Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Monolithic silicon E-DeltaE telescope produced by the Quasi-Selective Epitaxy

Kordyasz A., Nossarzewska-Orłowska E., Piasecki E., Lipiński D., Brzozowski A.

Nukleonika

|

2003

|

Vol. 48, nr 1

31-34

EN

A monolithic, silicon, E-DeltaE telescope with a 20 žm thick DeltaE detector followed by a 300 žm thick E detector based on the n-p+-n structure was produced using a new developed process named Quasi-Selective Epitaxy (QSE). The resistivity profile of the n-p+-n structure and E-DeltaE two-dimensional contour plots obtained after irradiation of the monolithic E-DeltaE telescope by alfa-particles are presented. An energy resolution of about 1 MeV was obtained.

2

Krzem porowaty. Otrzymywanie, własności, zastosowanie

Nossarzewska-Orłowska E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

1999

|

Vol. 40, nr 2

3-6

PL

Krzem porowaty jest coraz częściej stosowany w technologii przyrządów krzemowych. W artykule opisano proces otrzymywania krzemu porowatego przez elektrochemiczne trawienie krzemu w HF oraz zależność mikrostruktury od warunków trawienia. Podano przykłady najważniejszych zastosowań. Zainteresowanie tym materiałem wzrosło po odkryciu w 1990 r. jego własności fotoluminescencyjnych, z którymi wiąże się możliwość zintegrowania przyrządów mikro- i optoelektronicznych na płytce krzemowej. Dzięki dużej powierzchni właściwej, krzem porowaty jest bardzo aktywny chemicznie, co wykorzystywane jest w technologii przyrządów SOI oraz w mikromechanice.

EN

Porous silicon (PS) is a promising materiał for silicon devices technology. This paper gives a short description of the PS formation by the electrochemical dissolution of silicon in HF and the dependence of its microstructure on the anodization conditions. In the following a brief overview of the most important applications is given. The discovery of photoluminescence in 1990 and the understanding of the growth of nanostructures has opened the way to the integrated micro- and optoelectronic devices on the same silicon wafer. Another interesting feature is a large specific internal surface of PS and its chemical acivity. The applications of PS in the dielectric isolation of integrated devices, in particular the fabrication of Silicon On Insulator (SOI) structures, and in the silicon micromachining are shown.

3

Optimization of porous silicon fabrication in application to FIPOS technology

Półrolnik E., Domański K., Beck R. B., Nossarzewska-Orłowska E.

Electron Technology

|

1999

|

Vol. 32, No. 1/2

166-169

EN

The structure of "as-grown" porous silicon layer (PSL) was investigated from the point of view of subsequent epitaxial growth over and oxidation of this layer. The idea of optimization is in-depth profiling morphology of pores during anodization process. By presenting SEM cross-section image and AFM surface image of PSL possibilities and after-efects of PSL morphology changes are demonstrated. The significance of these experimental observations for FIPOS (Full Isolation by Porous Oxidise Silicon) substrate fabrication is briefly discussed.

4

Krzemowe warstwy epitaksjalne do detektorów promieniowania jądrowego

Nossarzewska-Orłowska E., Kozłowski R., Brzozowski A., Lipiński D., Sterczewski P., Dobrzański L., Cindro V.

Materiały Elektroniczne

|

1998

|

T. 26, nr 3-4

5-14

PL

Krzemowe detektory promieniowania jądrowego ulegają, degradacji pod wpływem napromieniowania hadronami o dużej energii. Degradacja wywołana jest generowanymi przez strumień protonów defektami, stanowiącymi centra generacyjno-rekombinacyjne dla nośników ładunku. Obecność atomów tlenu w krzemie może zwiększyć odporność na radiacje,. Wykonano testowe diody detekcyjne na wysokorezystywnych, krzemowych warstwach epitaksjalnych, osadzonych na płytkach podłożowych z krzemu CZ . Wyznaczono profil koncentracji tlenu w warstwie epitaksjalnej na skutek dyfuzji tlenu z podłoża podczas wysokotemperaturowego procesu epitaksji. Poprzez pomiar profilu rezystywności w warstwie oraz rejestracji widma głębokich poziomów metoda. Capacitance-Deep Level Transient Spectroscopy (C-DLTS) określono zmiany zachodzące w warstwie epitaksjalnej w trakcie wykonywania diody i pod wpływem napromieniowania dużymi dawkami protonów i neutronów .

EN

Silicon detectors for nuclear radiation degrade during operation in high-energy hadrons environments. This degradation is caused by the introduction of electrically active defects. Oxygen atoms could harden silicon against the radiation. Detection diodes were manufactured on high resistivity epitaxial layers grown on CZ silicon substrates with the oxygen concentration. The concentration profile of oxygen diffused from the substrate to the growing epitaxial layer was determined. A change of the epitaxial layer resistivity and deep levels spectra by C-DLTS method were investigated for non-irradiated diodes and the diodes irradiated by protons and neutrons.

5

X-ray and scanning electron microscopic investigation of porous silicon and silicon eptaxial layers grown on porous silicon

Wierzchowski W., Wieteska K., Graeff W., Pawłowska M., Nossarzewska-Orłowska E., Brzozowski A.

Electron Technology

|

1998

|

Vol. 31, No. 2

213-218

EN

The 1 ÷ 5 μm thick layers of porous silicon and epitaxial layers grown on porous silicon were studied by means of X-ray diffraction methods, realised with wide use of synchrotron source and scanning electron microscopy. The results of X-ray investigation pointed the difference of lateral perodicity between the porous layer and the substrate. It was also found that the deposition of epitaxial layer considerably reduced the coherence of porous fragments. A number of interference phenomena was also observed in section and plane wave topographs. The scanning electron microscopic investigation of cleavage faces enabled direct evaluation of porous layer thicknees and revealed some details of thier morphology. The scanning observation of etched surfaces of epitaxial layers deposited on porous silicon revealed dislocations and other defects not resolvable in the X-ray topographs.