PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 8

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  warstwa epitaksjalna
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available On prognosis of variation of properties of epitaxial layers by choosing of temperature field during growth
Pankratov E.L.
Computer Methods in Materials Science
|
2020
|
Vol. 20, No. 1
1--6
EN
In this paper, we analyze the influence of the temperature of growth of epitaxial layers during their growth. Conditions are formulated under which the homogeneity of the properties of the epitaxial layers increases. An analytical approach for the analysis of mass and heat transfer is proposed, allowing at the same time to take into account changes in the parameters of processes both in space and in time, as well as nonlinearity of these processes.
PL
W artykule opisano analizę wpływu temperatury na wzrost epitaksjalnych warstw w procesie technologicznym. Sformułowano szereg warunków dla poprawy jednorodności badanych warstw. Wprowadzono analityczne rozwiązanie dla równania transportu masy i ciepła. To rozwiązanie umożliwiło uwzględnienie zmian parametrów procesu zarówno w przestrzeni jak i w czasie. Ponadto przeprowadzone rozwiązanie pozwoliło na uwzględnienie nieliniowości badanego procesu.
2
Content available Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego
Sarnecki J., Brzozowski A., Lipiński D.
Materiały Elektroniczne
|
2014
|
T. 42, nr 1
24--31
PL
Określono warunki i opracowano metodę otrzymywania folii krzemowych o grubości do ~ 100 μm i wymiarach 50 x 50 mm. Metoda ta polega na odrywaniu warstw epitaksjalnych osadzanych na porowatej powierzchni płytki krzemowej typu p+. Opracowano oryginalną metodę odrywania warstwy epitaksjalnej łączącą działanie obniżonego ciśnienia i kąpieli w gorącej wodzie.
EN
A method of obtaining silicon foil with the thickness of up to 100 μm and dimensions 50 x 50 mm was worked out and experimental conditions were determined. This technique consists in the separation of epitaxial layers deposited on the porous surface of the p+ silicon wafer. Such an original method of epitaxial layer separation, combining the effect of low pressure and a bath in hot water, was developed.
3
Content available Wysokorezystywne wzorce do pomiaru profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym
Brzozowski A., Sarnecki J., Lipiński D., Wodzińska H.
Materiały Elektroniczne
|
2013
|
T. 41, nr 4
20--26
PL
Wykonano wzorce do kalibracji układu umożliwiającego wyznaczenie profilu rezystywności w krzemowych warstwach epitaksjalnych typu n i p o orientacji <111> i <100> z pomiarów rezystancji rozpływu styku punktowego (SR). Wykonane wzorce umożliwiają kalibrację systemu i zapewniają pomiar profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych o rezystywności dochodzącej do 10 kΩcm. Wdrożono procedury zawarte w instrukcjach ASTM dla przeprowadzenia pomiarów metodą sondy czteroostrzowej rezystywności monokrystalicznych płytek krzemowych przeznaczonych na wzorce do kalibracji systemu SR.
EN
Si standards for the calibration of a spreading resistance probe for measuring the resistivity profiles of n and p type <111> and <100> oriented silicon epitaxial wafers have been performed. These standards allow both the calibration of the SR system and the measurement of resistivity distribution in silicon epitaxial layers having resistivity of up to 10 kΩcm. Procedures for measuring the resistivity of silicon wafers used as standards for the SR systems calibration by the Four-Point Probe method have been implemented in accordance with the ASTM instruction.
4
Content available Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym
Lipiński D., Sarnecki J., Brzozowski A., Mazur K.
Materiały Elektroniczne
|
2012
|
T. 40, nr 3
28-37
PL
Ustalono warunki wytwarzania warstw o odpowiedniej porowatości zapewniającej osadzanie w procesie epitaksji z fazy gazowej warstw krzemowych o grubości powyżej 50 μm. W zależności od rezystywności płytek krzemowych typu p+ o orientacji <111> oraz <100> określono związek między gęstością prądu trawienia elektrochemicznego, a porowatością wytworzonych warstw porowatych. Otrzymano warstwy porowate z porowatością w zakresie 5 % - 70 %. Ustalono parametry procesu epitaksji i osadzono krzemowe warstwy epitaksjalne o wysokiej perfekcji strukturalnej i zakładanych parametrach elektrycznych.
