PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 18

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Badania międzylaboratoryjne komercyjnego urządzenia medycznego
Woźnica T., Bieniek T.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 2
11-13
PL
Artykuł opisuje metody oraz wyniki badań kompatybilności elektromagnetycznej rzeczywistego, komercyjnego urządzenia medycznego, przeprowadzonych przez dwa laboratoria, wykorzystujące znacząco różny zestaw aparatury badawczej.
EN
The paper presents a results and method of the electromagnetic compatibility tests of the commercial medical device. The tests have been made by two different EMC laboratories with using significantly different test set-up.
2
Implementation of FD SOI CMOS Technology in ITE
Kucharski K., Renaux C., Crahay A., Grabiec P., Grodner M., Bieniek T., Panas A., Sierakowski A., Kłos H., Tomaszewski D., Obrębski D., Marczewski J., Flandre D.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 3
13-15
EN
In the present paper, the current status of work on the transfer of a fully-depleted silicon-on-insulator (FD SOI) CMOS technology from Université catholique de Louvain (UCL) to Instytut Technologii Elektronowej (ITE) is described. This task is carried out within the TRIADE' FP7 project oriented towards development of analog and digital blocks coupled with sensors for low-volume high-performance applicalions in aeronautics. The paper describes issues and solution methods used for SOI substrate preparation and CMOS technology implementation. The test structures used for technology evaluation are briefly described. The ellipsometric and electrical measurements are presented, and their preliminary results are outlined. Finally, works on design kit implementation and further works related to application of the technology for integrated circuits manufacturing are described.
PL
W prezentowanej pracy opisany został stan prac w zakresie implementacji w Instytucie Technologii Elektronowej (ITE) technologii wytwarzania całkowicie zubożonych układów scalonych i struktur CMOS SOI (FD SOI CMOS) opracowanej oryginalnie w Universite catholiqué de Louvain (UCL). Zadanie to jest wykonywane w ramach projektu badawczego 7 Programu Ramowego DE pod nazwą TRIADE, zorientowanego na opracowanie analogowych i cyfrowych bloków funkcjonalnych połączonych z czujnikami w celu ich zastosowania w aeronautyce. Praca składa się z części przedstawiających problemy i metody ich rozwiązania w poszczególnych fazach przygotowania płytek podłożowych SOI oraz implementacji technologii wytwarzania struktur CMOS. Omówione zostały w skrócie struktury testowe stosowane do oceny technologii, a także wyniki ich pomiarów elipsometrycznych i elektrycznych. Przedstawione zostały także prace nad implementacją pakietu technologicznego (ang. design kit) i dalsze prace ukierunkowane na wytwarzanie układów scalonych w tej technologii.
3
Content available remote Zaawansowane modelowanie warstw diamentowych CVD w zastosowaniach MEMS/MOEMS
Kociubiński A., Duk M., Bieniek T., Janczyk G.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 7
221-223
PL
W artykule przedstawiono i omówiono zastosowanie warstw diamentowych osadzanych metodą CVD w systemach typu MEMS i MOEMS. Porównano fizyczne właściwości warstw diamentowych z właściwościami krzemu. Jako przykład przedstawiono założenia i wyniki symulacji typowej struktury mikromechanicznej wytworzonej z warstwy diamentowej i warstwy krzemowej. Wszystkie symulacje zostały wykonane dedykowanym oprogramowaniem do symulacji systemów typu MEMS - CoventorWare ™.
EN
of CVD diamond layers have been compared with silicon layer properties. As an example of diamond-based and silicon-based devices, modeling issues and results of simulations performed for typical MEMS structure have been presented and discussed. All simulations have been carried out within the specialized simulation environment - CoventorWare™.
4
Content available remote Modelowanie 3-wymiarowe anizotropowego trawienia krzemu
Duk M., Kociubiński A., Bieniek T., Janus P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 7
281-283
PL
W artykule zostały przedstawione metody optymalizacji parametrów w programie Etch3D oraz wyniki symulacji trawienia krzemu w KOH w porównaniu ze strukturami próbnymi. Celem niniejszych badań była kalibracja parametrów symulatora do warunków procesów przeprowadzanych w ITE. Do analizy wpływu parametrów funkcji RPF (ang. Remove Probability Function) na parametry wyjściowe, zastosowano metodę Taguchiego. Pozwoliło to na optymalizację wyników symulacji do rzeczywistych procesów trawienia przeprowadzanych w ITE.
