PL
|
EN
Szukaj
Przeglądaj
Pomoc
O bazie
test
Preferencje
Polski
English
Język
Widoczny
[Schowaj]
Abstrakt
10
20
50
100
Liczba wyników
Tom - szczegóły
Adres strony
Kopiuj
Tytuł artykułu
Vol. 26, No. 1
Czasopismo
Materials Science Poland
Wydawca
De Gruyter
Rocznik
2008
Identyfikatory
Zawartość wolumenu
Vol. 26, No. 1
artykuł:
CMOS evolution. Development limits
(
Jakubowski A.
,
Łukasiak L.
), s. 5--20
artykuł:
Isotropic effects in exchange-biased ferromagnetic /antiferromagnetic bilayers
(
Błachowicz T.
), s. 21--26
artykuł:
A new drain insulation design in GaAs SD-MAGFET
(
Boratyński B.
,
Kordalski W.
,
Ściana B.
,
Panek M.
,
Zborowska-Lindert I.
), s. 27--21
artykuł:
Properties and estimated parameters of a submicrometer HSDMAGFET
(
Kordalski W.
,
Boratyński B.
,
Panek M.
), s. 33--43
artykuł:
Band structure of In chains on Si(335)-Au
(
Skrobas K.
,
Zdyb R.
,
Kisiel M.
,
Jałochowski M.
), s. 55--61
artykuł:
Analysis of electrical equivalent circuit of metal-insulator-semiconductor structure based on admittance measurements
(
Kochowski S.
,
Szydłowski M.
,
Paszkiewicz R.
,
Paszkiewicz B.
), s. 63--69
artykuł:
Technology and properties of GaAs doping superlattices
(
Ściana B.
,
Radziewicz D.
,
Pucicki D.
,
Tłaczała M.
,
Sęk G.
,
Poloczek P.
,
Misiewicz J.
,
Kováč J.
,
Srnanek R.
,
Christofi A.
), s. 71--78
artykuł:
Influence of the deposition parameters of nucleation layer on the properties of thick gallium nitride layers
(
Prażmowska J.
,
Korbutowicz R.
,
Paszkiewicz R.
,
Szyszka A.
,
Podhorodecki A.
,
Misiewicz J.
,
Tłaczała M.
), s. 79--85
artykuł:
A(III)B(V) detectors with graded active region
(
Wośko M.
,
Paszkiewicz B.
,
Szyszka A.
,
Macherzyński W.
,
Radziewicz D.
,
Ściana B.
,
Paszkiewicz R.
,
Tłaczała M.
,
Sęk G.
,
Poloczek P.
,
Motyka M.
,
Misiewicz J.
), s. 87--94
artykuł:
Nanoscale heat transport
(
Bodzenta J.
), s. 97--103
artykuł:
Preparation of ultra-large-scale catalysts for catalytic vapour deposition of carbon nanotubes
(
Bachmatiuk A.
,
Kaleńczuk R. J.
,
Rümmeli M. H.
,
Gemming T.
,
Borowiak-Palen E.
), s. 105--111
artykuł:
Influence of substrate type and its placement on structural properties of TiO2 thin films prepared by the high energy reactive magnetron sputtering method
(
Kaczmarek D.
,
Prociow E. L.
,
Domaradzki J.
,
Borkowska A.
,
Mielcarek W.
,
Wojcieszak D.
), s. 113--117
artykuł:
Palladium nanocrystals and their properties
(
Czerwosz E.
,
Dłużewski P.
,
Kęczkowska J.
,
Kozłowski M.
,
Suchańska M.
,
Wronka H.
), s. 119--125
artykuł:
Application of multiwall carbon nanotubes to microfluidic systems
(
Cichy B.
,
Stręk W.
,
Dziuban J.
,
Górecka-Drzazga A.
), s. 127--134
artykuł:
SIMS depth profiling of thin boron nitride insulating films
(
Cwil M.
,
Firek P.
,
Konarski P.
,
Werbowy A.
), s. 135--141
artykuł:
Optical and electrical properties of TiO2 doped with Tb and Pd
(
Domaradzki J.
,
Kaczmarek D.
,
Prociow E. L.
,
Borkowska A.
,
Berlicki T.
,
Sieradzka K.
), s. 143--147
artykuł:
Comparative X-ray investigation of Ni/Cu systems heated in the 250-350 stC temperature range
(
Gągorowska B.
,
Kucharska B.
,
Duś-Sitek M.
,
Tokarz A.
), s. 149--155
artykuł:
Anisotropic strain relaxation and surface morphology related to asymmetry in the formation of misfit dislocations in InGaAs/GaAs heterostructures
(
Gelczuk Ł.
,
Dąbrowska-Szata M.
,
Serafińczuk J.
,
Masalska A.
,
Łusakowska E.
,
Dłużewski P.
), s. 157--166
artykuł:
Microstructure and magnetic properties of nanocrystalline Fe-based alloys
(
Hasiak M.
,
Miglierin M.
,
Kaleta J.
,
Zbroszczyk J.
,
Fukunaga H.
), s. 168--172
artykuł:
Submicron suspended structures based on A(III)B(V) epitaxial layers
(
Kramkowska M.
,
Szyszka A.
,
Ściana B.
,
Zubel I.
), s. 173--179
artykuł:
Structure of 310S steel-based Fe-Cr-Ni coatings
(
Kucharska B.
), s. 181--188
artykuł:
Application of flowable oxides in photonics
(
Lis S.
,
Dylewicz R.
,
Myśliwiec J.
,
Miniewicz A.
), s. 189--194
artykuł:
Application of microelectrodes for investigation of the oxygen electrode reaction in selected solid electrolytes
(
Raźniak A.
,
Tomczyk P.
), s. 195--206
artykuł:
Determination of indium and nitrogen content in four-component epitaxial layers of InxGa1-xAs1-yNy deposited on GaAs substrate
(
Serafińczuk J.
,
Kozłowski J.
), s. 207--212
artykuł:
Fabrication of thin metallic films by arc discharges under ultra-high vacuum conditions
(
Strzyżewski P.
,
Sadowski M. J.
,
Nietubyć R.
,
Rogacki K.
,
Paryjczak T.
,
Rogowski J.
), s. 213--220
artykuł:
Influence of the columnar structure of heteroepitaxial nitride layers on the transport of electrons
(
Szyszka A.
,
Paszkiewicz B.
,
Paszkiewicz R.
,
Tłaczała M.
), s. 221--227
artykuł:
Novel nanoporous organic-inorganic hybrid materials containing niobium
(
Walczak K.
,
Nowak I.
), s. 230--236
artykuł:
Rational design of NbMSU-X type nanoporous materials with desired textural properties
(
Feliczak A.
,
Nowak I.
), s. 238--244
artykuł:
Application of phase imaging and force modulation mode for description of dispersion of carbon nanotubes in polyol matrix
(
Woźniak M. J.
,
Ryszkowska J.
,
Szymborski T.
,
Chen G.
,
Tateishi T.
,
Kurzydłowski K. J.
), s. 245--253
artykuł:
Computer simulation of tuned and detuned GaInNAsSb QW VCSELs for long-wavelength applications
(
Gutowski K.
,
Sarzała R.. P.
), s. 459--467
rozwiń roczniki
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.