. Próbki badano za pomocą charakterystyk termoelektrycznych, charakterystyk prądowo-napięciowych (I-V) oraz metodą OBIC. Na podstawie pomiarów I-V zaobserwowano formowanie się złącza na granicy przezroczysty tlenek półprzewodnikowy-podłoże krzemowe (TOS-Si). Mapy rozkładu fotoprądu generowanego w obszarach aktywnych wytworzonego heterozłącza TOS-Si potwierdziły obecność potencjału wbudowanego.

17

Optical and electrical properties of TiO2 doped with Tb and Pd

Domaradzki J., Kaczmarek D., Prociow E. L., Borkowska A., Berlicki T., Sieradzka K.

Materials Science Poland

|

2008

|

Vol. 26, No. 1

143--147

EN

Optical and electrical properties of TiO2 doped with 0.6 at. % Tb and 9 at. % Pd have been investigated. Thin films were deposited by low pressure hot target reactive sputtering from a metallic Ti-Tb-Pd mosaic target on silicon and glass substrates. Total concentration of Tb and Pd was determined using an energy disperse spectrometer. Optical properties were studied by means of optical transmission. It has been shown that Tb dopant does not make any significant changes in the transmission level. Pd dopant shifts the fundamental absorption edge of TiO2 towards longer wavelengths and decreases the transmission to about 40%. For electrical characterization of the prepared thin films, temperature dependent resistivity and current-voltage (I-V) characteristics have been examined. It has been shown that incorporation of Pd and Tb into TiO2 matrix modifies its properties allowing one to obtain p-type oxide-semiconductor electrically and optically active at room temperature. Additionally, based on I-V measurements, the formation of heterojunction at the interface of thin film-silicon was confirmed.

18

Wpływ składu materiałowego na przewodnictwo elektryczne cienkich warstw otrzymanych na bazie TiO2

Prociów E., Domaradzki J., Borkowska A., Kaczmarek D., Berlicki T., Adamiak B., Sieradzka K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 1

32-34

PL

Przedstawiono wpływ składników materiałowych na właściwości elektryczne cienkich warstw otrzymywanych na bazie TiO2. Wytwarzanie przepuszczalnych dla światła warstw o właściwościach półprzewodnikowych o zadanym typie przewodnictwa elektrycznego, jest podstawowym wymaganiem przy realizacji przyrządów z przezroczystymi złączami. Do wytwarzania cienkich warstw tlenków zastosowano zmodyfikowaną metodę rozpylania magnetronowego. Cienkie warstwy były nakładane na podłoża szklane, w atmosferze czystego tlenu z metalicznych, mozaikowych targetów: Ti-Pd, Ti-Co-Pd i Ti-V-Pd. Z termoelektrycznych pomiarów d.c. elektrycznej rezystywności (ρ dc) w zakresie temperatur od 300 do 500 K określono: wartość współczynnika Seebecka (S) i energia aktywacji (Wρ) oraz. omówiono mechanizmy przewodnictwa elektrycznego, zachodzące w wytworzonych warstwach tlenkowych.

EN

In this work, influence of composition on electrical conduction type of doped TiO2 thin films has been presented. Fabrication of transparent oxide semiconductors (TOSs) with a desired type of electrical conduction is a fundamental requirement in the realization of junction based transparent devices. For manufacturing thin film oxides modified magnetron sputtering was used. Thin films were deposited in stable oxygen plasma onto glass substrates from metallic mosaic targets: Ti-Pd, Ti-Co-Pd and Ti-V-Pd. From thermoelectrical measurements the d.c. electrical resistivity (ρ dc) from 300 K to 500 K, values of Seebeck coefficient (S) and the activation energies (Wρ) were determined and mechanisms of electric conduction in prepared thin films were discussed.

19

Optical emission from Eu, Tb, Nd luminescence centers in TiO2 prepared by magnetron sputtering

Kaczmarek D., Domaradzki J., Borkowska A., Podhorodecki A., Misiewicz J., Sieradzka K.

Optica Applicata

|

2007

|

Vol. 37, nr 4

433-438

EN

This work presents the results of optical emission from Eu3+, Tb3+ and Nd3+ luminescence centers in TiO2 thin films. Thin films were prepared by magnetron sputtering from metallic Ti-Eu, Ti-Tb, Ti-Nd targets, respectively. Optical properties were examined by means of photoluminescence and optical transmission measurements. The total content of dopants was analyzed using an energy disperse spectrometer. It has been shown that doping of TiO2 thin films using selected lanthanides results in the visible (Eu, Tb) and near-infrared (Nd) light emission, upon ultraviolet radiation. Additionally, transparency range and optical band gap of prepared thin films were determined, in comparison to pure TiO2.

20

Wsparcie finansowe działalności przedsiębiorstw w Polsce z unijnych funduszy strukturalnych

Sieradzka K.

Zeszyty Naukowe. Prace Instytutu Ekonomiki i Organizacji Przedsiębiorstw / Uniwersytet Szczeciński

|

2006

|

Nr 48, t. 1

325-336

EN

The paper discussed problem of EU structural funds absorption for small and medium sized companies in Poland in the first year of membership in the Community. First part of it considers goals, rules and instruments of structural and regional policy of European Union. This policy were realised by co-financing specified regional programmes and projects with the help of the structural funds and Cohesion Fund the development. In article were introduced SPO which were used to absorb this financial help to support companies economical activity.