EN
The methods of parameters optimization in the program Etch3D and results of simulations of silicon etching in KOH in comparison with experiments are presented. The aim of this study was to calibrate the tool to a set of process conditions that is offered by ITE. The Taguchi approach [4] was used to analyze the influence of every RPF (Remove Probability Function) parameter on one or more output parameters. This allowed tuning the results of simulation to results of real etching performed at ITE.
5
Content available remote Fizyczne aspekty niezawodności w modelowaniu zintegrowanych mikrosystemów
Bieniek T., Janczyk G., Grabiec P., Szynka J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 10
9-12
PL
Intensywny rozwój technologii w przemyśle półprzewodnikowym wymusza adekwatne tempo rozwoju narzędzi wykorzystywanych do projektowania układów i mikrosystemów scalonych. Jednocześnie do procesu projektowania wprowadzane są dedykowane metody projektowania i współpracy skracające czas projektowania i poprawiające końcową niezawodność układów. Przyczynia się to do redukcji kosztów projektowania oraz czyni bardziej wiarygodnymi symulacje służące weryfikacji poprawności projektu. W ostatecznym rozrachunku ograniczony zostaje również ostateczny koszt produkcji przedmiotowych układów i mikrosystemów scalonych.
EN
Intensive development of semiconductor fabrication technologies simultaneously stimulates evolution of applied methods and tools. Novel methods applied to keep abreast of progress in IC, and microsystems technology shorten time to market and improve final device reliability. It contributes to reduction of design expenses, and makes simulations of the design used for verification more reliable and accurate. Finally, the ICdevice/ MEMS-microsystem fabrication cost is also reduced.
6
Rapid prototyping of electrostatically-driven MEMS
Kaliciński S., Janus P., Bieniek T., Domański K., Ekwińska M., Sierakowski A., Szmigiel D., Grabiec P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 6
114-115
EN
This paper presents a novel processing approach for rapid prototyping of electrostatically-driven MEMS. This approach is likely to reduce both the prototyping costs and time. In principle, a single mask is used to generate both the electro-mechanical structure and metallization for electrical contacts. The electro- mechanical (movable) structures are released in a process called dry-release which is carried out by means of a DRIE etcher.
PL
Artykuł opisuje nowatorski sposób szybkiego wytwarzania struktur testowych typu MEMS aktuowanych elektrostatycznie, który może w znacznym stopniu skrócić czas i zmniejszyć koszt wytwarzania tego typu struktur. Sposób ten polega na użyciu pojedynczej maski do wytworzenia zarówno struktury elektro-mechanicznej jak i doprowadzeń elektrycznych, które zostają uformowane i uwolnione w procesie trawienia jonowego zwanego dry-release.
7
Design and manufacturing of heterogeneous microsystems for micro- and nanotechnology applications
Janus P., Domański K., Ekwińska M., Bieniek T., Kaliciński S., Sierakowski A., Dobrowolski R., Szmigiel D., Prokaryn P., Grabiec P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 4
62-71
EN
Tremendous progress of microelectronic technology observed within last 40 years is closely related to even more remarkable progress of technological tools. However it is important to note, that these new tools may be used for fabrication of diverse multifunctional, integrated structures as well. Such devices, called MEMS (Micro-Electro-Mechanical-System) and MOEMS (Micro-Electro-Opto-Mechanical-System) integrate microelectronic and micromechanical structures in one system enabling interdisciplinary application, with most interesting and prospective being micro- and nanoscale investigations. In this paper, authors present some issues on heterogeneous microsystems design and manufacturing. Examples of various applications of microelectronic technology for fabrication of microsystems which may be used for micro- and nanoscale application are also presented.
PL
Obserwowany na przestrzeni ostatnich 40 lat postęp w dziedzinie technologii mikroelektronicznych związany jest bezpośrednio z rozwojem i powstawaniem nowych narzędzi technologicznych. Należy zaznaczyć, iż narzędzia te przyczyniły się również do powstania szeregu różnorodnych, wielofunkcyjnych, zintegrowanych struktur. Struktury (przyrządy) te, nazywane MEMS (ang. Micro-Electro-Mechanical-System) lub MOEMS (ang. Micro-Electro-Opto-Mechanical-System integrują w ramach jednego systemu elementy mikromechaniczne i mikroelektroniczne, co otwiera wiele nowych interdyscyplinarnych zastosowań jak np. badania w mikro- i nanoskali. W artykule autorzy przedstawiają wybrane zagadnienia związane z projektowaniem i wytwarzaniem tego typu heterogenicznych mikrosystemów. Ponadto w artykule przedstawione zostały przykłady wykorzystania technologii krzemowej do wytworzenia mikrosystemów oraz ich zastosowania w mikro- i nanoskali.
