Electron Technology - Tom Vol. 32, No. 1/2 (1999) - BazTech - Yadda

Tom - szczegóły

Tytuł artykułu

Vol. 32, No. 1/2

Czasopismo

Electron Technology

Wydawca

Institute of Electron Technology

Rocznik

1999

Identyfikatory

Zawartość wolumenu

Vol. 32, No. 1/2
- artykuł: Unveiling the Pseudo-MOSFET secrets (Cristoloveanu S., Munteanu D.), s. 7-15
- artykuł: SOI technology for sub-0.25 µm CMOS (Maszara W. P.), s. 16-20
- artykuł: Modelling of SOI MOS Transistors (Jurczak M., Jakubowski A.), s. 21-28
- artykuł: Physically based modelling of the double-gate SOI transistor with thin semiconductor film (Majkusiak B., Janik T.), s. 29-38
- artykuł: Generation of positive charge in the buried oxide layer of SIMOX structures (Revesz A. G.), s. 39-44
- artykuł: SIMOX : material development and characterization (Anc M. J.), s. 45-49
- artykuł: Performance and physical mechanisms in deep submicron SOI MOSFETs (Balestra F.), s. 50-62
- artykuł: Electrical characterization methods of SOI structures (Beck R. B., Ikraiam F., Gibki J., Łukasiak L., Zaręba A., Jakubowski A.), s. 63-71
- artykuł: Accurate SOI MOSFET characterization at microwave frequencies (Raskin J. P., Dambrine G., Vanhoenacker D.), s. 72-80
- artykuł: High frequency four noise parameters of silicon-on-insulator-based technology MOSFET : prospects for application to low noise RF intergrated circuits (Dambrine G., Raskin J. P., Picheta L., Vanhoenacker D., Colinge J. P., Cappy A.), s. 81-87
- artykuł: The diagnostics of SOI photosensor characteristics (Druzhinin A., Lytvyn I., Tychansky M.), s. 88-90
- artykuł: An effect of PD SOI MOSFET parameters variations on its electrical characteristics (Tomaszewski D., Jakubowski A., Dębski T.), s. 91-95
- artykuł: A model of I-V characteristcs of partially-depleted SOI MOSFETs (Tomaszewski D., Jakubowski A., Gibki J.), s. 96-103
- artykuł: A small-signal non-quasi-static model of PD SOI MOSFETs (Tomaszewski D., Jakubowski A., Gibki J.), s. 104-109
- artykuł: Evaluation of generation and recombinatoin parameters of SOI MOS structures from gated-diode measurements (Rudenko T.), s. 110-115
- artykuł: Determination of doping concentration and effective carrier lifetime in SOI structures from electrical measurements of gate controled diode (Gibki J., Jakubowski A., Łukasiak L., Tomaszewski D., Korwin-Pawłowski M.), s. 116-118
- artykuł: Modelling of the effective mobility versus effective electric field in the GAA SOI transistor (Walczak J., Majkusiak B., Janik T.), s. 119-122
- artykuł: Quantitative analysis of C-V characterization of thin-body MOS capacitors on SOI substrates (Ikraiam F. A., Beck R. B., Jakubowski A.), s. 123-123
- artykuł: Modelling C-V-t characteristics of MOS SOI capacitors (Zaręba A., Łukasiak L., Beck R. B., Jakubowski A.), s. 128-129
- artykuł: A quantum factor correction for modelling the C-V characteristics if the MOS-SOI structure (Badri M., Ikraiam F. A., Majkusiak B., Beck R. B.), s. 130-132
- artykuł: Modelling charge pumping in SOI (Łukasiak L.), s. 133-136
- artykuł: Thermal bonding and thinning of silicon wafers (Piątkowski B., Zabierowski P.), s. 137-137
- artykuł: Imperfections of SOI films prepared by wafer bonding and layer exfoliation (Gawlik G., Piątkowski B., Jagielski J., Stonert A., Grotzschel R., Mirowski T.), s. 138-141
- artykuł: Digital CMOS array based on SOI structures (Druzhinin A., Kogut I.), s. 142-145
- artykuł: Electrical and piezoresistive characterization of laser-recrystallized polysilicon layers in SOI srtuctures (Druzhinin A., Lavitska E., Maryamova I., Pankevich I., Pankov Y.), s. 146-150
- artykuł: Comprasion of different substrates for a fully depleted SOI-CMOS-technology (Huttner T., Wurzer H., Mahnkopf R., Pindl S., Abstreiter G.), s. 151-153
- artykuł: Investigation of electrical immunity in monocrytalline and porous silicon oxide layers (Łozowski T., Montrimas E., Rinkunas R., Beck R. B., Jakubowski A.), s. 154-157
- artykuł: Measurement of surface potential distribution in porous silicon (Łozowski T., Sakalauskas S., Puras R., Jakubowski A., Beck R. B.), s. 158-161
- artykuł: Bonding and etch-back techniques for SOI technology (Łozinko J., Panas A., Budzyński T., Grabiec P., Dębski T.), s. 162-165
- artykuł: Optimization of porous silicon fabrication in application to FIPOS technology (Półrolnik E., Domański K., Beck R. B., Nossarzewska-Orłowska E.), s. 166-169
- artykuł: Characterization of oxidized porous silicon layer in FIPOS structure (Domański K., Półrolnik E., Beck R. B., Brzozowski A.), s. 170-174
- artykuł: Transition layer influence upon the galvanomagnetic propeties of epitaxial GaAs Hall generators (Dobrinska N., Mihailova T., Velchev N.), s. 177-181
- artykuł: Estimation of the IC layout sensitivity to spot defects (Pleskacz W. A., Kuźmicz W.), s. 182-190
- artykuł: Silicon microstrip detectors of ionizing radiation (Marczewski J., Jaroszewicz B., Kucewicz W., Grabski P.), s. 191-192

rozwiń roczniki

JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.