Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Primary reasons for the brittleness of welded joints in steel T/P24

Gruszczyk Andrzej, Pawlyta Mirosława

Biuletyn Instytutu Spawalnictwa w Gliwicach

|

2020

|

Vol. 64, No. 4

47--57

EN

The article presents results of tests concerning the susceptibility of welds made of steel T/P24 (7CrMoVTiB10-10) to secondary hardness as well as the structure and the mechanical properties of the welds (KV, Rm, A5, Z and HV1) in the as-made state and after heat treatment performed at temperature restricted within the range of 100°C to 750°C. The tests revealed that the welding process triggered the decomposition of phases hardening steel 7CrMoVTiB10-10 and the transition of alloying components and impurities to the solution of body-centred cubic lattice A2 (bcc). A thesis formulated by the Authors in relation to the test results stated that the primary reason for the deterioration of the plastic properties of the welds was the phenomenon of solid solution hardening. The Authors emphasized the necessity of performing the detailed analysis of interactions of substitution atoms and other defects of the Feα lattice with interstitial atoms. In addition, the Authors indicated the necessity of changing the criteria applied when assessing the weldability of technologically advanced steels as well as pointed mistakes made during the industrial implementation of steel 7CrMoVTiB10-10.

PL

Przedstawiono wyniki badań skłonności do twardości wtórnej spoin stali T/P24 (7CrMoVTiB10-10) oraz ich strukturę i własności mechaniczne, KV, Rm, A5, Z, HV1, w stanie surowym i po obróbce cieplnej w zakresie temperatury 100–750°C. Wykazano, że w czasie spawania w spoinach dochodzi do rozpadu faz umacniających stal 7CrMoVTiB10-10 oraz przejścia składników stopowych i zanieczyszczeń do roztworu o sieci regularnej przestrzennie centrowanej A2 (bcc). Postawiono tezę, że głównym powodem obniżenia własności plastycznych spoin jest umocnienie roztworowe. Zwrócono uwagę na konieczność szczegółowej analizy wzajemnych oddziaływań atomów substytucyjnych i innych defektów sieci Feα z atomami międzywęzłowymi. Wskazano również na potrzebę zmiany kryteriów oceny spawalności nowoczesnych gatunków stali i na błędy popełnione przy wdrażaniu do przemysłu stali 7CrMoVTiB10-10.

2

A Systematic Approach to Determining the Duty Cycle for Regenerative Comparator Used in WSN

Marathe Dipak S., Khot Uday P.

International Journal of Electronics and Telecommunications

|

2019

|

Vol. 65, No. 2

329--333

EN

A low power regenerative comparator is very useful in Successive Approximation Register (SAR) type Analog to Digital Converter (ADC) for a Wireless Sensor Node (WSN). A regenerative type comparator generates output pulses by comparing input with a reference input. This paper deals with control of a power with an adjustable duty cycle. The regenerative comparator with an adjustable duty cycle and a positive feedback of a latch will help in improving accuracy, speed and also in achieving the less power consumption. The optimum value of a duty cycle is determined with metastability timing constraints. The proposed low power regenerative comparator circuit is designed and simulated by using TSMC 180 nm CMOS technology. The comparator consumes power as low as 298.54 nW with a regenerative time 264 ps at 1 V power supply.

3

Generator ciągów losowych wykorzystujący stany metastabilne zaimplementowany w układzie FPGA firmy Xilinx

Kubczak P., Jessa M., Matuszewski Ł.

Pomiary Automatyka Kontrola

|

2014

|

R. 60, nr 7

450--452

PL

W wysokiej klasy systemach bezpieczeństwa informacji klucze kryptograficzne nie powinny być generowane na zewnątrz systemu, a klucze prywatne, w przeciwieństwie do publicznych, nigdy nie powinny opuścić systemu. Jeśli system bezpieczeństwa jest realizowany w jednym układzie scalonym, klucze powinny być generowane w tym samym układzie. Realizacja generatorów liczb losowych w cyfrowych układach reprogramowalnych jest więc istotnym zagadnieniem. W artykule przedstawiono nową metodę wytwarzania ciągów losowych, opartą o zjawisko metastabilności występujące w układach cyfrowych oraz uwagi na temat sensowności wykorzystania tego fizycznego efektu występującego we współczesnych, powszechnie dostępnych układach cyfrowych.

EN

The security of cryptographic systems relates mainly to the protection of confidential keys. In high-end information security systems, cryptographic keys should never be generated outside the system and private keys should never leave the system. For the same reason, if the security system is implemented in a single chip (cryptographic system on chip), the keys should be generated inside the same chip. Implementation of random number generators in logic devices, including configurable logic devices, is therefore an important issue. In this paper, we present a new method of generating random digits based on a physical phenomenon occurring in digital circuits. Thus, the proposed generator can be implemented in different Field Programmable Gate Arrays (FPGAs) with other elements of the cryptographic system. If the underlying physical process cannot be controlled, the generator output is unpredictable and/or uncontrollable. The statistical characteristics of TRNGs are closely related to the quality of the entropy source, but also to the randomness extraction method. The statistical quality of the generator was verified with the use of NIST statistical test suite. A discussion of the utility of metastable states for producing random numbers with metastable states in commercially available FPGAs is also presented.