8
Content available Pneumatic muscle - measurement results and simulation models
Pilch Z., Bieniek T.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2009
|
Z. 240
179-193
EN
In the paper the advantages of pneumatic muscle are described. In the article are also presented: Measurement stand for determine the static and dynamic characteristic pneumatic muscle MAS-10-88N (Festo manufacture). Mathematical model of pneumatic muscle for static and dynamic simulations. Results of the simulations for differents conditions pressures supply.
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów dla stanu statycznego i dynamicznego mięśnia pneumatycznego. Mięsień pneumatyczny zaliczany jest do klasy aktuatorów jednostronnego działania (tzn. o jednym ruchu roboczym). W rozdziale 1 omówiono krótko budowę mięśnia. W dużym uproszczeniu można powiedzieć, że jest to element o konstrukcji membranowej. Ściślej jest to giętki, podatny przewód opleciony podatnym, rozciągliwym materiałem o strukturze romboidalnej. W rezultacie daje o strukturę trójwymiarowej siatki. Elementy wykonawcze cechują się szeregiem zalet. Najważniejsze z nich to: odporność na zanieczyszczenia zewnętrzne i wewnętrzne (jakość zasilającego czynnika), duża dynamika odkształcenia, możliwość przenoszenia dużych obciążeń. W rozdziale 2 przedstawiono zbudowane stanowisko pomiarowe, na którym przeprowadzono badania pomiarowe. Do pomiaru skrócenia mięśnia oraz zmiany jego średnicy wykorzystano czujniki zegarowe o dokładności pomiaru 0,01 mm. Jako obciążenie dla badanego mięśnia zastosowano sprężyny o różnych stałych (c1 = 10 N/mm; c2 = 18 N/mm; c3 = 35,8 N/mm oraz c4 = 66,22 N/mm). Stanowisko zaprojektowano w programie Inventor. W rozdziale 3 przedstawiono i omówiono wyniki przeprowadzonych pomiarów. Pierwsza część dotyczy pomiarów statycznych. Na rys. 3a zamieszczono rodzinę charakterystyk (dla ciśnienia zasilania 1, 2, ..., 6 bar) przyrostu promienia zewnętrznego mięśnia w funkcji jego długości. Na rysunku widoczne są punkty pomiarowe oaz linią ciągłą oznaczone funkcje aproksymujące te wartości. Rysunek 3b przedstawia procentową kontrakcję - daną zależnością (1) - w funkcji różnych wartości ciśnienia zasilania mięśnia. Kolejne krzywe odnoszą się do różnych wartości obciążenia mięśnia. Na podstawie przeprowadzonych badań pomiarowych oraz uzyskanych z nich wyników opracowano modele służące do wyznaczania charakterystycznych dla mięśnia pneumatycznego wielkości (wymiary - średnica, skrócenie oraz siła) w funkcji wielkości wejściowych (siła obciążenia, ciśnienie zasilania mięśnia). Pierwszy z przedstawionych modeli (rys. 5b) to model pozwalający wyznaczyć skrócenie wyrażone w procentach oraz w milimetrach, wartość siły, z jaką działa mięsień. Wielkościami zadanymi jest ciśnienie powietrza oraz stała sprężyny. W dalszej części przedstawiono model dynamiczny mięśnia pneumatycznego zaimplementowany w środowisku Matlab/Simulink bazujący na wyprowadzonym równaniu ruchu oraz charakterystyce izobarycznej mięśnia (model na rys. 8). W dalszej części przedstawiono wyniki symulacji - czasowe charakterystyki skrócenia, prędkości i przyspieszenia mięśnia. Artykuł podsumowano wnioskami w punkcie 5.
9
Content available Modeling, Simulation and Calibration of Silicon Wet Etching
Kociubiński A., Duk M., Bieniek T., Janus P.
