PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 12

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Formation of Ni/Si based ohmic contacts to n-type 4H-SiC
Adamus Z., Kuchuk A. V., Wzorek M., Barcz A., Kamiska E., Piotrowska A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 9
108-111
EN
Multilayered structure of Ni and Si on n-type 4H-SiC has been annealed in the rapid thermal processing (RTP) in the range of temperatures from 600...1050°C. To study an influence of the RTP on electrical and structural properties of samples several measurement techniques have been applied: current - voltage characteristics were stored, X-ray diffraction (XRD), transmission electron microscopy (TEM), Rutherford backscattering spectrometry (RBS), scanning electron microscopy (SEM), second ion mass spectroscopy (SIMS) and atomie force microscopy (AFM). Electrical measurements revealed a transition from rectifying to ohmic contacts after the RTP at T = 1050°C and the sample exhibits specific contact resistivity of 4.2·10⁻⁴Ωcm² with using the circular transmission line model (CTLM). The structural characterization disclosed a formation of nickel silicide phases after RTP. A reaction between the metallization and the surface is observed after RTP at T = 1050°C what coincides with the appearance of the ohmic contacts.
PL
Wielowarstwowe struktury składające się z niklu oraz krzemu były poddawane wygrzewaniom w szybkich procesach termicznym (RTP) w zakresie temperatur 600... 1050°C. Wpływ metody RTP przeprowadzanej w atmosferach azotu i argonu na własności elektryczne i strukturalne próbek został zbadany przy użyciu następujących technik pomiarowych: pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych (/ - V), dyfrakcja rentgenowska (XRD), mikroskopia sił atomowych (AFM), elektronowa mikroskopia transmisyjna (TEM), rozpraszanie wsteczne Rutherforda (RBS), elektronowa mikroskopia skaningowa (SEM), masowa spektroskopia jonów wtórnych (SIMS). Pomiary elektryczne wykazały powstawanie omowych kontaktów po procesie RTP w temperaturze 1050°C. Zastosowanie metody CTLM pozwoliło wyznaczyć rezystywność uzyskanych kontaktów, której najniższa wartość wyniosła 4.2· 10⁻⁴Ωcm². Charakteryzacja strukturalna wykazała tworzenie się krzemków niklu po wygrzewaniu w 600°C. Zwiększanie temperatury wygrzewania skutkuje reakcją metalizacji z podłożem. Proces ten zachodzi jednocześnie ze zmianą własności elektrycznych próbek.
2
Determining the effective time intervals in the recurrent processes of identification of dynamic systems
Popov O., Barcz A., Piela P.
Metody Informatyki Stosowanej
|
2008
|
nr 4 (Tom 17)
195--202
EN
Using the mathematical models of dynamic objects in the simulation and modeling tasks we must pay attention to quality and speed of creation of those models. Depending on the amount of information about the considered object we can distinguish various tasks of model creation. One of the way of create model is using the identification methods. In case when we need the mathematical model of considered system while this system is operating it is necessary to use the recurrent algorithms of identification. Length of duration of the identification algorithm is specific a priori by the researcher. In the paper the way of using the singular value decomposition (SVD) in the identification equation for determining the effective time intervals of identification process is shown. It allows to determine the time of ending the identification algorithm.
3
Content available remote Magnetic properties of silicon crystals implanted with manganese
Osinniy V., Misiuk A., Szot M., Świątek K., Bąk-Misiuk J., Barcz A., Jung W., Prujszczyk M., Story T.
Materials Science Poland
|
2008
|
Vol. 26, No. 3
751--757
EN
The influence of thermal treatment on magnetic properties of Si/Mn crystals grown by the Czochralski and by floating zone methods and implanted with Mn+ ions was studied by the SQUID magnetometry and electron spin resonance. Depending on thermal and hydrostatic pressure annealing conditions, three groups of Si/Mn samples were found: samples with only ferromagnetic phase, samples with ferromagnetic and paramagnetic contributions, and diamagnetic samples. The Curie temperature of ferromagnetic phase exceeds room temperature. The ESR and SQUID measurements suggest that Si/Mn implanted layer is magnetically inhomogeneous.
4
Content available The role of fluorine-containing ultra-thin layer in controlling boron thermal diffusion into silicon
Kalisz M., Beck R. B., Barcz A., Ćwil M.