EN
The conditions for producing layers with proper porosity that allows epitaxial growth of Si layers with the thickness of about 50 μm have been established. The relationship between the layer porosity, current density and substrate resistivity has been determined. The layers with porosity in the range between 5 % and 70 % have been obtained. The parameters of the CVD process have been established. Epitaxial silicon layers of high structural perfection and required electrical parameters have been obtained, which has been confirmed by the XRD and SR measurements as well as SEM observations.
5
Content available remote Modelowanie procesu otrzymywania cienkich warstw epitaksjalnych w zastosowaniu do ogniw słonecznych
Gułkowski S., Cieślak K., Olchowik J. M.
Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Budownictwo i Inżynieria Środowiska
|
2010
|
z.57[271], nr 4
205-210
PL
Przedstawione zostały rezultaty komputerowego modelowania wzrostu cienkich warstw epitaksjalnych otrzymywanych z roztworu. Obliczenia szybkości wzrostu interfejsu warstwy prowadzone były w oparciu o strumienie dyfuzyjne składnika Si rozpuszczonego w roztworze binarnym Si-Sn. Cienkie warstwy epitaksjalne otrzymywane metodą LPE mogą prowadzić do obniżenia kosztów produkcji ogniw fotowoltaicznych, co ma fundamentalne znaczenie w badaniach nad technologią otrzymywania energii ze źródeł odnawialnych.
EN
This work presents results of calculation of the concentration profiles of Si in the Si-Sn rich solution. Influence of the stream of silicon on concentration gradients near the interface and growth rate in normal and lateral direction has been presented. Aspect ration of the grown layer has been calculated. Technology of the obtaining thin epitaxial layer can lead to decrease the total cost of silicon solar cells production. It is a great of importance for obtaining energy form renewable sources.
6
Content available Pomiar koncentracji nośników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej
Brzozowski A.
Materiały Elektroniczne
|
2008
|
T. 36, nr 3
76-91
PL
Przedstawiono metodykę wyznaczania koncentracji nośników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych węglika krzemu (SiC) poprzez pomiar charakterystyk pojemnościowo-napięciowych (C-U) obszaru zubożonego w zaporowo spolaryzowanych złączach Schottky'ego wytwarzanych za pomocą sondy rtęciowej. Omówiono przyczyny niedokładności pomiaru. Pokazano przykładowe wyniki pomiaru koncentracji nośników ładunku oraz określono rozrzuty wartości koncentracji nośników ładunku dla płytek monokryształów objętościowych oraz warstw epitaksjalnych SiC.
EN
A methodology is described by which the charge carrier concentration can be determined in the wafers of SiC bulk crystals and epitaxial layers. It is based on measuring the capacitance-voltage (C-U) characteristics for the depleted region in a reverse-biased Schottky contact made by a mercury probe. The factors responsible for the measurement inaccuracy are discussed. The methodology is exemplified by the results showing the charge carrier concentrations in the bulk SiC wafers and epitaxial layers. The dispersions of the concentration values for the bulk and epitaxial material are also given.
7
Wybrane problemy materiałowe w przemyśle elektronicznym: wpływ grubości warstwy epitaksjalnej InAs na podłożu GaAs <100> na jej jakość krystaliczną i półprzewodnikową : miniaturyzacja w technologii krzemowej
Wolkenberg A., Przesławski T., Regiński K., Bąk-Misiuk J., Kaniewski J.
