PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 8

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  epitaxial layer
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available On prognosis of variation of properties of epitaxial layers by choosing of temperature field during growth
Pankratov E.L.
Computer Methods in Materials Science
|
2020
|
Vol. 20, No. 1
1--6
EN
In this paper, we analyze the influence of the temperature of growth of epitaxial layers during their growth. Conditions are formulated under which the homogeneity of the properties of the epitaxial layers increases. An analytical approach for the analysis of mass and heat transfer is proposed, allowing at the same time to take into account changes in the parameters of processes both in space and in time, as well as nonlinearity of these processes.
PL
W artykule opisano analizę wpływu temperatury na wzrost epitaksjalnych warstw w procesie technologicznym. Sformułowano szereg warunków dla poprawy jednorodności badanych warstw. Wprowadzono analityczne rozwiązanie dla równania transportu masy i ciepła. To rozwiązanie umożliwiło uwzględnienie zmian parametrów procesu zarówno w przestrzeni jak i w czasie. Ponadto przeprowadzone rozwiązanie pozwoliło na uwzględnienie nieliniowości badanego procesu.
2
Content available Laser synthes and optimization of parameters of thin films and epitaxial layers of In4Se3, In4Te3
Vorobets G. I., Strebezhev V. V., Tkach V. M., Vorobets O. I., Strebezhev V. M.
Journal of Education and Technical Sciences
|
2015
|
Vol. 2, nr 1
5--8
EN
The influence of the modes of laser treatment on the structural-phase state and electrical properties of thin films and epitaxial layers In4Se3, In4Te3, as well as on the thin-film structures with Schottky barrier of type Au - In4Te3 (In4Se3) are investigated. Thin films In4Se3, In4Te3 received by pulsed laser deposition of stoichiometric homogeneous crystalline materials on a dielectric substrate. The epitaxial layers of In4Se3, In4Te3 were obtained by liquid phase epitaxy. Metal contacts are created by thermal spraying of the respective metals in a vacuum p 10-6 ÷ 10-7 Torr. For the correction of electrophysical characteristics of the studied structures the pulse laser irradiation (PLI) with 1,06 m, 1 ÷ 4 ms was used. The surface morphology of the films on various stages of formation of the structures was investigated by SEM and electron diffraction, and the phase composition was monitored by method X - ray spectral electron probe microanalysis. Study of IV characteristics of film contacts Me - In4Te3 (In4Se3) allowed further identify the phase transformation and the basic mechanisms of charge transport in barrier structures after PLI. Investigation of the spectral photosensitivity of film structures showed that under optimum conditions the laser correction can be obtained the shift of the spectral characteristics from 1,7÷1,8 microns to longer wavelengths. The investigated barrier structures may be promising for use as a photodetector for fiber optic communication lines.
3
Content available Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego
Sarnecki J., Brzozowski A., Lipiński D.
Materiały Elektroniczne
|
2014
|
T. 42, nr 1
24--31
PL
Określono warunki i opracowano metodę otrzymywania folii krzemowych o grubości do ~ 100 μm i wymiarach 50 x 50 mm. Metoda ta polega na odrywaniu warstw epitaksjalnych osadzanych na porowatej powierzchni płytki krzemowej typu p+. Opracowano oryginalną metodę odrywania warstwy epitaksjalnej łączącą działanie obniżonego ciśnienia i kąpieli w gorącej wodzie.
EN
A method of obtaining silicon foil with the thickness of up to 100 μm and dimensions 50 x 50 mm was worked out and experimental conditions were determined. This technique consists in the separation of epitaxial layers deposited on the porous surface of the p+ silicon wafer. Such an original method of epitaxial layer separation, combining the effect of low pressure and a bath in hot water, was developed.
4
Content available Wysokorezystywne wzorce do pomiaru profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym
Brzozowski A., Sarnecki J., Lipiński D., Wodzińska H.
Materiały Elektroniczne
|
2013
|
T. 41, nr 4
20--26
PL
Wykonano wzorce do kalibracji układu umożliwiającego wyznaczenie profilu rezystywności w krzemowych warstwach epitaksjalnych typu n i p o orientacji <111> i <100> z pomiarów rezystancji rozpływu styku punktowego (SR). Wykonane wzorce umożliwiają kalibrację systemu i zapewniają pomiar profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych o rezystywności dochodzącej do 10 kΩcm. Wdrożono procedury zawarte w instrukcjach ASTM dla przeprowadzenia pomiarów metodą sondy czteroostrzowej rezystywności monokrystalicznych płytek krzemowych przeznaczonych na wzorce do kalibracji systemu SR.
