Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Numerical simulations of epitaxial growth in MOVPE reactor as a tool for aluminum nitride growth optimization

Skibinski J, Caban P., Wejrzanowski T., Grybczuk M., Kurzydlowski K. J.

Journal of Power Technologies

|

2016

|

Vol. 96, nr 2

110--114

EN

The present study concerns numerical simulations and experimental measurements on the influence of inlet gas mass flow rate on the growth rate of aluminum nitride crystals in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy reactor model AIX-200/4RF-S. The aim of this study was to design the optimal process conditions for obtaining the most homogeneous product. Since there are many agents influencing reactions relating to crystal growth such as temperature, pressure, gas composition and reactor geometry, it is difficult to design an optimal process. Variations of process pressure and hydrogen mass flow rates have been considered. Since it is impossible to experimentally determine the exact distribution of heat and mass transfer inside the reactor during crystal growth, detailed 3D modeling has been used to gain insight into the process conditions. Numerical simulations increase the understanding of the epitaxial process by calculating heat and mass transfer distribution during the growth of aluminum nitride crystals. Including chemical reactions in the numerical model enables the growth rate of the substrate to be calculated. The present approach has been applied to optimize homogeneity of AlN film thickness and its growth rate.

2

Półprzewodnikowe lasery dyskowe - korzyści z inżynierii przerwy wzbronionej

Muszalski J., Broda A., Jasik A., Wójcik-Jedlińska A., Sankowska I., Kubacka-Traczyk J., Trajnerowicz A.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2015

|

R. 91, nr 9

143-146

PL

Półprzewodnikowe lasery dyskowe, dzięki połączeniu osiągnięć w dziedzinie konstrukcji otwartych rezonatorów właściwych dla laserów na ciele stałym i współczesnych technologii półprzewodnikowych, pozwalają na konstrukcję emiterów o unikatowych własnościach. Doskonała jakość wiązki gaussowskiej, praca na pojedynczym modzie podłużnym, duża moc, od kilku do kilkudziesięciu watów, i jednocześnie elastyczność inżynierii przerwy wzbronionej determinującej długość fali emisji czynią lasery te szczególnie atrakcyjnymi źródłami emisji koherentnej. W artykule przedstawione zostały właściwości półprzewodnikowych laserów dyskowych i wyniki prac badawczych prowadzonych w Instytucie Technologii Elektronowej.

EN

Semiconductor Disc Lasers profit both from know-haw of the solid state laser resonator set-ups and modern semiconductor epitaxial technology. Excellent optical quality of emitted Gaussian beams, single mode operation, high power ranging from single to tenths of Watts and the flexibility of the band gap engineering of the emission wavelength makes them particularly suitable in very demanding application were no other source exists. In his paper a review on the Semiconductor Disk laser will be provided and the experimental data of the research carried on in Institute of Electron Technology will be presented.

3

Silver nanoparticles in isotactic polypropylene. Part II. Molecular modelling of polypropylene chains arrangement on the surface of silver nanoparticles

Hybiak D., Chmielewska S., Garbarczyk J.

Polimery

|

2015

|

T. 60, nr 11-12

700--704

EN

Molecular modelling (MM) was used to explain the mechanism of formation of polymorphic form of isotactic polypropylene (iPP) at the surface of the silver nanoparticles (nAg). Geometrical optimization of iPP chains and unit cell of Ag systems was made with the use of MM+force field in vacuum. According to the results, the arrangement of methyl groups in the (110) contact plane implies a lateral packing of helices with a periodicity α ≈ 19 Å, which is a characteristic feature of the complicated packing of helices in β iPP. Partial charges calculated on the basis of the hybrid potential BLYP revealed the possibility of electrostatic interactions between hydrogens from methyl groups and silver atoms at the edge of unit cell. Analysis of the optimized iPP/Ag system confirmed that the formation of the polymorphic β iPP can be explained by the epitaxial mechanism.