Inżynieria Materiałowa
|
2000
|
R. XXI, nr 4
137-141
PL
Celem pracy jest przedstawienie wybranych problemów materiałowych przemysłu elektronicznego związanych z wykorzystywaniem bardzo cienkich monokrystalicznych warstw półprzewodnikowych (InAs) i ogromnego w ostatnich latach zmniejszenia rozmiarów struktur półprzewodnikowych (tranzystorów, pamięci) wykonywanych w technologii krzemowej. Omówiono właściwości krystalograficzne i elektroniczne warstw epitaksjalnych InAs osadzanych przy pomocy metody MBE na podłożach z GaAs <100>, zaproponowano model dwuwarstwowy dla cienkich warstw InAs pozwalający obliczać FWHM i koncentrację nośników w nie domieszkowanym materiale w funkcji grubości. Przeprowadzono analizę własnych wyników i danych literaturowych. Zwrócono uwagę na zmniejszenie wymiarów geometrycznych struktur w technologii krzemowej podstawowej dla bieżących konstrukcji mikroukładów pamięciowych i procesorowych.
EN
The aim of paper was to present some problems in materials engineering connected with miniaturization of geometric dimensions of electronic structures. The examples are taken from InAs epitaxial layers and silicon technology. There are described crystallographic and electronic properties of InAs epitaxial layers deposited on insulating GaAs <100> wafers by MBE method after our results and from literature. It is proposed a novel two layer model after Petritz which allow to calculate crystalline (FWHM) and electronic (concentration, mobility) properties of any one undoped InAs layer with any one thickness. It was performed a comparative analysis of our results and those from literature. There is described the surprising decrease of semiconductor structures dimensions on silicon during last years. The problem was demonstrated on DRAM memories increase and transistors decrease as the components of microprocessor chips. Further development is concerned to silicon dioxide quality in very thin layers 1.2 nm thick.
8
Fizyczne własności epitaksjalnych warstw PbTe otrzymywanych przez odparowywanie laserowe.
Piotrowski T.
Inżynieria Materiałowa
|
2000
|
R. XXI, nr 6
392-394
PL
Przedstawiono metodykę uzyskiwania warstw epitaksjalnych ze związków AIVBVI z wykorzystaniem modulowanej wiązki lasera dużej mocy (10 do potęgi piątej W/cm kwadratowy) o długości fali 10,6 mm. Badano, w funkcji temperatury, zmiany współczynnika Halla warstw epitaksjalnych PbTe otrzymywanych przez laserowe odparowanie krystalicznego źródła, dla różnych temperatur (160-380 stopni Celsjusza) krystalicznego podłoża z BaF2(111). Zaobserwowano zmianę typu przewodności warstw z przewodności typu p na przewodność typu n, przy podwyższaniu temperatury podłoży, począwszy od 210 stopni Celsjusza. Wykorzystując pomiary STM badano topografię powierzchni warstw, określono wielkości ziaren na około 20-30 nm i po nałożeniu cienkiej warstwy złoża chropowatość powierzchni (<5 nm). Metoda epitaksji laserowej pozwoliła uzyskać warstwy o nietypowych elektrofizycznych właściwościach i koncentracjach elektronów w zakresie nie osiągalnym innymi metodami.
EN
In this report the investigation of PbTe layers are presented. The layers have been grown by source evaporation technique using a modulated infrared (10,6 micrometer) large power (10 to the 5th W/square centimetres) laser beam. Tempearture dependence of the Hall coefficient of PbTe layers has been investigated. The PbTe layers have been grown on monocrystal BaF2(111) substrate, using the laser beam assisted evaporation for various substrate temperatures in the range 160-380 degrees centigrade. During the increase of substrate temperature beginning from the temperature approximately 210 degrees centigrade the layer conductivity changed from p to n type. The topographic measurements with the STM for the determination of the surface roughness (after gold covering) and grain dimensions have been presented. The grain size (20-30 nm) and the surface roughness (<5nm) of layers were determined. Using the laser evaporation technique it is possible to obtain the non-typical electrophysical properties of epitaxial PbTe films and electron concentration in the range which is impossible to reach with other methods.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.