EN
Si standards for the calibration of a spreading resistance probe for measuring the resistivity profiles of n and p type <111> and <100> oriented silicon epitaxial wafers have been performed. These standards allow both the calibration of the SR system and the measurement of resistivity distribution in silicon epitaxial layers having resistivity of up to 10 kΩcm. Procedures for measuring the resistivity of silicon wafers used as standards for the SR systems calibration by the Four-Point Probe method have been implemented in accordance with the ASTM instruction.
5
Content available Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym
Lipiński D., Sarnecki J., Brzozowski A., Mazur K.
Materiały Elektroniczne
|
2012
|
T. 40, nr 3
28-37
PL
Ustalono warunki wytwarzania warstw o odpowiedniej porowatości zapewniającej osadzanie w procesie epitaksji z fazy gazowej warstw krzemowych o grubości powyżej 50 μm. W zależności od rezystywności płytek krzemowych typu p+ o orientacji <111> oraz <100> określono związek między gęstością prądu trawienia elektrochemicznego, a porowatością wytworzonych warstw porowatych. Otrzymano warstwy porowate z porowatością w zakresie 5 % - 70 %. Ustalono parametry procesu epitaksji i osadzono krzemowe warstwy epitaksjalne o wysokiej perfekcji strukturalnej i zakładanych parametrach elektrycznych.
EN
The conditions for producing layers with proper porosity that allows epitaxial growth of Si layers with the thickness of about 50 μm have been established. The relationship between the layer porosity, current density and substrate resistivity has been determined. The layers with porosity in the range between 5 % and 70 % have been obtained. The parameters of the CVD process have been established. Epitaxial silicon layers of high structural perfection and required electrical parameters have been obtained, which has been confirmed by the XRD and SR measurements as well as SEM observations.
6
Content available remote Modelowanie procesu otrzymywania cienkich warstw epitaksjalnych w zastosowaniu do ogniw słonecznych
Gułkowski S., Cieślak K., Olchowik J. M.
Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Budownictwo i Inżynieria Środowiska
|
2010
|
z.57[271], nr 4
205-210
PL
Przedstawione zostały rezultaty komputerowego modelowania wzrostu cienkich warstw epitaksjalnych otrzymywanych z roztworu. Obliczenia szybkości wzrostu interfejsu warstwy prowadzone były w oparciu o strumienie dyfuzyjne składnika Si rozpuszczonego w roztworze binarnym Si-Sn. Cienkie warstwy epitaksjalne otrzymywane metodą LPE mogą prowadzić do obniżenia kosztów produkcji ogniw fotowoltaicznych, co ma fundamentalne znaczenie w badaniach nad technologią otrzymywania energii ze źródeł odnawialnych.
EN
This work presents results of calculation of the concentration profiles of Si in the Si-Sn rich solution. Influence of the stream of silicon on concentration gradients near the interface and growth rate in normal and lateral direction has been presented. Aspect ration of the grown layer has been calculated. Technology of the obtaining thin epitaxial layer can lead to decrease the total cost of silicon solar cells production. It is a great of importance for obtaining energy form renewable sources.
7
Content available remote Determination of indium and nitrogen content in four-component epitaxial layers of InxGa1-xAs1-yNy deposited on GaAs substrate
Serafińczuk J., Kozłowski J.
Materials Science Poland
|
2008
|
Vol. 26, No. 1
207--212
EN
The paper presents a new method of determination of the percentage content of indium (x) and nitrogen (y) in four-component epitaxial layers of InxGa1-xAs1-yNy, based on a distance between a layer and a substrate reflection for rocking curves obtained from high resolution X-ray diffraction. In the method, a symmetrical (004) and at least two asymmetrical (e.g., (224) and (115)) reflections are taken into consideration. For the investigated ranges of the values of the x, y parameters of the four components, we have described the dependences of distances between reflections .delta..vpi.(004) = f1(x,y), .delta..vpi.(224) = f2(x,y), .delta..vpi.(115) = f3(x,y) based on the rocking curve simulation software HRS (High Resolution Simulation - Philips). Based on the result, we present a procedure which allows us to characterize parameters of the epitaxial layers. The properties of the proposed procedure have been verified on experimental examples.
8
Wavelet shrinkage-based noise reduction from the high resolution X-ray images of epitaxial layers
Kozłowski J., Serafińczuk J., Kozik A.
Materials Science
|
2003
|
Vol. 21, No. 3
345-356
EN
This paper presents advantages of employing the wavelet method in X-ray high-resolution image analysis of nanostructures. It is shown that many more details of the structure examined can be distin-guished in rocking curves (RC) as well as in reciprocal space maps (RSM) after application of the numerical procedure. The method proposed seems to be particularly suitable for imperfect epitaxial layers having significant lattice mismatch with respect to substrate. By means of the wavelet analysis of the X-ray images using de-noising procedure details invisible in raw pictures can be detected such as thickness fringes, gradient of lattice parameters etc., and duration of measurements can be shortened.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.