PL

W celu wyjaśnienia mechanizmu tworzenia się formy β izotaktycznego polipropylenu (iPP) na powierzchni nanocząstek srebra (nAg) wykorzystano modelowanie molekularne (MM). Wykonano optymalizacje geometryczne układów iPP z nAg przy użyciu pola siłowego MM+ w próżni. Stwierdzono, że ustawienie grup metylowych w płaszczyźnie kontaktu (110) ujawnia boczne upakowanie helis z okresowością α ≈ 19 Å. Jest to cecha charakterystyczna dla upakowania helis w formie β iPP. Wyniki obliczeń ładunków cząstkowych przy użyciu potencjału hybrydowego BLYP wskazują na możliwość występowania oddziaływań elektrostatycznych między wodorami z grup metylowych łańcuchów iPP i atomami srebra leżącymi na krawędziach komórki elementarnej. Analiza optymalizowanych układów potwierdziła, że oddziaływanie atomów srebra z makrocząsteczką iPP może się przyczyniać do tworzenia polimorficznej formy β na drodze mechanizmu epitaksjalnego.

4

Nanodruty InP do zastosowań w fotowoltaice

Dumiszewska E., Grodecki K., Krajewska A., Jóźwik I., Strupiński W.

Materiały Elektroniczne

|

2015

|

T. 43, nr 4

4--9

PL

W pracy zaprezentowano technologię wytwarzania nanodrutów InP na podłożach InP o orientacji (100) oraz (111)B oraz nanodrutów GaAs na podłożach GaAs o orientacji (100) i (111). Nanodruty zostały wykonane za pomocą metody Epitaksji z Fazy Gazowej z Użyciem Związków Metaloorganicznych (MOVPE). Jako katalizator wzrostu wykorzystano nanocząstki złota o średnicy ~ 30 nm. Wszystkie prace zostały wykonane w zakładzie Epitaksji i Charakteryzacji Związków Półprzewodnikowych ITME.

EN

In this work the production methods of InP nanowires on InP (100) and (111)B substrates and GaAs nanowires on (100) and (100) substrates are presented. The nanowires were grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE). Gold nanoparticles having a diameter of around 30 nm were used as a growth catalyst. All growth processes were carried out in the Department of Epitaxy and Characterization of ITME.

5

Wielozłączowe ogniwa słoneczne

Dumiszewska E., Knyps P., Wesołowski M., Strupiński W.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2014

|

R. 90, nr 5

215--221

PL

W pracy przedstawiono przegląd różnych technologii ogniw słonecznych. W dalszej części pracy skoncentrowano się na ogniwach wytwarzanych z materiałów AIIIBV – wielozłączowych ogniwach słonecznych. Technologia takich ogniw jest rozwijana w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych. Wytworzonostruktury wielozłączowych ogniw słonecznych oraz gotowe przyrządy.

EN

In this work a variety of solar cell technologies have been presented. AIIIBV multijunction solar cells have been subsequently described. The methodology of their production has been developed at the Institute of Electronic Materials Technology. So far the epi structures of multijunction solar cells and solar cells have been manufactured.

6

Niebieskie, zielone i białe emitery światła wytwarzane z półprzewodników AIII-BN

Rudziński M., Wesołowski M., Strupiński W.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2014

|

R. 90, nr 7

1--13

PL

Postępy w ostatnich dwudziestu pięciu latach w epitaksji i technologii wytwarzania materiałów z grupy AIII-BN doprowadziły do wytworzenia komercyjnych, wysoko wydajnych źródeł światła emitujących w kolorach ultrafioletu, niebieskim, zielonym i białym. W pracy przedstawiono przegląd technologii wytwarzania diod elektroluminescencyjnych z materiałów AIII-BN, między innymi różne rozwiązania strukturalne, uwzględniające właściwości materiałowe i wymagania wzrostu krystalicznego MOCVD. Przeanalizowano różne konstrukcje ekstrakcji światła, które są istotne dla uzyskania jak najwyższej wydajności zewnętrznego świecenia. Zaprezentowano najnowsze osiągnięcia dotyczące zewnętrznej wydajności kwantowej dla wysokiej mocy diod elektroluminescencyjnych, jak również wydajności świecenia białych diod opartych na konwersji światła przy użyciu luminoforów.

EN

Recent twenty five years of advances in epitaxial growth and fabrication technologies for the III-Nitrides have led to commercially available, high efficient solid state devices that emits ultraviolet, blue, green and white light. In this work LEDs technologies based on III-Nitrides have been presented. Different structural design choices are described, taking into account specific material properties and MOCVD crystal growth requirement. We review various light extraction schemes which are important for achieving the highest possible light output efficiencies. Recent performance in external quantum efficiency for high power LEDs is reviewed, as well as luminous efficacy of white LEDs based on luminophores down-conversion.

