Journal of Telecommunications and Information Technology - Tom nr 3 (2007) - BazTech - Yadda

Tom - szczegóły

Tytuł artykułu

nr 3

Czasopismo

Journal of Telecommunications and Information Technology

Wydawca

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy

Rocznik

2007

Identyfikatory

Zawartość wolumenu

nr 3
- artykuł: Applying shallow nitrogen implantation from rf plasma for dual gate oxide technology (Bieniek T., Beck R. B., Jakubowski A., Głuszko G., Konarski P., Ćwil M.), s. 3-8
- artykuł: Composition and electrical properties of ultra-thin SiOxNy layers formed by rf plasma nitrogen implantation/plasma oxidation processes (Bieniek T., Beck R. B., Jakubowski A., Konarski P., Ćwil M., Hoffman P., Schmeißer D.), s. 9-15
- artykuł: The influence of annealing (900?C) of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers (Mroczyński R., Głuszko G., Beck R. B., Jakubowski A., Ćwil M., Konarski P., Hoffman P., Schmeißer D.), s. 16-19
- artykuł: Comparison of composition of ultra-thin silicon oxynitride layers' fabricated by PECVD and ultrashallow rf plasma ion implantation (Mroczyński R., Bieniek T., Beck R. B., Ćwil M., Konarski P., Hoffman P., Schmeißer D.), s. 20-24
- artykuł: The role of fluorine-containing ultra-thin layer in controlling boron thermal diffusion into silicon (Kalisz M., Beck R. B., Barcz A., Ćwil M.), s. 25-29
- artykuł: Oxidation kinetics of silicon strained by silicon germanium (Grabowski J., Beck R. B.), s. 30-32
- artykuł: Influence of the deposition process parameters on electronic properties of BN films obtained by means of RF PACVD (Firek P., Werbowy A., Szmidt J., Kwietniewski M.), s. 33-36
- artykuł: Correlation between electric parameters of carbon layers and their capacity for field emission (Gronau R.), s. 37-38
- artykuł: Investigations of electron emission from DLC thin films deposited by means of RF PCVD at various self-bias voltages (Jarzyńska D., Znamirowski Z., Cłapa M., Starga E.), s. 39-43
- artykuł: Ellipsometric spectroscopy studies of compaction and decompaction of Si-SiO2 systems (Rzodkiewicz W., Panas A.), s. 44-48
- artykuł: Investigation of barrier height distributions over the gate area of Al-SiO2-Si structures (Piskorski K., Przewłocki H. M.), s. 49-54
- artykuł: Electrical characterization of ISFETs (Tomaszewski D., Yang C. M., Jaroszewicz B., Zaborowski M., Grabiec P., Pijanowska D.), s. 55-60
- artykuł: Charge-pumping characterization of SOI devices fabricated by means of wafer bonding over pre-patterned cavities (Głuszko G., Łukasiak L., Kilchytska V., Chung T. M., Olbrechts B., Flandrie D., Raskin J. P.), s. 61-66
- artykuł: Characterization of SOI MOSFETs by means of charge-pumping (Głuszko G., Szostak S., Gottlob H., Lemme M., Łukasiak L.), s. 67-72
- artykuł: Charge-pumping characterization of FILOX vertical MOSFETs (Głuszko G., Łukasiak L., Ashburn P.), s. 73-77
- artykuł: Arbitrary waveform generator for charge-pumping (Iwanowicz M., Pióro Z., Łukasiak L., Jakubowski A.), s. 78-83
- artykuł: Electron mobility and drain current in strained-Si MOSFET (Walczak J., Majkusiak B.), s. 84-87
- artykuł: Modeling of the inverse base width modulation effect in HBT transistor with graded SiGe base (Zaręba A., Łukasiak L., Jakubowski A.), s. 88-92
- artykuł: Comparison of 4H-SiC and 6H-SiC MOSFET I-V characteristics simulated with Silvaco Atlas and Crosslight Apsys (Stęszewski J., Jakubowski A., Korwin-Pawlowski M. L.), s. 93-95
- artykuł: Monte Carlo method used for a prognosis of selected technological parameters (Langer M.), s. 96-100
- artykuł: The influence of yield model parameters on the probability of defect occurrence (Rakowski M., Pleskacz W. A.), s. 101-104
- artykuł: Optical interconnections in future VLSI systems (Tosik G., Lisik Z., Gaffiot F.), s. 105-108
- artykuł: Optimization of an integrated optical crossbar in SOI technology for optical networks on chip (Kaźmierczak A., Drouard E., Bri`ere M., Rojo-Romeo P., Letartre X., O'Connor I., Gaffiot F., Lisik Z.), s. 109-114

rozwiń roczniki

JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.