4

Existence of metastable solutions for a thermodynamically consistent Becker–Döring model

Ssemaganda V, Warnecke G

Journal of Applied Analysis

|

2013

|

Vol. 19, nr 1

91--124

EN

In this paper we prove the existence of metastable solutions to a general thermodynamically consistent mass-conserving Becker–Döring model which incorporates an inert substance. We make use of the methods for the standard model discussed by Penrose in 1989. We include an efficient numerical algorithm for approximating the thermodynamically consistent models.

5

Quasi-statyczny makromodel zatrzasku do optymalizacji metastabilności

Wieczorek P. Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

178-181

PL

Prezentowana w niniejszej pracy koncepcja jest opisem behawioralnym układu przerzutnikowego (zatrzasku) na potrzeby modelowania i optymalizacji metastabilności. Układ przerzutnikowy w tej koncepcji złożony jest z intuicyjnych elementów elektrycznych takich jak wzmacniacze odwracające, pojemności inercyjne, rezystancje. Projektant układu ma więc wgląd w czysto elektryczne parametry układu a parametry te są analityczno-behawioralnie powiązane z parametrami projektowymi technologii CMOS.

EN

A novel concept of behavioral description of D-Latch is introduced. For the purpose of modeling and metastability optimization D-Latch circuit has been described as a Simulink macromodel. This novel macromodel based on simple and intuitive electrical elements and subcircuits joins technological CMOS parameters with easy to understand parameters. With use of presented macromodel the designer of a D-Latch circuit has insight into its electrical behavior during the metastable operation. Also a novel metastability measure has been introduced for the purpose of macromodel's optimization.

6

Non-linear modeling of resolve time in D-latch circuits

Wieczorek P. Z., Opalski L. J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 12

36-38

EN

The paper presents novel models of resolve time for static D-latch circuits - to estimate the metastability effect more accurately, and set design margins properly. The models consider non-linearity of both the positive feedback loop and also that of initial condition setting for switching process. Accuracy advantage over the commonly used model is demonstrated with measurements and simulation of different D-latch circuits (both buffered and unbuffered ones).

PL

W artykule przedstawiono nowatorskie podejście do modelowania czasu rozdzielczego (lub rozwiązania) układów zatrzasków typu D. Stworzono nowe modele matematyczne opisujące czas rozdzielczy. Modele te pozwalają dokładniej ocenić wpływ zjawiska metastabilności na zachowanie układu przerzutnikowego. Dokładny opis zachowania metastabilnego układu przerzutnikowego (zatrzasku) pozwala na lepszy dobór parametrów projektowych. Opisane w artykule modele uwzględniają efekty nieliniowe: nieliniowość pętli dodatniego sprzężenia zwrotnego i nieliniowe ustalanie warunku początkowego. Przedstawiono wyniki eksperymentów (fizycznych i numerycznych), wskazujące na większą dokładność wprowadzonych modeli nieliniowych w odniesieniu do standardowego liniowego modelu układu przerzutnikowego.

7

Wpływ wybranych parametrów konstrukcyjnych przerzutników na kształt odpowiedzi czasowej

Wieczorek P. Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 8

114-119

PL

W artykule przedstawiono innowacyjne podejście do doboru parametrów elektrycznych i technologicznych układów przerzutników i zatrzasków pod kątem optymalizacji tzw. zachowania metastabilnego. Wyjaśniono mechanizm wpływu wybranych parametrów poszczególnych podzespołów przerzutników: inwerterów, bramek transmisyjnych, przerzutników na przebiegi elektryczne na wyjściu w sytuacji pracy metastabilnej. Została również wskazana możliwość zmniejszenia prawdopodobieństwa wystąpienia błędów w sytuacji pracy metastabilnej kolizji sygnałów sterujących.

EN

The paper presents an innovative method of selection of electrical and technological parameters for optimization of metastable behavior of D latches and Flip-Flops. The mechanisms of influence of chosen D latch subcircuits parameters on the shape of output waveforms of a D latch have been described. Discussed latch subcircuits are positive feedback's loop inverters and transmission gates. Their behavior during metastable switching is also analyzed. in the paper author showed a possibility of reduction of malfunctions caused by the metastability phenomena in asynchronus operation of latch (flip-flop) in case of Data and CLK signals collision.

8

Badanie fluktuacji czasu ustalania przerzutnika

Grzelak S., Zieliński M., Chaberski D., Wydźgowski L.