7

Modyfikacja technologii polerowania płytek GaSb stosowanych jako podłoża w procesie epitaksji

Smoczyński D.

Materiały Elektroniczne

|

2014

|

T. 42, nr 2

5--12

PL

Celem pracy była modyfikacja technologii obróbki mechaniczno – chemicznej powierzchni płytek antymonku galu (GaSb), oferowanych przez Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych w celu uzyskania powierzchni o jakości epi-ready, spełniającej wymagania stawiane płytkom podłożowym stosowanym w procesie epitaksji. Zbadano wpływ sposobu trawienia płytek na stopień zanieczyszczenia powierzchni. Stwierdzono, że trawienie w kwasie nieorganicznym ma wpływ na czystość powierzchni. Wymieniono wosk polerski rozpuszczalny w trójchloroetylenie na wosk rozpuszczalny w alkoholu. Wyeliminowano etap mycia płytek w parach wrzącego alkoholu mogących pozostawiać smugi. Wprowadzenie powyższych modyfikacji zmniejszyło gęstość zanieczyszczeń oraz grubość powłoki tlenkowej. Znacząco zmniejszono też chropowatość powierzchni, która dyskwalifikowała podłoża jako epi-ready.

EN

The purpose of this study was to modify the mechanical-chemical treatment technology of epi-ready GaSb substrates produced at the Institute of Electronic Materials Technology. Another aim was to minimize and eliminate the sources of oxidation and contamination generated on the surface of wafers at the washing stage. The effect of substrate etching on the amount of residual contaminants remaining on the surface was investigated. It was found that etching in an inorganic acid has an influence on the purity of the surface. Polishing wax soluble in trichloroethylene was replaced by wax soluble in alcohol. The stage of substrate washing in boiling alcohol was skipped, because it was likely to leave streaks on the surface. As a result of these modifications the thickness of oxide films, which substantially increased the surface roughness and disqualified the use of wafers as epi-ready substrates, was succesfully reduced.

8

Technologia LP-MOVPE heterostruktur InGaAs/InP do konstrukcji kwantowych laserów kaskadowych

Badura M., Bielak K., Ściana B., Radziewicz D., Pucicki D., Dawidowski W., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2014

|

Vol. 55, nr 11

34-36

PL

Kwantowe lasery kaskadowe (QCLs), tzw. lasery unipolarne, które emitują fale o długości z zakresu okna atmosferycznego 3…5 μm, wymagają zastosowania układu materiałowego o dużej nieciągłości pasma przewodnictwa i bardzo dobrej przewodności cieplnej. Wymagania te spełnia układ materiałowy InGaAs/AlInAs/InP. W pracy przedstawiono wyniki badań związanych z epitaksją związków potrójnych InGaAs, dopasowanych sieciowo do InP, przy zastosowaniu niskociśnieniowej metody MOVPE. Pierwszym etapem badań było opracowanie kinetyki wzrostu niedomieszkowanych warstw In- GaAs, dopasowanych sieciowo do InP. Otrzymane warstwy wykazały bardzo dobre właściwości optyczne, co zostało potwierdzone wynikami pomiarów fotoluminescencji. Morfologia tych warstw, badana przy użyciu mikroskopu AFM, wykazała tarasowy wzrost typu „step-flow” i atomową gładkość powierzchni. Kolejnym etapem prowadzonych badań są prace technologiczne związane z domieszkowaniem heterostruktury InGaAs/InP krzemem.

EN

Quantum cascade lasers (QCL) so-called unipolar lasers, which emit light with wavelength at range of atmospheric window 3÷5 μm, require construction from the material system with sufficient conduction band discontinuity and high thermal conductivity. Such requirements are fulfilled by InGaAs/AlInAs/InP. In these paper are shown results of investigation of metalorganic vapor phase epitaxy of ternary alloy InGaAs lattice matched to InP. Grown layers have good optical properties, what is confirmed by photoluminescence measurements. Surface morphology of described samples tested by AFM exhibits step-flow growth and atomic scale surface smoothness. The next stage of ours research will be focused on n-type doping of InGaAs/InP heterostructure with SiH4 as a dopant source.