Journal of Telecommunications and Information Technology
|
2009
|
nr 4
65-70
EN
The methods of parameter optimization in Etch3DTM simulator and the results of the comparison of simulations of silicon etching in KOH with experiments are presented. The aim of this study was to calibrate the tool to a set of process conditions that is offered by Institute of Electron Technology (ITE). The Taguchi approach was used to analyze the influence of every remove probability function (RPF) parameter on one or more output parameters. This allowed tuning the results of simulation to the results of real etching performed in ITE.
10
Thermomechanical aspects of reliability for vertically integrated heterogeneous systems
Janczyk G., Bieniek T., Grabiec P., Szynka J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 12
83-86
EN
Vertical device integration is one of the promising device fabrication trends. Heterogeneous device technology research and development faces with new post-fabrication thermo-mechanical problems. Apart from the heat dissipation, temperature dependent mechanical stress spreads across the device affecting its performance. This paper discusses selected stress related device performance and reliability issues.
PL
Integracja 3D układów heterogenicznych to jeden z obiecujących kierunków rozwoju technologii projektowania i wytwarzania układów scalonych. Osiągnięcie odpowiedniego poziomu niezawodności wymaga rozwiązania szeregu technicznych zagadnień również z zakresu termomechaniki. W artykule poruszone zostały kwestie wpływu naprężeń na parametry elektryczne przyrządów półprzewodnikowych.
11
Symulacje elektryczne diod Schottky'ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC)
Bieniek T., Stęszewski J., Sochacki M., Szmidt J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 7-8
11-15
PL
W pracy zaprezentowano możliwości symulacji charakterystyk elektrycznych przyrządów wykonanych na podłożach z węglika krzemu na przykładzie diod Schottky'ego i tranzystorów MOSFET i JFET. Wszystkie przyrządy modelowane były przy użyciu oprogramowania Atlas firmy Silvaco [1]. W przypadku diod Schottky'ego przeprowadzono analizę i optymalizacje różnych wariantów technologii pod kątem wytworzenia diody o jak najwyższym napięciu blokowania w kierunku zaporowym. W analizie tranzystorów głównym celem było zbadanie wpływu domieszkowania obszaru RESURF oraz jego geometrii na napięcie przebicia i rezystancję w stanie włączenia.
EN
This contribution presents the capabilities of Silvaco Atlas software devoted to electrical analysis of SiC Schottky diodes, JFETs and MOSFETs. Different techniques of Schottky diode contact termination are modeled and discussed in details. Influence of RESURF region doping level and geometry on transistor breakdown voltage and channel on-resistance is analyzed.
12
Połączone mechaniczno-elektryczno-termiczne modelowanie i symulacje mikro- i nanostruktur 3D
Bieniek T., Janus P., Kociubiński A., Grabiec P., Janczyk G., Szynka J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 1
99-101
PL
Specjalizowane mikrosystemy, takie jak czujniki, moduły nadawczo-odbiorcze, układy zasilania czy też elementy MEMS są produkowane w dedykowanych technologiach. Projektant, który chce zintegrować takie moduły w jeden wielofunkcyjny moduł, napotyka niespotykane dotychczas problemy, takie jak zależności termiczne, elektryczne, mechaniczne między poszczególnymi modułami. W artykule prezentujemy próby wyjaśnienia oraz ułatwienia rozwiązania tych problemów.
EN
Nowadays, the complex silicon systems formed by the several specialized devices like sensors, RF modules, power devices, MEMS devices are fabricated in dedicated technologies. If the designer attempts to integrate them into the one big multifunctional system, he meets the new, yet unexplored fields for the multidisciplinary, mutually dependent thermal, electrical, EM and mechanical parameters modeling. This paper attempts to clarify, and presents how to simplify this problem.
13
Content available Composition and electrical properties of ultra-thin SiOxNy layers formed by rf plasma nitrogen implantation/plasma oxidation processes
Bieniek T., Beck R. B., Jakubowski A., Konarski P., Ćwil M., Hoffman P., Schmeißer D.
Journal of Telecommunications and Information Technology
|
2007
|
nr 3
9-15
EN
Experiments presented in this work are a summary of the study that examines the possibility of fabrication of oxynitride layers for Si structures by nitrogen implantation from rf plasma only or nitrogen implantation from rf plasma followed immediately by plasma oxidation process. The obtained layers were characterized by means of: ellipsometry, XPS and ULE-SIMS. The results of electrical characterization of NMOS Al-gate test structures fabricated with the investigated layers used as gate dielectric, are also discussed.
