Inżynieria Materiałowa - Tom R. XXI, nr 4 (2000) - BazTech - Yadda

Tom - szczegóły

Tytuł artykułu

R. XXI, nr 4

Czasopismo

Inżynieria Materiałowa

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Rocznik

2000

Identyfikatory

Zawartość wolumenu

R. XXI, nr 4
- artykuł: Wybrane problemy materiałowe w przemyśle elektronicznym: wpływ grubości warstwy epitaksjalnej InAs na podłożu GaAs <100> na jej jakość krystaliczną i półprzewodnikową : miniaturyzacja w technologii krzemowej (Wolkenberg A., Przesławski T., Regiński K., Bąk-Misiuk J., Kaniewski J.), s. 137-141
- artykuł: Wybrane właściwości fizykochemiczne i optyczne szkieł fluorkowych domieszkowanych jonami metali przejściowych (Pisarska J., Żelechower M., Ryba-Romanowski W., Mazurak Z.), s. 141-144
- artykuł: Nanokrystaliczne stopy typu AB5 odwracalnie absorbujące wodór, otrzymywane metodą mechanicznej syntezy (Rajewski W., Jurczyk M.), s. 145-148
- artykuł: Charakterystyczne cechy mikrostruktury ściskanych monokryształów aluminium (Richert M., Czyrska-Filemonowicz A., Richert J., Dybiec H., Wusatowska-Sarnek A., Dubiel B.), s. 149-156
- artykuł: Optymalne warunki odkształcenia plastycznego materiałów metodą cyklicznego wyciskania ściskającego (CWS). Cz. 1 (Richert J.), s. 156-160
- artykuł: Analiza procesów pękania aluminiowych warstw żaroodpornych i ocena ich wpływu na trwałość stopu ŻS6U w warunkach obciążeń o charakterze małocyklowym. (Cieśla M.), s. 160-174
- artykuł: Porowaty materiał implantacyjny z proszku stopu typu Vitalium (Dąbrowski J. R., Oksiuta B.), s. 174-178