9

Tutorial on epitaxy of semiconductor materials

Pucicki D., Ściana B., Bielak K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 7

35-44

EN

In this paper there was presented the brief overview of the semiconductor structures epitaxial growth including different modes of epitaxial growth and different epitaxial techniques. The modes of the growth which enable to fabricate semiconductor structures, both with almost perfect planar layers and with more advanced three dimensional objects, were discussed. Several techniques of growth of semiconductor materials and heterostructures were presented together with concise information about the advantages and disadvantages of each of them. Technological requirements which should be fulfilled in order to fabricate advanced semiconductor devices and few aspects of the epitaxai growth were talked over as well.

PL

W pracy przedstawiono podstawowe zagadnienia dotyczące epitaksji związków półprzewodnikowych, wliczając w to omówienie różnych modów epitaksjalnego wzrostu oraz różnych technik epitaksji. Omówione zostały mody epitaksjalnego wzrostu umożliwiające wytwarzanie struktur atomowo gładkich warstwa po warstwie oraz bardziej zaawansowanych struktur trójwymiarowych. Przedstawione zostały różne techniki epitaksji związków półprzewodnikowych wraz z krótką charakterystyką ich wad i zalet. Omówione zostały również wymagania technologiczne jakie muszą zostać spełnione w celu wytwarzania zaawansowanych przyrządów pół przewodnikowych.

10

Epitaksja MOCVD naprężonych struktur kwantowych laserów kaskadowych InGaAs/InAIAs/InP

Wesołowski M., Strupiński W., Gaca J., Wójcik M., Dumiszewska E., Caban P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 10

23-25

PL

Przedmiotem pracy jest zastosowanie technologii epitaksji ze związków metaloorganicznych (MOCVD) do otrzymania laserów kaskadowych (QCL) na podłożach InP. Wykonano hetrostruktury półprzewodnikowe laserów zbudowane z supersieci InGaAs/InAIAs ze skompensowanymi naprężeniami. Lasery takie są najważniejszym rodzajem przyrządów QCL o emisji w przedziale 3-8 µm. Otrzymanie heterostruktur o zadanych wcześniej parametrach wiąże się z bezprecedensową w epitaksji półprzewodników precyzją składów, grubości i międzypowierzchni warstw składowych. Dokładność tę osiągnięto poprzez optymalizację parametrów i organizacji procesów oraz poprzez dobór odpowiednich metod charakteryzacyjnych. Jako główne narzędzie charakteryzacyjne zastosowano analizę profili dyfrakcji rentgenowskiej. Uzyskane wyniki pokazują rozwiązania problemów specyficznych dla technologii opracowywanych heterostruktur oraz skuteczność metod dyfrakcji w tym przypadku. Miarą sukcesu prezentowanych prac było uzyskanie w oparciu o wykonane heterostruktury poprawnie działających laserów. Wśród ciekawych obserwacji znalazły się widoczne w krzywych dyfrakcyjnych przejawy braku podstawowej koherencji periodyczności supersieci struktury z periodycznością sieci krystalicznej.

EN

We grew strain-compensated InGaAs/InAIAs/InP mid-infrared quantum cascade lasers by MOCVD. The required unprecedented accuracy of layers stoichiometry and thickness, together with the high purity of the compounds and suitable process repeatability are the prime challenges for this technology. This necessary precision was obtained through the optimisation of growth parameters, processes organisation as well as development and application of adequate characterisation methods. X-ray diffraction spectroscopy combined with a corresponding simulation tool for the diffraction profile analysis enabled the effective recognition of the epitaxial structures. This approach showed several solutions to specific problems. The proper working lasers processed from the developed structures can be treated as the measure of success. Among other results there is an interesting observation of the incoherence of the superlattice and crystal lattice periodicity seen as the additional features in the XRD profiles.

11

Charakteryzacja warstw epitaksjalnych z tellurku kadmowo-rtęciowego (Hg1-XCdXTe) za pomocą wykonanych fotodiod

Królicka A.

