PL
|
EN
Szukaj
Przeglądaj
Pomoc
O bazie
test
Preferencje
Polski
English
Język
Widoczny
[Schowaj]
Abstrakt
10
20
50
100
Liczba wyników
Tom - szczegóły
Adres strony
Kopiuj
Tytuł artykułu
Vol. 31, No. 3/4
Czasopismo
Electron Technology
Wydawca
Institute of Electron Technology
Rocznik
1998
Identyfikatory
Zawartość wolumenu
Vol. 31, No. 3/4
artykuł:
Optical reflectivity of ultrathin Pb layers and the quantum size effect
(
Jałochowski M.
,
Stróżak M.
,
Zdyb R.
), s. 291-300
artykuł:
Optical absorption and photovoltaic spectra induced by excito resonance in GaAs/GaAlAs multiple quantum wells
(
Filipowicz J. I.
), s. 301-303
artykuł:
Wet and dry etching of GaSb/GaInAsSb photodiode heterostructures
(
Piotrowski T. T.
,
Papis E.
,
Guziewicz M.
,
Gołaszewska K.
,
Kamińska E.
,
Piotrowska A.
,
Andreev I. A.
,
Mikhailova M. P.
,
Kunitsyna E. V.
,
Yakovlev Y. P.
), s. 304-310
artykuł:
CdTe/Cd1-xMnxTe quantum structures investigated by photoreflectance spectroscopy
(
Sitarek P.
,
Misiewicz J.
,
Karczewski G.
,
Wójtowicz T.
,
Kossut J.
), s. 311-314
artykuł:
Transmission of low-energy electrons through Pb quantum well
(
Zdyb R.
,
Stróżak M.
,
Jałochowski M.
), s. 315-319
artykuł:
From metal-semiconductor junction to ternary alloy crystal
(
Guziewicz E.
,
Orłowski B. A.
,
Kowalski B. J.
,
Barrett N.
,
Belkhou R.
,
Radosavkic D.
,
Martinotti D.
,
Guillot C.
,
Lacharme J. P.
,
Sebenne C. A.
), s. 323-327
artykuł:
Sulfide passivation of GaAs surface
(
Szuber J.
,
Hollinger G.
,
Bergignat E.
), s. 328-337
artykuł:
Initial growth stage of CaF₂ on Si(111) studied by rheed
(
Daniluk A.
,
Mazurek P.
,
Paprocki K.
,
Mikołajczak P.
), s. 338-341
artykuł:
Investigations of layered semiconductors using photoreflectance
(
Kępińska M.
,
Nowak M.
,
Wilk E.
), s. 342-345
artykuł:
Influence of insulator-semiconductor interface parameters and bulk parameters on frequency dependence of GaAs mis conductance
(
Kochowski S.
), s. 346-350
artykuł:
Surface states on the real ZnTe and Zn₀.₇Mn₀.₃Te surface
(
Kuźmiński S.
,
Dziedzic J.
), s. 351-353
artykuł:
Analysis of the interface energy in GaInPAs/Si structures during liquid phase epitaxy
(
Olchowik J. M.
,
Zdyb A.
,
Szymczuk D.
,
Mucha J.
,
Zabielski K.
,
Sadowski W.
,
Mucha M.
), s. 354-357
artykuł:
Surface energy of semiconductors covered with thin layers of various materials
(
Zbroszczyk M.
,
Adamowicz L.
), s. 358-361
artykuł:
Local density of states of atom clusters on the Mo (110) surface
(
Stępień Z.
), s. 365-368
artykuł:
Vibrational states in a system of non-integral dimension
(
Gruhn W.
,
Bąk Z.
,
Jaroszewicz R.
), s. 369-372
artykuł:
The influence of the presence of high electric field on the nature of the interaction of hydrogen with nickel atoms and ions
(
Białek B.
), s. 373-375
artykuł:
Resonant electron transfer in ion/atom-metal surface interactions
(
Taranko E.
,
Taranko R.
), s. 376-380
artykuł:
RKKY interaction in the magnetic system of half-integer dimension
(
Bąk Z.
,
Jaroszewicz R.
,
Gruhn W.
), s. 381-383
artykuł:
Magnetic interlayer coupling in the position mass dependet system
(
Jaroszewicz R.
,
Bąk Z.
), s. 384-387
artykuł:
The perpendicular conductivity of thin layers
(
Chrzanowski J.
), s. 388-392
artykuł:
Nonspecular X-ray scattering from multilayers: Monte Carlo simulations
(
Chocyk D.
,
Gładyszewski G.
), s. 393-398
artykuł:
Optical properties of magnetron sputtered α-Si:H treated with a CO₂ laser
(
Grabowski A.