Journal of Telecommunications and Information Technology
|
2007
|
nr 3
25-29
EN
We have investigated the influence of silicon dioxide reactive ion etching (RIE) parameters on the composition of the polymer layer that is formed during this process on top of the etched layer, and finally, the role of this layer in high-temperature thermal diffusion of boron into silicon. The polymeric layer formed on the etched surface appeared to consist of fluorine and silicon fluoride (SiOF and SiF). Concentration of these components changes depending on the parameters of RIE process, i.e., rf power, gas pressure and etching time. The composition of this polymeric layer affects, in turn, boron thermal diffusion into silicon. With increasing rf power, the depth of boron junction is increased, while increasing time of etching process reduces boron diffusion into silicon.
5
Content available remote The controlled doping and structural homogeneity of CdHgTe epitaxial layers
Vlasov A., Bonchyk O., Fodchuk I. M., Zaplitnyy R., Barcz A., Świątek Z., Lityńska-Dobrzyńska L., Zięba P., Bielańska E., Guśpiel J.
Archives of Metallurgy and Materials
|
2007
|
Vol. 52, iss. 4
563-568
EN
X-ray diffraction methods as well as atomic force microscopy (AFM) and secondary ion mass spectroscopy (SIMS) were used to study the controlled doping and structural homogeneity of HgCdTe epitaxial layers. The investigated layers were obtained by the evaporation-condensation-diffusion (ECD) method in the process of isothermal growth. Two types of substrates for CdHgTe ECD growth were used: (110) and (111) CdTe monocrystals with As ion implanted surface layer at a dose of 1×1015cm-2 and an energy of 100 keV. Structural changes in damaged areas of CdTe crystals that arise at the ion beam implantation and the influence of radiation defects on the quality of obtained layers are analyzed.
PL
W badaniach kontrolowanego domieszkowania i jednorodności strukturalnej warstw epitaksjalnych CdHgTe wykorzystano metody dyfrakcji rentgenowskiej oraz mikroskopię sił atomowych i spektroskopię masową jonów wtórnych. Warstwy otrzymano metodą parowanie – kondensacja – dyfuzja w procesie wzrostu izotermicznego. Wykorzystano dwa typy podłoża: monokryształy CdTe o orientacji (110) i (111) poddane implantacji jonowej As o dozie 1×1015cm-2 i energii 100 keV. Przeprowadzono analizę zmian strukturalnych w uszkodzonych obszarach kryształów CdTe wywołanych przez implantację jonową oraz wpływu defektów radiacyjnych na jakość otrzymanych warstw.
6
Content available remote Effect of heat treatment at enhanced pressure on electrical and structural properties of silicon surface layer co-implanted with hydrogen and helium ions
Jung W., Misiuk A., Ratajczak J., Barcz A.
Opto-Electronics Review
|
2005
|
Vol. 13, No. 1
31--34
EN
Electrical and structural properties of silicon surface layer created by high pressure annealing of hydrogen and helium co-implanted silicon were investigated by current and capacitance measurements of Schottky barrier junction Hg-Si (mercury probe), cross-sectional transmission electron microscopy and SIMS analysis. The most striking result is finding that hydrogen and helium co-implantation leads to shallow donors generation and changes in the type of conductivity even for low concentration of oxygen in silicon. High pressure thermal anneals result in additional donor formation in the implanted silicon surface layer.
7
Content available remote Microstructure of Czochralski silicon co-implanted with helium and hydrogen and treated at high temperature and pressure
Misiuk A., Barcz A., Surma B., Bąk-Misiuk J., Wnuk A.
Opto-Electronics Review
|
2004
|
Vol. 12, No. 4
383-387
EN
The effect of high temperature (HT) up to 1400 K and high pressure (HP) up to 1.1 GPa on Cz-Si co-implanted with He⁺ (energy, E = 50 KeV, dose, DHe = 5x10¹⁶ cm⁻²) and H₂⁺ (E = 135 KeV, DH 5x10¹⁶ cm⁻²), with almost overlapping implantation- disturbed layers, has been investigated. Numerous extended defects are created at HT and HP near the He and H concentration peaks, the overall structural perfection of annealed Si:He,H improves with HP. Oxygen gettering in the implantation- disturbed areas is much less pronounced under HP. The observed effects are related, among others, to decreased hydrogen out-diffusion and lowered dimensions of gas filled defects in Si:He,H treated under HP. Qualitative explanation of HP-mediated gettering of oxygen has been proposed.
