Materiały Elektroniczne - Tom T. 26, nr 3-4 (1998) - BazTech - Yadda

Tom - szczegóły

Tytuł artykułu

T. 26, nr 3-4

Czasopismo

Materiały Elektroniczne

Wydawca

Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Rocznik

1998

Identyfikatory

Zawartość wolumenu

T. 26, nr 3-4
- artykuł: Krzemowe warstwy epitaksjalne do detektorów promieniowania jądrowego (Nossarzewska-Orłowska E., Kozłowski R., Brzozowski A., Lipiński D., Sterczewski P., Dobrzański L., Cindro V.), s. 5-14
- artykuł: Wpływ udziału ziaren SiC na zjawisko krzywych R w spiekach Al203 (Tomaszewski H., Boniecki M., Węglarz H.), s. 15-27
- artykuł: Kryształy V3+ : YAG do pasywnej modulacji doborci rezonatorów laserów generujących w obszarze bliskiej podczerwieni (Mierczyk Z., Frukacz Z.), s. 28-46
- artykuł: Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE) (Jasik A., Strupiński W., Kosiel K.), s. 47-58

rozwiń roczniki

JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.