14
Content available Comparison of composition of ultra-thin silicon oxynitride layers' fabricated by PECVD and ultrashallow rf plasma ion implantation
Mroczyński R., Bieniek T., Beck R. B., Ćwil M., Konarski P., Hoffman P., Schmeißer D.
Journal of Telecommunications and Information Technology
|
2007
|
nr 3
20-24
EN
In this paper differences in chemical composition of ultra-thin silicon oxynitride layers fabricated in planar rf plasma reactor are studied. The ultra-thin dielectric layers were obtained in the same reactor by two different methods: ultrashallow nitrogen implantation followed by plasma oxidation and plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD). Chemical composition of silicon oxynitride layers was investigated by means of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and secondary ion mass spectrometry (SIMS). The spectroscopic ellipsometry was used to determine both the thickness and refractive index of the obtained layers. The XPS measurements show considerable differences between the composition of the fabricated layers using each of the above mentioned methods. The SIMS analysis confirms XPS results and indicates differences in nitrogen distribution.
15
Content available Applying shallow nitrogen implantation from rf plasma for dual gate oxide technology
Bieniek T., Beck R. B., Jakubowski A., Głuszko G., Konarski P., Ćwil M.
Journal of Telecommunications and Information Technology
|
2007
|
nr 3
3-8
EN
The goal of this work was to study nitrogen implantation from plasma with the aim of applying it in dual gate oxide technology and to examine the influence of the rf power of plasma and that of oxidation type. The obtained structures were examined by means of ellipsometry, SIMS and electrical characterization methods.
16
Badanie ultra-cienkich warstw SiO(2) nanoszonych na krzemie i porowatym krzemie - analiza profilowa ULE-SIMS
Ćwil M., Konarski P., Pająk M., Bieniek T., Kosiński A.
Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika
|
2005
|
z. 153
83-88
EN
Depth profile analysis of interfaces between thin silicon oxide layers and two substrates bulk silicon and prous silicon porous silicon were performed. The interfaces were prepared by an electrochemical etching of Si in HF solution and oxidation processes. SIMS depth profiles of these interfaces were performed using ultr-low energy (880eV) and low energy (5 keV) argon ion beams at several incidence angles. The SiO(2)/Si interface regions characterised by SIMS show differences related to the kind of a substrate used. Oxygen depletion region (20 nm thick) was observed on the porous silicon side by SIMS and also by Auger analyses. The depletion formation mechanism is explained on the basis of ion beam induced redeposition of oxygen inside the pores.
17
Content available Ultra-shallow nitrogen plasma implantation for ultra-thin silicon oxynitride (SiOxNy) layer formation
Bieniek T., Beck R. B., Jakubowski A., Kudła A.
Journal of Telecommunications and Information Technology
|
2005
|
nr 1
70-75
EN
The radiation damage caused by low energy r.f. plasmas has not been, to our knowledge, studied so far in the case of symmetric planar plasma reactors that are usually used for PECVD processes. The reason is that, unlike nonsymmetrical RIE reactors, such geometry prevents, basically, high-energy ion bombardment of the substrate. In this work, we present the results of experiments in which we have studied the influence of plasma processing on the state of silicon surface. Very low temperature plasma oxidation has been used as a test of silicon surface condition. The obtained layers were then carefully measured by spectroscopic ellipsometry, allowing not only the thickness to be determined accurately, but also the layer composition to be evaluated. Different plasma types, namely N2, NH3 and Ar, were used in the first stage of the experiment, allowing oxidation behaviour caused by the exposure to those plasma types to be compared in terms of relative differences. It has been clearly proved that even though the PECVD system is believed to be relatively safe in terms of radiation damage, in the case of very thin layer processing (e.g., ultra-thin oxynitride layers) the effects of radiation damage may considerably affect the kinetics of the process and the properties of the formed layers.
18
Stabilność termiczna ultracienkich warstw tlenko-azotków osadzanych metodą PECVD
Mroczyński R., Cuch M., Bieniek T., Beck R. B., Jakubowski A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2005
|
Vol. 46, nr 2-3
62-63
PL
Opracowanie poświęcone jest zbadaniu wpływu wygrzewania wysokotemperaturowego na właściwości elektrofizyczne ultracienkich warstw SiOxNy.
EN
The aim of this work is the experimental study of the influence of high-temperature annealing on electro-physical properties of the ultrathin oxynitride layers.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.