8
Content available Badania właściwości warstwy fosforanowej na powierzchni tytanu wytworzonej metodą IBAD
Baszkiewicz J., Krupa D., Rajchel B., Barcz A., Sobczak J. W., Biliński A.
Inżynieria Biomateriałów
|
2001
|
R. 4, nr 13
21-25
PL
W pracy przedstawiono wstępne wyniki badań odporności korozyjnej tytanu pokrytego warstwą fosforanową uzyskaną metodą IBAD. Badania składu chemicznego uzyskanej warstwy prowadzono następującymi metodami: RBS, PIXE, SIMS i XPS. Badania odporności korozyjnej były prowadzone metodami elektrochemicznymi w roztworze symulującym płyn ustrojowy (SBF) w temperaturze pokojowej. Próbki przed pomiarami elektrochemicznymi eksponowano w warunkach badań przez 13h. Wyniki badań SIMS wskazują, że na powierzchni tytanu powstaje zewnętrzna warstwa zawierająca wapń, tlen i fosfor. Pod zewnętrzną warstwą istnieje warstwa przejściowa, którą tworzą zaimplementowane w powierzchnię tytanu jony wapnia. Grubość uzyskanych warstw zależy od czasu osadzania. Analiza XPS wskazuje, że w uzyskanej warstwie istnieją fosforany oraz tlenek lub wodorotlenek wapnia. Na podstawie badań elektrochemicznych stwierdzono, że odporność korozyjna badanych próbek zależy od czasu formowania warstwy.
EN
The paper presents preliminary results of concerning the corrosion resistance of titanium coated with a phosphate layer produced by the IBAD method. Chemical composition of the layer was determined using the RBS, PIXE, SIMS and XPS methods. The corrosion resistance was measured electrochemically in a simulated body fluid (SBF) at room temperature. Prior to the measurements, the samples were exposed to the test conditions for 13 h. The SIMS analysis indicates that the layer formed on the titanium surface contains calcium, oxygen and phosphorus. Beneath there is a transition zone, formed by calcium ions implanted into the titanium surface. Thickness of the phosphate layer depends on coating formation time. The XPS analysis shows that the coating contains phosphates and calcium oxide or hydroxide. Electrochemical examinations indicate that corrosion resistance of the samples depends on coating formation time.
9
Wzrost epitaksjalny i właściwości warstw poczwórnych na bazie GaSb
Piskorski M., Papis E., Gołaszewska K., Piotrowski T. T., Piotrowska A., Barcz A., Zieliński M., Adamczewska J., Sawicki M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2001
|
Vol. 42, nr 8-9
29-31
EN
Quaternary compounds grown on GaSb substrates are very attractive materials for IR applications. Ga1-xJnxASySb1-y are used as active layers in emitters and detectors, for mid infrared region, whereas Ga1-xAlxASySb1-y compounds are usefull materials for low refractive index cladding layers in DH lasers and for wide gap window layer in photodetectors operating at wavelengths up to 2,4 um. Among various techniques of growing epitaxial layers of III—V semiconductors, liquid phase epitaxy (LPE) still remains interesting method due to its simplicity and satisfactory results.
10
Content available remote Wpływ implantacji jonów wapnia, fosforu oraz wapnia i fosforu na odporność korozyjną i biozgodność tytanu
Krupa D., Baszkiewicz J., Kozubowski J., Barcz A., Szumieł M., Sobczak J., Biliński A., Rajchel B.
Problemy Eksploatacji
|
2000
|
nr 2
163-171
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań wpływu implantacji jonów wapnia, fosforu oraz wapnia i fosforu (dawka 1x10¹7; jonów/cm²) na odporność korozyjną i biozgodność tytanu. Badania odporności korozyjnej prowadzono metodami elektrochemicznymi w roztworze symulującym płyn ustrojowy (SBF) w temeraturze 37 °C. W celu określenia składu chemicznego warstw powierzchniowych stosowano metody SIMS i XPS natomiast w celu określenia struktury metodę TEM. Stwierdzono wzrost odporności korozyjnej tytanu po implantacji jonami fosforu oraz wapnia i fosforu. Implantacja jonami wapnia powoduje wzrost odporności na korozję w warunkach stacjonarnych, natomiast podczas polaryzacji anodowej próbki implantowane jonami wapnia ulegają korozji wżerowej. Stwierdzono, że tworzące się podczas ekspozycji fosforany wapnia nie wpływają na odporność korozyjną tytanu. Wyniki badań biozgodności wykazały, że tytan implantowany jonami Ca, P oraz Ca + P może być stosowany przy rekonstrukcji tkanki kostnej.