Materiały Elektroniczne

|

2011

|

T. 39, nr 3

14-29

PL

Celem pracy było opanowanie metody szybkiej charakteryzacji fotodiod z tellurku kadmowo-rtęciowego - HgCdTe - otrzymywanych metodą MOCYD (Metal Organie Chemical Vapor Depositiori) tzn. techniką osadzania warstw na powierzchni materiałów poprzez stosowanie związków metaloorganicznych w formie gazowej oraz analiza tej metody. W pierwszej kolejności otrzymane warstwy epitaksjalne poddawano procesowi technologicznemu i w ten sposób uzyskiwano gotowe fotodiody. Dokonano też pomiarów czasu trwania poszczególnych etapów procesu technologicznego. Uzyskane detektory poddawano następnie pomiarom w celu wyznaczenia ich charakterystyk prądowo-napięciowych oraz spektralnych. Na podstawie analizy tych charakterystyk oraz z wykonanych obliczeń otrzymano parametry diod, które następnie porównano z parametrami na jakie zaprojektowano heterostruktury oraz z wartościami literaturowymi. Zarówno w tym przypadku, jak i podczas przeprowadzania procesu technologicznego dążono do jak największego zminimalizowania czasu potrzebnego na wykonanie każdego etapu przy jednoczesnym zachowaniu staranności i dokładności wykonywanych czynności. Istotą postępowania było bowiem jak najszybsze uzyskanie informacji zwrotnej dotyczącej parametrów otrzymanych heterostruktur w celu porównania ich z założeniami wstępnymi i ewentualnego szybkiego skorygowania procesu epitaksji, dążąc tym samym do jego usprawnienia.

EN

The aim of this study was to master a method for a quick characterization of mercury cadmium telluride (HgCdTe) photodiodes obtained by MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method, which was achieved. First, the obtained epitaxial layers were subjected to the technological process procedures and thus complete photodiodes were fabricated. The duration of measurements of each process stage was quantified. Detectors were then measured to determine their current-voltage and spectral characteristics. On the basis of the analysis of both these characteristics and calculations, the parameters of diodes were obtained. They were subsequently compared with the parameters of designed target heterostructures and with literature values. Both here and during the process the goal was to minimize as much as possible the time needed to complete each stage, while maintaining diligence and accuracy of the performed operations. The essence was to be provided with rapid feedback concerning the parameters of the obtained heterostructures in order to compare them with the initial assumptions and, if needed to correct next epitaxy processes, aiming at their improvement.

12

Zastosowanie technologii MOCVD w dziedzinie laserów antymonkowych z heterozłączem I-go rodzaju

Wesołowski M., Strupiński W., Pruszyńska-Karbownik E., Motyka M., Sęk G., Wójcik-Jedlińska A., Pierściński K., Pierścińska D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 10

25-28

PL

Zastosowanie technologii epitaksji MOCVD (Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy) w przypadku optoelektronicznych przyrządów półprzewodnikowych otrzymywanych ze związków antymonu napotyka na problem w postaci zanieczyszczenia węglem i tlenem warstw zawierających glin. W związku z powyższym opracowano skuteczną technologię MOCVD struktur przyrządów antymonkowych w przypadkach, gdy nie ma konieczności wprowadzania do warstw atomów tego pierwiastka, jest tak np. w dziedzinie niektórych konstrukcji ogniw termo-foto-woltaicznych oraz detektorów ln(Ga)(As)Sb/GaSb. Odmienne natomiast okoliczności występują w dziedzinie laserów heterozłączowych InGaAsSb/AIGaAsSb/GaSb. W tym przypadku opublikowano dotychczas tylko jeden przypadek działającego lasera, nie udało się przy tym osiągnąć trybu pracy ciągłej. Celem przeprowadzonych badań była weryfikacja trudności tej technologii oraz próba ich pokonania poprzez zastosowanie optymalnego zestawu prekursorów. Przedstawione są wyniki prac nad otrzymywaniem warstw tworzących heterostrukturę oraz wyniki charakteryzacyjne heterostruktur. Porównanie jakości struktur otrzymanych w oparciu o zastosowane prekursory alternatywne DMEAAI (dwu-metylo-amino-diolan-glinu) oraz TEGa (trój-etylek-gaIu) z warstwami wykonanymi przy zastosowaniu prekursorów TMAI (trój-metylek-glinu) oraz TMGa (trój-metylek-galu) wykazało poprawność koncepcji. Pokazane są wyniki symulacji numerycznych uwzględniających problematykę domieszkowania okładek i barier laserów. Umożliwiają one optymalizację projektu struktury dla epitaksji w technologii MOCVD.

