PL
|
EN
Szukaj
Przeglądaj
Pomoc
O bazie
test
Preferencje
Polski
English
Język
Widoczny
[Schowaj]
Abstrakt
10
20
50
100
Liczba wyników
Tom - szczegóły
Adres strony
Kopiuj
Tytuł artykułu
T. 32, nr 1-4
Czasopismo
Materiały Elektroniczne
Wydawca
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Rocznik
2004
Identyfikatory
Zawartość wolumenu
T. 32, nr 1-4
artykuł:
SiC Schottky Barrier Rectifiers - Theory and Practice
(
Synowiec Z.
), s. 5-22
artykuł:
Wpływ szerokości pasma przenoszenia przetwornika konduktancyjno-napięciowego na dokładność wyznaczania parametrów centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej
(
Pawłowski M.
), s. 23-35
artykuł:
Wpływ parametrów technologicznych na właściwości epitaksjalnych warstw węglowych osadzanych z fazy gazowej na podłożach krzemowych
(
Żelazko J.
), s. 36-48
artykuł:
Kryształy Yb:Sr3Y(B03)3 do budowy pompowanych diodowo laserów femtosekunkowych
(
Szyrski W.
,
Malinowski M.
,
Kiesielewski J.
,
Świrkowicz M.
,
Pawlak D.
,
Kłos A.
,
Diduszko R.
), s. 49-63
rozwiń roczniki
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.