EN
This work presents data on the corrosion resistance of titanium after Ca and/or P ion implantation with a dose 10¹7;/cm². The Ca+, P+ ion energy was 25 KeV. The corrosion resistance was examined by electrochemical methods in simulated body fluid at a temperature of 27°C. Transmission electron microscopy (TEM) was used to investigate the microstructure of implanted layers. The chemical composition of the surface layers was examined by XPS and SIMS. The results of electrochemical examination indicate that the P and Ca + P ion implantation in to the surface of titanium increases its corrosion resistance. Samples implanted with Ca showed pitting corrosion during anodic polarization. The breakdown potentials measured are high (2.5 to 3 V). All results obtained in the experiments confirm biocompatibility of titanium tested in contact with osteoblasts in vitro. It can be concluded that titanium implanted with Ca, P and Ca + P may be promising biomaterials for bone tissue reconstruction.
11
Content available remote Effect of nitrogen, carbon and oxygen ion imlantation on the structure and corrosion resistance of OT-4-0 titanium alloy
Krupa D., Baszkiewicz J., Jezierska E., Kozubowski J., Barcz A.
Nukleonika
|
1999
|
Vol. 44, nr 2
207-216
EN
This work presents the data on the properties of the surface layer of OT-4-0 titanium alloy after ion implantation. Polished samples were implanted with nitrogen doses of 1x1016, 1x1017, 6x1017 and 1x1018N+/cm2, carbon doses 5x1015, 1x1016, 1x1017 and 2x1017C+/cm2and oxygen doses 5x1016, 1x1017, 5x1017 and 1x1018O+/cm2. The corrosion resistance was examined by electrochemical methods in 0.9% NaCl at the temperature 37oC or in 3% NaCl at the temperature 20oC. The transmission electron microscopy was used to investigate the microstructure of implanted layers formed on OT-4-0. The chemical composition of the surface layers was examined by the secondary ion mass spectroscopy (SIMS). The increase of corrosion resistance has been observed as a result of structural modification of the surface layer.
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań wpływu implantacji jonów azotu, węgla, tlenu na odporność korozyjną oraz strukturę warstwy powierzchniowej powstałej na stopie tytanu OT-4-0 w wyniku implantacji. W powierzchnię próbek implantowano jony azotu stosując dawki: 1x1016, 1x1017, 6x1017 i 1x1018N+/cm2, węgla stosując dawki 5x1015, 1x1016, 1x1017 i 2x1017C+/cm2 i tlenu stosując dawki 5x1016, 1x1017, 5x1017 i 1x1018O+/cm2. Badania odporności korozyjnej w nieodpowietrzonym roztworze 0,9% NaCI w temperaturze 37°C lub w 3% NaCI w temperaturze 20°C prowadzono metodami elektrochemicznymi. Badanie strukturalne wykonano za pomocą TEM. Skład chemiczny warstw powierzchniowych określono metodą SIMS. Stwierdzono wzrost odporności korozyjnej po implantacji. Zmiany odporności korozyjnej powiązano ze zmianą struktury warstwy powierzchniowej.
12
Deposition and properties of refractory metallic films for diffusion barrier applications in Au-based metallizations to III-V semiconductors
Kamińska E., Piotrowska A., Guziewicz M., Gołaszewska K., Barcz A., Turos A., Mizera E., Adamczewska J., Rouvimov S., Liliental-Weber Z., Bremser M. D., Davis R. F.
Electron Technology
|
1999
|
Vol. 32, No. 4
304-326
EN
We present a comprehensive investigation of titanium, tungsten and zirconium nitrides and borides as diffusion barriers in Au-based ohmic contracts to III-V semiconuctors, including GaAs, InP, GaSb and GaN. Thin films of refractory metallic compounds were deposited using sputtering methods. The resistivity and mechanical properties of these films were optimized by adjusting the deposition parameters such as power, substrate bias and gas pressure. Characterization of barrier layers included determination of thier microstructure and chemical reactivity towards III-V semiconductors. Complete metallization, with Au(Zn) ohmic contact metallization and Au overlayer has ben used as a model in the study of the effectiveness of barrier layers.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.