PL
|
EN
Szukaj
Przeglądaj
Pomoc
O bazie
test
Preferencje
Polski
English
Język
Widoczny
[Schowaj]
Abstrakt
10
20
50
100
Liczba wyników
Tom - szczegóły
Adres strony
Kopiuj
Tytuł artykułu
nr 1
Czasopismo
Journal of Telecommunications and Information Technology
Wydawca
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Rocznik
2001
Identyfikatory
Zawartość wolumenu
nr 1
artykuł:
SiGe field effect transistors - performance and applications
(
Whall T.E.
,
Parker E.H.C.
), s. 3-11
artykuł:
Reliability of deep submicron MOSFETs
(
Balestra F.
), s. 12-17
artykuł:
High-temperature instability processes in SOI structures and MOSFETs
(
Nazarov A.N.
,
Kilchytska V.I.
,
Vovk Ja.N.
,
Colinge J.P.
), s. 18-26
artykuł:
Challenges in ultrathin oxide layers formation
(
Beck R.B.
,
Jakubowski A.
,
Łukasiak L.
,
Korwin-Pawłowski M.
), s. 27-34
artykuł:
Piezoresistive sensors for atomic force microscopy - numerical simulations by means of virtual wafer fab
(
Dębski T.
,
Barth W.
,
Rangelow I.W.
,
Domański K.
,
Tomaszewski D.
,
Grabiec P.
,
Jakubowski A.
), s. 35-39
artykuł:
On possibility to extend the operation temperature range of SOI sensors with polysilicon piezoresistors
(
Druzhinin A.
,
Lavitska E.
,
Maryamova I.
,
Kogut I.
,
Khoverko Y.
), s. 40-45
artykuł:
Grain boundary effect on the anisotropy piezoresistance of laser-recrystallized polysilicon layers in SOI-structures
(
Pankov Y.
,
Druzhinin A.
), s. 46-48
artykuł:
Fabrication and properties of the field emission array with self-alignment gate electrode
(
Barth W.
,
Dębski T.
,
Rangelow I.W.
,
Grabiec P.
,
Studzińska K.
,
Zaborowski M.
,
Mitura S.
,
Biehl S.
,
Hudek P.
,
Kostic I.
), s. 49-52
artykuł:
Adsorption properties of porous silicon
(
Domański K.
,
Grabiec P.
,
Gotszalk T.
,
Beck R.B.
,
Dębski T.
,
Rangelow I.W.
), s. 53-56
artykuł:
An impact of physical phenomena on admittances of partially-depleted SOI MOSFETs
(
Tomaszewski D.
,
Łukasiak L.
,
Gibki J.
,
Jakubowski A.
), s. 57-60
artykuł:
A model of partially-depleted SOI MOSFETs in the subthreshold range
(
Tomaszewski D.
,
Łukasiak L.
,
Jakubowski A.
,
Domański K.
), s. 61-64
artykuł:
Comparison of gate leakage current components in metal-insulator-semiconductor structures with high-k gate dielectris
(
Janik T.
,
Jakubowski A.
,
Majkusiak B.
,
Korwin-Pawłowski M.
), s. 65-69
artykuł:
Reliability of MIS transistors with plasma deposited Al2O3 gate dielectric film
(
Szmidt J.
,
Werbowy A.
,
Dusiński E.
,
Zdunek K.
), s. 70-75
artykuł:
Metastability problems in amorphous silicon
(
Pietruszko S.M.
,
Kostana M.
), s. 76-79
artykuł:
Implementation of the block cipher Rijndael using Altera FPGA
(
Mroczkowski P.
), s. 80-86
rozwiń roczniki
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.