EN

The application of the MOCVD (metal organic vapor phase epitaxy) epitaxial growth method to optoelectronic semiconductor devices based on antimony compounds is problematic primary due to the carbon and oxygen contamination of layers containing aluminum. Thus, an effective MOCVD technology for antimonide devices, which do not incorporate atoms of this element in heterostructures, has been established. It concerns some thermophotovoltaic cells or ln(Ga)(As)Sb/GaSb detectors. The situation of InGaAsSb/AIGaAsSb/GaSb heterojunction lasers is dissimilar, since up to this point only one instance of a working laser has been reported; additionally, continuous wave operation has not been shown. The predominant goal of this study has been to verify the technology and to overcome its difficulties by using currently optimal precursors. Both the results of work on the process of obtaining single layers and the characterization results for laser heterostructures are presented. The comparison of the quality of the structures produced using alternative precursors DMEAAI (di-methyl-ethyl-amino-alane) as well as TEGa (tri-ethyl-galium) and the structures obtained with the use of TMAI (tri-methyl-aluminum) and TMGa (tri-methyl-galium) precursors proved the correctness of the concept. Numerical simulations of the laser devices considering the specific barrier and cladding layers doping issue are presented.

13

Epitaksja warstw GaSb, InGaSb oraz InGaAsSb na podłożach GaSb metodą MOCVD

Wesołowski M., Strupiński W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 1

77-79

PL

Przedmiotem prezentowanych badań jest technologia epitaksji MOCVD na podłożach GaSb warstw GaSb oraz niektórych innych materiałów III-V zawierających antymon. Przeprowadzenie optymalizacji procesu epitaksjalnego oraz przygotowania podłoży pozwoliło pokonać podstawowe charakterystyczne problemy tej technologii. Zamieszczone dane analizy właściwości warstw: fotoluminescencji, rozpraszania rentgenowskiego, absorpcji, SIMS, mikroskopii optycznej oraz AFM wykazują dobrą jakość strukturalną, inne parametry, jak np. właściwości nośników, wymagają dalszej optymalizacji. Natrafiono na problemy w postaci dużej zawartości węgla i tlenu, trudności związane z obecnością tlenku na powierzchni podłoży oraz inne charakterystyczne problemy epitaksji MOCVD związków zawierających antymon.

EN

We present experimental results of MOCVD epitaxy of GaSb and some other III-V antimony-containing semiconductors on GaSb substrates. Through optimisation of epitaxy process and substrate preparation we resolved several specific technological issues. Observed characteristic relatively high contamination by oxygen and carbon can introduce difficulties in device applications. We have recognized and resolved problems related to the facility of oxide creation on the GaSb surface. We show characterisation results derived by photoluminescence, X-ray diffraction, absorption, SIMS, optical microscopy, AFM and other.

14

Technologia MOCVD materiałów zawierających antymon na podłóżach GaSb dla zastosowań w optoelektronice

Wesołowski M., Strupiński W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 5

49-52

PL

Przedstawione badania skupione są na zagadnieniu epitaksji MOCVD warstw półprzewodników III-V z antymonem na podłożach GaSb. Materiały te znajdują obecnie zastosowanie w przyrządach optoelektronicznych, jednak technologia MOCVD w ich przypadku przynosi wiele wyzwań, nowych w porównaniu z bardzo dobrze już określoną technologią dla arsenków lub fosforków. W artykule zamieszczono głównie wyniki wzrostu warstw GaSb, InGaSb oraz InGaAsSb, optaymailizacja technologii oraz podstawowe problemy jakie rozwiązano i jakie wymagają rozwiązania.

EN

We present research on MOCVD epitaxy of III-V antimony-containing semiconductors on GaSb substrates. The interest in these materials outcomes from their actual and potential applications in electronics, however the MOCVD technology in this case brings many new issues if compare with well established MOCVD epitaxy of arsenides or phosphides. We show main results of growth of GaSb, InGaSb and InGaAsSb Iayers, technology optimisation and basic problems which are already resolved or need to be resolved. The analysis by semiconductor characterisation techniques: microscopy, photoluminescence, X-ray diffraction, photoreflectance and other are presented. We also consider application of developed technology in infrared semiconductor lasers.

