Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 8

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  plasma processing
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
In this article, we report a durable coating of polyester fabric with carbon nanotubes. Four fabric samples were prepared using different treatments to obtain the fabric with the lowest electrical resistance. Plasma treatment was performed to prepare the fabric surface for depositing amino functionalized carbon nanotubes (NH2-MWCNT). Thermal properties, surface morphology and chemistry of the samples were investigated. Also color strength and electrical resistance of the fabric samples were determined. The results showed that the attachment of NH2-MWCNT onto polyester fabric was affected by fabric surface morphology. The XPS results confirmed the presence of more oxygen-containing species on the PET fabric surface after plasma treatment and NH2-MWCNT coating. The melting temperature and degree of crystallinity of the coated-PET fabric were higher than those of the pristine PET fabric. An improvement in the tensile strength of the PET fabric was also obtained after the plasma treatment and CNT coating. Electrical resistance of NH2-MWCNT coated polyester fabric reduced substantially for pretreated fabric with plasma which was subsequently coated with NH2-MWCNT in the presence of acrylic acid.
PL
W ramach pracy badano różne metody nanoszenia na powierzchnię tkaniny z poli(tereftalanu etylenu) (PET) trwałej powłoki z nanorurek węglowych w celu uzyskania materiałów o najmniejszej oporności elektrycznej. Przygotowano cztery próbki tkaniny PET, z których trzy poddano obróbce plazmowej. Następnie wszystkie próbki moczono w dyspersji funkcjonalizowanych aminą nanorurek węglowych (NH2-MWCNT) działając ultradźwiękami w ciągu 5 min. W przypadku dwóch tkanin, które moczono w dyspersji różniącej się stężeniem NH2-MWCNT po 5 min dodawano kwas akrylowy i utrzymywano działanie ultradźwięków przez kolejne 5 min. Wszystkie cztery próbki tkanin oraz próbkę referencyjną, z wyjściowej tkaniny PET poddano badaniom właściwości termicznych, morfologii powierzchni i składu chemicznego. Określono również intensywność ich barwy i oporność elektryczną. Stwierdzono, że ilość NH2-MWCNT naniesionego na tkaninę PET zależy od morfologii jej powierzchni. Wyniki rentgenowskiej spektroskopii fotoelektronowej (XPS) wykazały, że na powierzchni tkaniny PET powlekanej NH2-MWCNT po wstępnej obróbce plazmowej znalazła się większa ilość cząsteczek zawierających tlen, niż na tkaninie bez takiej obróbki. Temperatura topnienia (Tm) i stopień krystaliczności (Xc) w przypadku powlekanych tkanin PET były wyższe niż w wyjściowej tkaninie PET. Obróbka plazmowa zwiększyła także wytrzymałość na rozciąganie powlekanych tkanin. Stwierdzono, że oporność elektryczna była najniższa w przypadku tkanin powlekanych NH2-MWCNT po wstępnej obróbce plazmowej i w obecności kwasu akrylowego.
2
Content available Plasma gasification of waste plastics
EN
The article presents the process of obtaining liquid fuels and fuel gas in the process of plasma processing of organic materials, including waste plastics. The concept of plasma pyrolysis of plastics was presented and on its basis a prototype installation was developed. The article describes a general rule of operating the installation and its elements in the process and basic operation parameters determined during its startup. Initial results of processing plastics and the directions of further investigations are also discussed. The effect of the research is to be the design of effective technology of obtaining fuels from gasification/pyrolysis of organic waste and biomass.
3
Content available remote Modyfikacja powierzchni szkła float plazmą niskotemperaturową
PL
Powierzchnia szkła float była poddawana działaniu niskotemperaturowej plazmy argonowej. Wpływ obróbki plazmowej na skład chemiczny powierzchni szkła był analizowany za pomocą techniki spektroskopii jonów rozproszonych (ISS). Obserwowane zmiany składu powierzchni wyjaśniono w oparciu o termiczne i elektryczne pole wytwarzane przez plazmę.
EN
The surface of flat glass was treated by a low-temperature plasma. An influence of plasma processing on the glass surface composition was analysed by means of ion scattering spectroscopy (ISS). The observed changes of the surface composition were explained basing on the thermal and electric fields created by the plasma.
EN
The possibility to modify biopolymers using low temperature plasma is investigated. Two types of plasma are employed in this study: an atmospheric pressure plasma and a low pressure microwave plasma. In both cases changes of the structure and function of the exposed molecules are reported, the effects being stronger for the low-pressure plasma irradiation.
