Journal of Telecommunications and Information Technology - Tom nr 1 (2005) - BazTech - Yadda

Tom - szczegóły

Tytuł artykułu

nr 1

Czasopismo

Journal of Telecommunications and Information Technology

Wydawca

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy

Rocznik

2005

Identyfikatory

Zawartość wolumenu

nr 1
- artykuł: Challenges in scaling of CMOS devices towards 65 nm node (Jurczak M., Veloso A., Rooyackers R., Augendre E., Mertens S., Rotschild A., Scaekers M., Lindsay R., Lauwers A., Henson K., Severi S., Pollentier I., Keersgieter de A.), s. 3-6
- artykuł: Gate dielectrics: process integration issues and electrical properties (Schwalke U.), s. 7-10
- artykuł: Understanding of wet and alternative particle removal processes in microelectronics: theoretical capabilities and limitations (Tardif F., Danel A., Raccurt O.), s. 11-19
- artykuł: Integrated gas chromatograph (Dziuban J. A., Mróz J., Koszur J.), s. 20-23
- artykuł: Low frequency noise in advanced Si bulk and SOI MOSFETs (Jomaah J., Balestra F., Ghibaudo G.), s. 24-33
- artykuł: Variability of the local phi MS values over the gate area of MOS devices (Przewłocki H. M., Kudła A., Brzezińska D., Massoud H. Z.), s. 34-44
- artykuł: Diagnostics of micro- and nanostructure using the scanning probe microscopy (Gotszalk T., Janusz P., Marendziak A., Czarnecki P., Radojewski J., Szeloch R. F., Grabiec P., Rangelow I. W.), s. 41-46
- artykuł: An accurate prediction of high-frequency circuit behaviour (Yoshitomi S., Kimijima H., Kojima K., Kokatsu H.), s. 47-62
- artykuł: Trends in assembling of advanced IC packages (Kisiel R., Szczepański Z.), s. 63-69
- artykuł: Ultra-shallow nitrogen plasma implantation for ultra-thin silicon oxynitride (SiOxNy) layer formation (Bieniek T., Beck R. B., Jakubowski A., Kudła A.), s. 70-75
- artykuł: Properties of Al contacts to Si surface exposed in the course of plasma etching of previously grown nanocrystalline c-BN film (Firek P., Werbowy A., Szmidt J., Olszyna A. R.), s. 76-80
- artykuł: Application of scanning shear-force microscope for fabrication of nanostructures (Sikora A., Gotszalk T., Sankowska A., Rangelow I. W.), s. 81-84
- artykuł: TSSOI as an efficient tool for diagnostics of SOI technology in Institute of Electron Technology (Barański M., Domański K., Grabiec P., Grodner M., Jaroszewicz B., Kociubiński A., Kucewicz W., Kucharski K., Marczewski J., Niemiec H., Sapor M., Tomaszewski D.), s. 85-93
- artykuł: Silicon TCD for the methane and carbon monoxide detection (Łysko J. M., Latecki B., Nikodem M., Górska M., Mróz J., Małachowski M.), s. 94-97
- artykuł: Gas micro-flow-metering with the in-channel Pt resistors (Łysko J. M., Latecki B., Nikodem M.), s. 98-100
- artykuł: DC and low-frequency noise analysis for buried SiGe channel metamorphic PMOSFETs with high Ge content (Durov S., Mironov O. A., Myronov M., Whall T. E., Parker E. H. C., Hackbarth T., Hoeck G., Herzog H. J., König U., Känel von H.), s. 101-111
- artykuł: Photoelectric measurements of the local values of the effective contact potential difference in the MOS structure (Kudła A., Przewłocki H., Brzezińska D., Borowicz L.), s. 112-114
- artykuł: Effects of stress annealing on the electrical and the optical properties of MOS devices (Rzodkiewicz W., Kudła A., Rawicki Z., Przewłocki H. M.), s. 115-119
- artykuł: Comparison of the barrier height measurements by the Powell method with the phi MS measurement results (Piskorski K., Kudła A., Rzodkiewicz W., Przewłocki H. M.), s. 120-123
- artykuł: Semi-automatic test system for characterization of ASIC/MPWS (Zając J., Wójcik J., Kociubiński A., Tomaszewski D.), s. 124-128
- artykuł: A versatile tool for extraction of MOSFETs parameters (Tomaszewski D., Kociubiński A., Marczewski J., Kucharski K., Domański K., Grabiec P.), s. 129-134
- artykuł: Standardization of the compact model coding: non-fully depleted SOI MOSFET example (Grabiński W., Tomaszewski D., Lemaitre L., Jakubowski A.), s. 135-141
- artykuł: A new method of frequency offset correction using coherent averaging (Gajewski P., Łopatka J., Piotrkowski Z.), s. 142-146
- artykuł: Comparison of traffic performance of QPSK and 16-QAM modulation techniques for OFDM system (Islam I., Hossain S.), s. 147-152
- artykuł: A newly developed random walk model for PCS network (Islam I., Hossain S.), s. 153-156

rozwiń roczniki

JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.