15

Epitaksja węglika krzemu metodą CVD

Strupiński W., Kościewicz K., Wesołowski M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 7-8

36-40

PL

W pracy przedstawiono główne rezultaty badań nad wzrostem epitaksjalnym warstw SiC metodą CVD. Opracowano technologię przygotowania powierzchni podłożowych płytek komercyjnych SiC do wzrostu epitaksjalnego poprzez trawienie in situ w mieszance wodoru i propanu. Zbadano i zoptymalizowano warunki wzrostu niedomieszkowanych warstw SiC metodą CVD o grubości do 10 mikrometrów. Opracowano technologię domieszkowania donorami i akceptorami w zakresie koncentracji wymaganych w technologii przyrządów. Opracowano metodykę charakteryzacji własności strukturalnych, w tym morfologii powierzchni osadzanych warstw, grubości i jednorodności grubości na płytce o średnicy 2 cale oraz własności elektrycznych. Zbadano podstawowe zależności między parametrami procesu epitaksji a własnościami wytwarzanych warstw SiC. Porównano wyniki pomiarów metodą PL warstw komercyjnych i warstw epitaksjalnych SiC wykonanych w ITME.

EN

In the paper, the main results on epitaxial growth of SiC by CVD method has been presented. The influence of in situ etching of Si-face n-4H-SiC wafers in H2 and propane on the surface morphology of the grown epi-layers were examined. The hydrogen-propane mixture etching was verified as a tool for substrate surface improvement. Growth parameters of SiC epitaxial layers of thickness 10 µm have been developed as well as doping technology with n- and p-type dopant in the required range of concentration. Structural features including surface morphology, thickness, thickness homogeneity of epilayers deposited on 2 inches wafer have been examined. Correlations between growth conditions and epilayers parameters were subject of studies. Measuremets by PL were applied in order to compare commercial layers to ones produced at ITME.

16

Węglik krzemu i jego zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur : projekt konkursowy, geneza, założenia i przewidywane efekty

Szmidt J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 9

5-10

PL

W pracy przedstawiono genezę ogłoszenia konkursu na Projekt Badawczy Zamawiany dotyczący węglika krzemu i sformułowanie przez 19 jednostek badawczych całościowej oferty zawierającej 32 projekty cząstkowe. Omówiono założenia i główne cele sformułowane w tej ofercie oraz planowane wyniki, jakie zamierzają osiągnąć jej autorzy. Praca stanowi wstęp do następnych trzech artykułów opisujących proponowane założenia i metody realizacji zadań wymienionych w ogłoszeniu konkursowym Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego.

EN

This paper presents the genesis of announcing the competition for Ordered Research Project concerning silicon carbide and formulation by 19 research units the general offer, comprising of 32 partial projects. The assumptions and main goals of this offer as well as anticipated effects are also discussed here. This paper is the introduction to next three articles describing proposed assumptions and realization methods of the tasks listed in the competition announcement of the Minister of Science and Higher Education.

17

Opracowanie metod projektowania oraz wytwarzania struktur i przyrządów na podłożu z węglika krzemu

Lisik Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 9

14-16

PL

W odpowiedzi na ogłoszenie Projektu Zamawianego "Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowanie w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur" zgłoszono pakiet projektów badawczych, który składa się z czterech bloków, odpowiadających czterem zadaniom zawartym w ogłoszeniu. Artykuł zawiera przegląd 16 projektów zgłoszonych w zadaniu 2, które dotyczy metod projektowania oraz wytwarzania struktur i przyrządów w podłożu z węglika krzemu. Ujęto je w trzech blokach. Pierwszy z nich (6 projektów) dotyczy metod charakteryzacji niezbędnych dla monitorowania podłoży przed i pomiędzy procesami technologicznymi, drugi (6 projektów) dotyczy metod projektowania oraz procesów technologicznych niezbędnych dla wytwarzania przyrządów z SiC, natomiast trzeci (4 projekty) opracowania technologii realizacji wybranych przyrządów z SiC, takich jak sensory, diody i tranzystory.

