PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Fotowoltaika w Bułgarii
Szymczuk D., Gembarzewski O., Gołyga A., Zdrojewska A.
Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Budownictwo i Inżynieria Środowiska
|
2012
|
z. 59, nr 2/II/II
763--768
PL
Bułgaria jest krajem, posiadającym bardzo dobre warunki usłonecznienia. Dzięki temu stała się atrakcyjnym krajem dla inwestycji w energetykę słoneczną. Przystępne dla inwestorów prawo energetyczne sprawia, że w ostatnim czasie kraj ten wysunął się na czoło państw europejskich w dynamice rozwoju fotowoltaiki. W niniejszej pracy scharakteryzowano rozwój tego sektora.
EN
Bulgaria is a country with very good insolation conditions. This allowed to be an attractive country for investment in solar energy. Energy law accessible for investors makes that recently this country has moved forward to the forefront of European countries in the dynamics of photovoltaic development. This work characterizes the development of this sector.
2
Content available remote Badania kinetyki wzrostu krzemowych warstw lateralnych w gradientowym polu temperaturowym dla struktur baterii słonecznych
Olchowik J. M., Jóźwik I., Gułkowski S., Cieślak K., Szymczuk D., Zdyb A.
Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Budownictwo i Inżynieria Środowiska
|
2008
|
z. 47 [252]
309-320
PL
Praca poświęcona jest analizie wytwarzania cienkowarstwowych krzemowych warstw lateralnych dla zastosowań fotowoltaicznych. Zjawisko konwersji energii słonecznej odbywa się zazwyczaj w niewielkiej przypowierzchniowej części półprzewodnikowych struktur krystalicznych. Zatem dla celów użytecznych wykorzystywana jest zaledwie niewielka część materiału, natomiast znaczna jego część stanowi jedynie podstawę konstrukcyjną ogniwa słonecznego. Z uwagi na niski współczynnik absorpcji światła słonecznego dla Si, umieszczenie cienkiej krzemowej warstwy lateralnej pomiędzy dwoma dielektrykami daje możliwość zwielokrotnienia drogi optycznej fotonów, a tym samym pozwala konstruować wysokowydajne cienkowarstwowe struktury baterii słonecznych. Podstawową zaletą warstw lateralnych jest uniezależnienie struktury ich defektów od defektów podłoża. Zatem takie rozwiązanie pozwala stosować w technologiach fotowoltaicznych podłoża o słabej jakości, a więc czynić cały proces wytwarzania baterii słonecznych bardziej ekonomicznym. Badania kinetyki wzrostu krzemowych warstw lateralnych były prowadzane w różnych warunkach, z wykorzystaniem techniki epitaksji z fazy ciekłej (LPE) w wariancie poziomym i pionowym.
EN
This work presents an analysis of crystallization of the epitaxial lateral layers (ELO) for photovoltaic applications. Usually, main part of photovoltaic conversion is realized near surface of crystalline structures of semiconductors, therefore it needs only a little part of material. Because of very weak coefficient of light absorption in silicon, the thin ELO layer, placed between two dielectric coverings, gives the possibility of multiplications of optical way of photons and allows fabricating the Si solar cells by means of the thin films technology. The main advantage of such approach is the fact that the masking film prevents from the defects propagation present in substrate into the ELO layer. Such a method of crystallization allows using the poor quality substrate in application to many electronic devices, especially for solar cells, diminishing the costs of their production. The investigated Si-ELO layers were grown in various conditions: using standard horizontal LPE apparatus as well as vertical one with the temperature gradient.
3
Content available remote Monitoring i optymalizacja wykorzystania energii solarnej w Politechnice Lubelskiej
Olchowik J., Gułkowski S., Cieślak K., Jóźwik I., Adamczyk J., Tomaszewski R., Szymczuk D., Banaś J., Zabielski K., Mucha J.
Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Budownictwo i Inżynieria Środowiska
|
2006
|
z. 40 [229]
371-376
PL
W pracy przedstawiono wyniki dwuletniej analizy funkcjonowania systemu solarnego Instytutu Fizyki Politechniki Lubelskiej. System ten wykorzystuje równocześnie dwa rodzaje konwersji - fototermiczną i fotowoltaiczną. Do analizy wykorzystano autorski system monitoringu.
EN
This work presents two years analysis of functioning of solar system in Institute of Physics of Lublin University of Technology. This system uses two types of solar energy conversion - phototermal and photovoltaic. The original system of monitoring was used.
4
Content available remote Analysis of temperature influence on the monocrystalline silicon solar cells efficiency under the south-easterly Poland conditions
Olchowik J. M., Gułkowski S., Cieślak K. J., Banaś J., Jóźwik I., Szymczuk D., Zabielski K., Mucha J., Zdrojewska M., Adamczyk J., Tomaszewski R.
Materials Science Poland
|
2006
|
Vol. 24, No. 4
1127--1132
EN
Recently, solar energy conversion has become a very actual item, especially when the world faces problems of petroleum supply and there has been a growing demand for using renewable energy sources. In this situation an important question araises how to use solar energy optimally. The quantum efficiency of solar cells depends on many factors: temperature, insolation, spectral characteristics of sunlight, etc. Some of these factors may be changed during exploitation of solar systems in order to increase their efficiency. The paper reports on the influence of temperature on the work efficiency of monocrystaline photovoltaic modules in hybrid solar systems in the conditions of south-eastern Poland.
5
Content available remote Analysis of crystallisation of GaAs/Si heterostructures
Olchowik J. M., Zdyb A., Szymczuk D., Mucha J., Zabielski K., Sadowski W., Mucha M.
Opto-Electronics Review
|
2000
|
Vol. 8, No. 4
393-397
EN
Analysis of influence of interface atom layout on the possibilities of GaAs thin layers and silicon substrates coupling obtained from liquid phase is presented. Significant lattice mismatch between Si and A III B V crystals as well as significant difference in sizes of atoms of adjoining structures may cause instability of interface on a stage of their mutual exposition. The main aim of this work is to find such configurations of atoms near the interface, which minimise a value of the coupling energy. The authors present a model of atoms interactions, based on the Morse potential. There was also elaborated an algorithm of numerical calculations of the total energy of interactions between the atoms near the interface as a function of substrate orientation.
6
Analysis of the interface energy in GaInPAs/Si structures during liquid phase epitaxy
Olchowik J. M., Zdyb A., Szymczuk D., Mucha J., Zabielski K., Sadowski W., Mucha M.
Electron Technology
|
1998
|
Vol. 31, No. 3/4
354-357
EN
This paper presents the numerical analysis of the dependence of pseudopotential energy on substrate orientation for AIIIBV compounds on Si substrate. The aim on this work was to find optimal coupling conditions of such heterostructurtes during liquid phase epitaxy. The structures of this type can be used to modern fotovoltaic device fabrication.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.