Opto-Electronics Review - Tom Vol. 8, No. 4 (2000) - BazTech - Yadda

Tom - szczegóły

Tytuł artykułu

Vol. 8, No. 4

Czasopismo

Opto-Electronics Review

Wydawca

Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Polska Akademia Nauk
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego

Rocznik

2000

Identyfikatory

Zawartość wolumenu

Vol. 8, No. 4
- artykuł: Recent advances in understanding of a-Si:H based materials and performance of their solar cells (Wroński C. R., Jiao L., Koval R., Collons R. W.), s. 275-279
- artykuł: Fabrication of large area photovoltaic devices containing various blends of polymer and fullerene derivatives by using the doctor blade technique (Padinger F., Brabec C. J., Fromherz T., Hummelen J. C., Sariciftci N. S.), s. 280-283
- artykuł: Long term stability of dye-sensitised solar cells for large area power applications (Kern R., Van der Burg N., Chmiel G., Ferber J., Hasenhindl G., Hinsch A., Kinderman R., Kroon J., Meyer A., Meyer T., Niepmann R., Van Roosmalen J., Schill C., Sommeling P., Spath M., Uhlendorf I.), s. 284-288
- artykuł: Modelling of thyristor-like thin-film solar cell and simulations under different solar radiation intensities (Brecl K., Smole F., Furlan J.), s. 289-291
- artykuł: Quantum chemical models of defects in thin silicon films (Dzelme J., Zapol B. P., Misiuk A.), s. 292-294
- artykuł: Quantitative study of solar cells based on Cu-In-S based absorber layers grown by the CISCuT - process (Degrave S., Burgelman M., Nollet P.), s. 295-298
- artykuł: Advanced concepts of industrial technologies of crystalline silicon solar cells (Szlufcik J., Duerinckx F., Horzel J., Van Kerschaver E., Einhaus R., De Clercq K., Dekkers H., Nijs J.), s. 299-306
- artykuł: Rear passivation of thin multicrystalline silicon solar cells (Bowden S., Duerinckx F., Szlufcik J., Nijs J.), s. 307-310
- artykuł: Silicon surface texturing by reactive ion etching (Dekkers H. F. W., Duerinckx F., Szlufcik J., Nijs J.), s. 311-316
- artykuł: Combined thermal diffusion-ion implantation fabrication processing for silicon solar cells (Kreinin L., Bordin N., Eisenberg N., Grigorieva G., Zviagina K., Kagan M.), s. 317-322
- artykuł: Structural disturbances of near-surface areas in silicon solar cell modified by P+ ion implantation and thermal treatment (Bonarski J. T., Zehetbauer M., Swiatek Z., Fodchuk I. M., Kopacz I., Bernstorff S., Amenitsch H.), s. 323-327
- artykuł: Laser scanning of amorphous silicon photovoltaic modules with different bias conditions (Roschier S., Agostinelli G., Dunlop E. D.), s. 328-332
- artykuł: How to build a photovoltaic system (Markvart T., Arnold R. J., He W.), s. 333-338
- artykuł: Silicon thin film multijunction solar cells (Kołodziej A., Wroński C. R., Krewniak P., Nowak S.), s. 339-345
- artykuł: Reverse-bias DLTS for investigation of the interface region in thin film solar cells (Igalson M., Zabierowski P., Romeo A., Stolt L.), s. 346-349
- artykuł: Heterostructures GexSe₁-x/Si as a material for solar cells (Sheregii E. M., Pociask M. M., Tomaka G., Kąkol T., Pociask M. A.), s. 350-352
- artykuł: Application of stain etched porous silicon in c-Si solar cells (Dimova-Malinovska D.), s. 353-355
- artykuł: Design and application of autonomous data acquisition systems used as calibration and qualification tool in photovoltaics (Żdanowicz T., Roguszczak H.), s. 356-367
- artykuł: Independent photovoltaic system (Chojnacki J., Teneta J.), s. 368-371
- artykuł: Crystal growth and characterisation of In-rich phases in Cu-In-Ga-Se system (Filipowicz J. I., Bacewicz R., Wolska A.), s. 372-374
- artykuł: Electrical characterisation of CdTe/CdS photovoltaic devices (Wimbor M., Romeo A., Igalson M.), s. 375-377
- artykuł: Admittance measurements on CIGS solar cells (Kubiaczyk A., Nawrocka M., Igalson M.), s. 378-381
- artykuł: Nonlinear dependence of optical gap of a-Si₁-xGex:H films on Ge content (x<0.4) (Dimova-Malinovska D.), s. 382-384
- artykuł: Formation and relaxation of metastable defects in amorphous silicon (Pietruszko S. M., Kostana M.), s. 385-387
- artykuł: Photosensitive macroporous silicon based structures (Pačebutas V., Grigoras K., Jasutis V., Kačiulis S., Mickevičius S., Sabataityte J., Snitka V., Šimkiene I.), s. 388-392
- artykuł: Analysis of crystallisation of GaAs/Si heterostructures (Olchowik J. M., Zdyb A., Szymczuk D., Mucha J., Zabielski K., Sadowski W., Mucha M.), s. 393-397
- artykuł: Maximum power point tracking for PV generator feeding different DC motor drive systems (Kolano J., Filipek P., Niechaj M.), s. 398-401
- artykuł: Nitrogen containing diamond-like carbon films as protective and fluorescent layers for silicon solar cells (Litovchenko V. G., Klyui N. I., Kostylyov V. P., Gorbulik V. I., Piryatinskii Y. P.), s. 402-405
- artykuł: Silicon solar cells with antireflecting and protective coatings based on diamond-like carbon and silicon carbide films (KLyui N. I., Litovchenko V. G., Kostylyov V. P., Rozhin A. G., Gorbulik V. I., Voronkin M. A., Zaika N. I.), s. 406-409
- artykuł: Development of gettering processes for the preparation of the solar silicon material (Efremov A. A., Klyui N. I., Litovchenko V. G., Popov V. G., Romanyuk A. B., Romanyuk B. N.), s. 410-413
- artykuł: Porous silicon in solar cell structures (Yerokhov V., Melnyk I., Tsisaruk A., Semochko I.), s. 414-417
- artykuł: Influence of porous silicon on parameters of silicon solar cells (Lipiński M., Panek P., Bielańska E., Węgłowska J., Czternastek H.), s. 418-420
- artykuł: X-ray diffracting investigation of strain distribution in silicon implanted by phosphorus (Świątek Z., Bonarski J., Ciach R., Fodchuk I. M., Raransky M. D., Gimchinsky O. G.), s. 421-425
- artykuł: Modifications of post - implantation defects and their activity by annealing procedure (Kuznicki Z. T., Ley M., Holliger P.), s. 426-432

rozwiń roczniki

JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.