EN

The proposal of package with research grants has been prepared as the answer to the call for the Ordered Project "New technologies based on silicon carbide and their application in high frequency electronics, power electronics and high temperature electronics". It consists of four blocks corresponding to four items listed in the call. The paper covers the review of 16 grants proposed for the second items aimed at the methods for design and manufacturing of structures and devices in SiC substrate. They are collected in three blocks, the first one, covering 6 grants, deals with the characterization methods necessary for substrate monitoring before and between technology processes, the second one, covering 6 grants, deals with the design and technology processes necessary for SiC device fabrication, whereas the third one, covering 4 grants, deals with working out the technologies of selected SiC devices like sensors, diodes and transistors.

18

Badania wzrostu HgCdTe metodą MOCVD w laboratorium VIGO/WAT

Gawron W., Grudzień M., Kłos K., Piotrowski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 3

14-19

PL

Od 2003 r. w laboratorium VIGO/WAT prowadzono badania nad wzrostem heterostruktur Hg1-xCdxTe o niemal dowolnych profilach składu i poziomie domieszkowania, niezbędnych dla zaawansowanych przyrządów fotoelektrycznych. MOCVD w zastosowaniu do Hg1-xCdxTe jest jedną znajtrudniejszych technologii epitaksjalnych. Omówiono zagadnienia związane ze wzrostem i charakteryzacją warstw Hg1-xCdxTe w technologii MOCVD. Dokonano pomiarów insitu względnego stężenia związków metaloorganicznych analizatorem gazu własnej konstrukcji. Podsumowano stan domieszkowania warstw Hg1-xCdxTe z uwzględnieniem ostatnich badań. Opracowana technologia MOCVD została zastosowana do otrzymywania wszystkich typów produkowanych w VIGO System detektorów podczerwieni pracujących w temperaturach pokojowych.

EN

Since 2003 VIGO System S.A. together with MUT (Military University of Technology) are doing joint efforts to improve MOCVD growth of Hg1-xCdxTe. Photodetectors optimized for any wavelength within 1-15 um spectral range requires complex heterostructures with multiple layers with homogeneous composition and doping, characterized by steep interfaces. Hg1-xCdxTe growth with interdiffused multilayer process (IMP) technique has been improved using self-made in-situ monitoring of gas delivery to the growth zone. The other issues addressed in this work were growth of heavy As-doped low-x and heavy l-doped high-x materials. Special modification to IMP process has been applied for in-situ control of stoichiometry. To maintain low vacancy concentration, special growth finish procedure has been developed. No post-growth thermal anneal was necessary for device-quality material. The MOCVD grown heterostructures have been successfully used for advanced uncooled infrared photodetectors such as multiple heterojunction photodiodes, multicolor and multiabsorber devices with specially shaped spectral response.

19

Nisze rynkowe szansą dla polskiej elektroniki : na przykładzie VIGO System S.A.

Piotrowski J., Grudzień M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 5

11-17

PL

Omówiono zagadnienia rozwoju małych firm zajmujących się zaawansowanymi technologiami elektronicznymi w Polsce. Na przykładzie firmy VIGO System S.A. pokazano możliwości skutecznego opanowania nisz w dziedzinie optoelektroniki na rynku światowym. Przedstawiono metody umacniania pozycji konkurencyjnej i wizerunku firmy na rynku.

EN

Some issues of development of small, high-tech electronics, enterprises in Poland are discussed. Based on an example of VIGO System S.A., the possibility of world niche market capturing, company competition position and image reinforcement has been shown.

20

Wpływ parametrów technologicznych na właściwości epitaksjalnych warstw węglowych osadzanych z fazy gazowej na podłożach krzemowych

Żelazko J.

Materiały Elektroniczne

|

2004

|

T. 32, nr 1-4

36-48

PL

Omówiono wpływ parametrów technologicznych na właściwości warstw węglowych otrzymywanych w procesie plazmowego osadzania z fazy gazowej. Zbadano wpływ autopotencjału katody oraz składu użytych gazów na strukturalne, elektryczne i chemiczne właściwości warstw. Stwierdzono, że typ hybrydyzacji wiązań pomiędzy atomami węgla w warstwie w decydującym stopniu zależny jest od składu fazy gazowej w komorze reaktora.

EN

In this work the influence of plasma deposition parameters on the properties of carbon layers is discussed. The dependence of the structural, electrical and chemical properties of the layers on the r.f. electrode negative selfpolarisation potential as well as on the ambience composition is studied. It is shown that the change of the gaś phase composition has a decisive influence on the bond hybridization of carbon atoms forming the layer.