Pomiary Automatyka Kontrola

|

2007

|

R. 53, nr 9 bis

695--697

PL

Zjawisko metastabilności występujące w przerzutnikach podzielono na dwa różne efekty. Pierwszy dotyczy zwiększonego czasu propagacji, a drugi przypadkowości w ustalaniu stanu wyjściowego. Przedstawiono uogólniony model przerzutnika typu D wyzwalanego zboczem. Zaproponowano metodę pomiaru dodatkowego parametru zinterpretowanego jako poziom fluktuacji czasu ustalania, dla wprowadzonego modelu. Przeprowadzono pomiary przerzutników zaimplementowanych w strukturze FPGA wykonanej w technologii 180 nm. Wartość wprowadzonego parametru w modelu ma znaczenie w wysokorozdzielczej metrologii odcinków czasowych i może wpływać na sumaryczny błąd losowy mierzonego odcinka czasu.

EN

The metastability effect is discussed in this paper as two separated effects. The first concerns the increase of the propagation time and the second concerns the random character of output states. The generalized model of the flip-flop was introduced. The measurements method of the setup time fluctuation is presented. The results of measurements for the flip-flops implemented in the FPGA structure are also discussed.

9

Metastabilność hydratów gazu ziemnego

Lubaś J.

Nafta-Gaz

|

2006

|

R. 62, nr 6

299-308

PL

W artykule przedstawiono wyniki badań autora nad zjawiskami tworzenia i dysocjacji hydratów gazu ziemnego, wykonanych z wykorzystaniem zmodyfikowanej aparatury PVT w Laboratorium Badania Złóż Instytutu Nafty i Gazu. Omawiając zjawisko metastabilności hydratów wykazano, że hydraty powstają w warunkach, które określa krzywa tworzenia niepokrywająca się - jak niekiedy sądzono - z krzywą dysocjacji. Zastosowanie rachunku sieci neuronowych pozwoliło wykluczyć wpływ składu chemicznego gazu na wielkość średniej temperatury przechłodzenia określającej wielkość obszaru metastabilności.

EN

Presented are results of laboratory tests on formation and dissociation of natural gas hydrates. The lab tests were performed in INiG laboratories using the modified PVT equipment. It had been demonstrated that the hydrates formation are rather governed by the so called "hydrate formation curve" instead of "dissociation curve". Calculations performed using the artificial neural network indicated that the chemical composition of gas has no impact on supercooling temperature which defines the envelope of hydrate metastability region.

10

Fizyczne podstawy obróbek powierzchniowych

Przybyłowicz K.

Zeszyty Naukowe Politechniki Świętokrzyskiej. Mechanika

|

2005

|

Z. 82

17-25

PL

Stopień matastabilności jest cechą warstw wierzchnich decydującą o ich własnościach tribologicznych i odporności korozyjnej. Czynnikami mającymi wpływ na termodynamiczną stabilność są dyfuzja zależna od temperatury i czasu, stopień zdefektowania i zachodzące przemiany fazowe oraz liczba faz. Równowagę jest trudniej osiągnąć w stopach wielofazowych niż w jednofazowych. Im większy jest stopień metastabilności, tym wieksza jest twardość i odporność na ścieranie i na ogół mniejsza na korozję.

EN

The degree of metastability is a featureof surface layer which has an influence on their tribolocical and corrosion properties. The factors deciding on thermodynamical stabilty are: diffusion rate (depending on temperature and time), density of lattice defects and phase transformations as well as number of phases. The equilibrium is more difficult to be achieved in multiphase than monophase alloys. The biggher is degree of metastability the higher is hardness and abrasive resistance and usually lower corrosion resistance.

11

Metastability problems in amorphous silicon

Pietruszko S.M., Kostana M.

Journal of Telecommunications and Information Technology

|

2001

|

nr 1

76-79

EN

The results of study of the influence of boron and phosphorous doping and hydrogen content on transport properties and thermally induced metastability of LPCVD a-Si are reported. The thermally induced metastability has been observed in both unhydrogenated and hydrogenated P-doped a-Si films. Metastability is a barrier for wide application of a-Si such solar cells. In this paper we report our studies on the effect of thermally induced metastability in LPCVD a-Si as a function of implanted boron and phosphorous concentration. We have investigated films unhydrogenated and hydrogenated by ion implantation. The results are qualitatively agreed with bond breaking model.

12

Formation and relaxation of metastable defects in amorphous silicon

Pietruszko S. M., Kostana M.

Opto-Electronics Review

|

2000

|

Vol. 8, No. 4

385-387

EN

We studied relaxation of defects formed during fast quenching in low pressure chemical vapour deposition (LPCVD) amorphous silicon with different hydrogen concentrations (from 0.05 at.% to 15 at.%) doped with boron or phosphorous (2 at.%). Results of measurement of dark conductivity after quenching and slow cooling as well as measurement of the isothermal relaxation of dark conductivity after quenching in different temperatures are presented. We found relaxation time higher in P-doped than in B-doped films in the same annealing temperature. Activation energy of relaxation time was independent on hydrogen concentration and was higher for B-doped samples.