,
Nowak M.
), s. 401-404
artykuł:
Investigations of α-Si thin films using new technique of varible angle reflectometry (VAR)
(
Jaglarz J.
,
Nowak M.
), s. 405-408
artykuł:
Photoreflectance spectroscopy of strained Si1-xGex/Si epilayers
(
Sitarek P.
,
Misiewicz J.
,
Nauka K.
), s. 409-410
artykuł:
Some optical properties of amorphous In-Se thin films
(
Michalewicz A.
,
Jarząbek B.
,
Cisowski J.
,
Jurusik J.
,
Burian A. M.
,
Weszka J.
), s. 411-416
artykuł:
Optical and photoelectrical investigations of Ge20Se69Bi11 thin films
(
Kępińska M.
,
Nowak M.
,
Okuniewicz S.
,
Solecka B.
), s. 417-419
artykuł:
Determining of diffusion lenght of carrier in thin films of α-Si:H using sspg technique
(
Nowak M.
,
Starczewska A.
), s. 420-424
artykuł:
Optoelectronic properties controlled by an electric field in thin films
(
Olesik J.
,
Całusiński B.
,
Olesik Z.
), s. 425-428
artykuł:
The infuence of scattering effect on generated radiation of microchips
(
Ciosek J.
), s. 431-434
artykuł:
Sputtering of thin organic layers
(
Chatterjee R.
,
Riederer D. E.
,
Meserole C. A.
,
Winograd N.
,
Cyganik P.
,
Postawa Z.
), s. 435-439
artykuł:
Scanning probe microscopy of self-assembled organic monolayers
(
Cyganik P.
,
Korecki P.
,
Szymońska J.
,
Szymoński M.
,
Postawa Z.
), s. 440-446
artykuł:
Nonlinear optical investigations of the polymer sufaces modified by the UV-laser illumination.
(
Kityk I. V.
,
Makowska-Janusik M.
), s. 447-449
artykuł:
The infuence of heating of silicon glasses and aodic oxides on their electrophysical properties
(
Łoś S.
,
Waczyński K.
,
Wróbel E.
), s. 450-454
artykuł:
Electrical conduction in TMB-TCNQ polycrystalline films
(
Tkaczyk S. W.
), s. 455-460
artykuł:
DC conduction mechanisms in thin layers of 1.4-cis polybutadiene doped with sexiphenyl
(
Tkaczyk S. W.
), s. 461-467
artykuł:
Examination of physical and chemical properties of thin layers of arsenic-silicon glasses by means of an X-ray microprobe
(
Waczyński K.
,
Wróbel E.
,
Pruszowski Z.
,
Żelechower M.
), s. 468-471
artykuł:
Infuence of ambient gases on the optical properties of porous silicon layers
(
Ziemiański P.
,
Misiewicz J.
,
Kielski A.
), s. 472-474
artykuł:
Ion-beam modification of surface geometical properties of materials
(
Kowalski Z. W.
), s. 477-486
artykuł:
Application of principial component and factor analyses in electron spectroscopy
(
Siuda R.
,
Balcerowska G.
), s. 487-494
artykuł:
Atomic hydrogen gun for cleaning of GaAs surface
(
Girycki A.
,
Szuber J.
), s. 495-498
artykuł:
Statistical properties of ion pulse emission of natural inpurities from tungsten investigated at hight temperatures
(
Gładyszewski L.
,
Reszka A.
), s. 499-501
artykuł:
An UHV experimental system for in situ determination of the electronic properties of metal phthalocyanine thin films by photoemission yield spectroscopy
(
Grządziel L.
,
Szuber J.
), s. 502-504
artykuł:
Application of the unipole mass filter (UMF) for determination of partial pressures of gases with near atomic masses
(
Król A.
,
Szuber J.
,
Kaszczyszyn S.
), s. 505-507
artykuł:
Modular scanning system
(
Klusek Z.
,
Olejniczak W.
,
Pawłowski S.
,
Kobierski P.
), s. 508-511
artykuł:
Scanning tunneling spectroscopy investigations of gold films deposited on the (0001) basal plane of highly oriented pyrolitic graphite
(
Klusek Z.
,
Balcerski J.
,
Olejniczak W.
,
Kobierski P.
), s. 512-515
artykuł:
Apparatus for the measurement of critical temperature in metallic quantum wells
(
Orłowski M.
,
Paprocki K.
,
Korczak Z.
,
Jałochowski M.
), s. 516-519
artykuł:
On the type-I magnetic contrast in SEM and its application for domain investigation in cobalt
(
Szmaja W.
), s. 520-527
rozwiń roczniki
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.
Zawartość wolumenu
Zawartość wolumenu
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.