Opto-Electronics Review - Tom Vol. 12, No. 4 (2004) - BazTech - Yadda

Tom - szczegóły

Tytuł artykułu

Vol. 12, No. 4

Czasopismo

Opto-Electronics Review

Wydawca

Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Polska Akademia Nauk
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego

Rocznik

2004

Identyfikatory

Zawartość wolumenu

Vol. 12, No. 4
- artykuł: GaN grown in polar and non-polar directions (Liliental-Weber Z., Jasiński J., Zakharov D.), s. 339-346
- artykuł: Quantitative mobility spectrum analysis (QMSA) in multi-layer semiconductor structures (Antoszewski J., Faraone L.), s. 347-352
- artykuł: In-depth and in-plane profiling of light emission properties from semiconductor-based heterostructures (Godlewski M., Wojtowicz T., Goldys E. M., Phillips M. R., Czernecki R., Prystawko P., Leszczynski M., Perlin P., Grzegory I., Porowski S., Bottcher T., Figge S., Hommel D.), s. 353-359
- artykuł: Surface emitting quantum cascade lasers (Pflügl C., Austerer M., Schrenk W., Golka S., Strasser G.), s. 361-363
- artykuł: Growth and scintillation propertiesof Ce-doped PrF₃ single crystals (Kamada K., Yoshikawa A., Satonaga T., Sato H., Beitlerova A., Nikl M., Solovieva N., Fukuda T.), s. 365-368
- artykuł: Spatial separation of recombining carriers within nitride GaN/(AlGa)N quantum wells induced by piezoelectric phenomena (Galczak J., Sarzała R. P., Nakwaski W.), s. 369-376
- artykuł: Influence of defect traps and inhomogeneities of SiC crystals and radiation detectors on carrier transport (Kažukauskas V., Vaitkus J. V.), s. 377-382
- artykuł: Microstructure of Czochralski silicon co-implanted with helium and hydrogen and treated at high temperature and pressure (Misiuk A., Barcz A., Surma B., Bąk-Misiuk J., Wnuk A.), s. 383-387
- artykuł: Anticipated performance characteristics of possible InP-based vertical-cavity surface-emitting diode lasers for the third-generation 1.55-µm optical fibre communication systems (Macegoniuk S., Sarzała R. P., Nakwaski W.), s. 389-397
- artykuł: Carrier transport in GaN single crystals and radiation detectors investigated by thermally stimulated spectroscopy (Kažukauskas V., Vaitkus J. V.), s. 399-403
- artykuł: Linear and nonlinear optical properties of Zn 1-xMgxSe layers grown by MBE and PLD methods (Derkowska B., Wojdyła M., Płóciennik P., Sahraoui B., Bała W.), s. 405-409
- artykuł: An attempt to design room-temperature-operated nitride diode VCSELs (Maćkowiak P., Sarzała R., Wasiak M., Nakwaski W.), s. 411-416
- artykuł: Generation-recombination effects in high temperature HgCdTe heterostructure photodiodes (Jóźwikowska A., Jóźwikowski K., Rutkowski J., Orman Z., Rogalski A.), s. 417-428
- artykuł: Photoluminescence, optical transmission and reflection of Alq₃ layers obtained by thermal evaporation deposition (Dalasiński P., Łukasiak Z., Rębarz M., Wojdyła M., Bratkowski A., Bała W.), s. 429-434
- artykuł: Photoreflectance and photoluminescence of thick GaN layers grown by HVPE (Kudrawiec R., Korbutowicz R., Paszkiewicz R., Syperek M., Misiewicz J.), s. 435-439
- artykuł: Exciton energies and probability of their radiative decay in GaN/AIN quantum structures (Tchelidze T., Kereselidze T.), s. 441-443
- artykuł: Photoluminescence characterization of vacuum deposited PTCDA thin films (Bała W., Łukasiak Z., Rębarz M., Dalasiński P., Bratkowski A., Bauman D., Hertmanowski R.), s. 445-448
- artykuł: Experimental investigation of the anisotropy of quadratic electrooptic effect in ADP (Ledzion R., Izdebski M., Bondarczuk K., Kucharczyk W.), s. 449-451
- artykuł: MOCVD growth of Hg₁₋xCdxTe heterostructures for uncooled infrared photodetectors (Piotrowski A., Madejczyk P., Gawron W., Kłos K., Romanis M., Grudzień M., Piotrowski J., Rogalski A.), s. 453-458
- artykuł: Temperature dependence of the electrooptic coefficients r ₂₂ and m ₂₂ in LiNbO₃ (Górski P., Bondarczuk K., Kucharczyk W.), s. 459-461

rozwiń roczniki

JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.