EN
The radiation damage caused by low energy r.f. plasmas has not been, to our knowledge, studied so far in the case of symmetric planar plasma reactors that are usually used for PECVD processes. The reason is that, unlike nonsymmetrical RIE reactors, such geometry prevents, basically, high-energy ion bombardment of the substrate. In this work, we present the results of experiments in which we have studied the influence of plasma processing on the state of silicon surface. Very low temperature plasma oxidation has been used as a test of silicon surface condition. The obtained layers were then carefully measured by spectroscopic ellipsometry, allowing not only the thickness to be determined accurately, but also the layer composition to be evaluated. Different plasma types, namely N2, NH3 and Ar, were used in the first stage of the experiment, allowing oxidation behaviour caused by the exposure to those plasma types to be compared in terms of relative differences. It has been clearly proved that even though the PECVD system is believed to be relatively safe in terms of radiation damage, in the case of very thin layer processing (e.g., ultra-thin oxynitride layers) the effects of radiation damage may considerably affect the kinetics of the process and the properties of the formed layers.
PL
Praca ta przedstawia zastosowanie skrobi ziemniaczanej jako napełniacza w celu wytworzenia materiałów kompozytowych z wysokiej gęstości polietylenem. Należy przypuszczać, że nastąpi poprawa mieszalności skrobi z polietylenową matrycą, po procesie modyfikacji skrobi i jej powierzchnia stanie się bardziej hydrofobowa. W tym celu został zastosowany obrotowy reaktor plazmowy w.cz. do powierzchniowej modyfikacji ziaren skrobi. Reaktor w.cz. jest układem pojemnościowo sprzężonym, wykorzystującym zewnętrzne elektrody i metan (CH4) jako gaz roboczy. Pomiary wysokości kapilarnego wzniesienia wody były wykonane w celu oceny właściwości hydrofilowych powierzchni ziaren. Skrobia po modyfikacji w wyładowaniu jarzeniowym z użyciem metanu, posiada znaczną zmianę właściwości powierzchniowych, które są bardziej hydrofobowe - proces modyfikacji potrafi kilkukrotnie obniżyć efekt kapilarnego wzniesienia cieczy.
EN
The work presents an application of potato starch as a filter in a fabrication of a composite material with high density polyethylene. It had been assumed that, in order to improve miscibility of starch with polyethylene matrix, its surface should be made more hydrophobic. Therefore, radio frequency plasma rotary reactor has been applied to the surface modification of grains of starch. The RF system is capacitively coupled, it utilizes external electrodes and methane (CH4) is used as working medium. Measurements of a height of water capillary rise have been applied to assess the hydrophilic properties of the grain surface. Starch, when modified with methane RF glow discharge, possesses considerably altered surface properties, being more hydrophobic - the modification process is able to lower capillary rise effect several times.
7
Content available Ultrathin oxynitride films for CMOS technology
EN
In this work, a review of possible methods of oxynitride film formation will be given. These are different combinations of methods applying high-temperature oxidation and nitridation, as well as ion implantation and deposition techniques. The layers obtained using these methods differ, among other aspects in: nitrogen content, its profile across the ultrathin layer,... etc., which have considerable impact on device properties, such as leakage current, channel mobility, device stability and its reliability. Unlike high-temperature processes, which (understood as a single process step) usually do not allow the control of the nitrogen content at the silicon-oxynitride layer interface, different types of deposition techniques allow certain freedom in this respect. However, deposition techniques have been believed for many years not to be suitable for such a responsible task as the formation of gate dielectrics in MOS devices. Nowadays, this belief seems unjustified. On the contrary, these methods often allow the formation of the layers not only with a uniquely high content of nitrogen but also a very unusual nitrogen profile, both at exceptionally low temperatures. This advantage is invaluable in the times of tight restrictions imposed on the thermal budget (especially for high performance devices). Certain specific features of these methods also allow unique solutions in certain technologies (leading to simplifications of the manufacturing process and/or higher performance and reliability), such as dual gate technology for system-on-chip (SOC) manufacturing.
PL
Praca poświęcona jest badaniu potencjalnych możliwości zastosowania plazmy w cz. (13,56 MHz) do wytwarzania ultracienkich (<10nm) warstw SiO2.
EN
The aim of this work is the experimental study of potential possibilities of oxidation in r.f. (13.56 MHz) plasma application for the formation of ultrathin (<10 nm) oxide layers.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.