PL
 |
EN
Ograniczanie wyników
Czasopisma help
  1. 15 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
  2. 13 Materiały Elektroniczne
  3. 2 Opto-Electronics Review
  4. 2 Przegląd Elektrotechniczny
  5. 1 Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
Więcej...
Autorzy help
  1. 36 Strupiński W.
  2. 13 Wesołowski M.
  3. 10 Dumiszewska E.
  4. 9 Caban P.
  5. 7 Gaca J.
Więcej...
Lata help
  1. 1 2015
  2. 3 2014
  3. 5 2013
  4. 2 2012
  5. 5 2011
Więcej...
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 36

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
Content available Nanodruty InP do zastosowań w fotowoltaice
Dumiszewska E., Grodecki K., Krajewska A., Jóźwik I., Strupiński W.
Materiały Elektroniczne
|
2015
|
T. 43, nr 4
4--9
PL
W pracy zaprezentowano technologię wytwarzania nanodrutów InP na podłożach InP o orientacji (100) oraz (111)B oraz nanodrutów GaAs na podłożach GaAs o orientacji (100) i (111). Nanodruty zostały wykonane za pomocą metody Epitaksji z Fazy Gazowej z Użyciem Związków Metaloorganicznych (MOVPE). Jako katalizator wzrostu wykorzystano nanocząstki złota o średnicy ~ 30 nm. Wszystkie prace zostały wykonane w zakładzie Epitaksji i Charakteryzacji Związków Półprzewodnikowych ITME.
EN
In this work the production methods of InP nanowires on InP (100) and (111)B substrates and GaAs nanowires on (100) and (100) substrates are presented. The nanowires were grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE). Gold nanoparticles having a diameter of around 30 nm were used as a growth catalyst. All growth processes were carried out in the Department of Epitaxy and Characterization of ITME.
2
Content available remote Wielozłączowe ogniwa słoneczne
Dumiszewska E., Knyps P., Wesołowski M., Strupiński W.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 5
215--221
PL
W pracy przedstawiono przegląd różnych technologii ogniw słonecznych. W dalszej części pracy skoncentrowano się na ogniwach wytwarzanych z materiałów AIIIBV – wielozłączowych ogniwach słonecznych. Technologia takich ogniw jest rozwijana w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych. Wytworzonostruktury wielozłączowych ogniw słonecznych oraz gotowe przyrządy.
EN
In this work a variety of solar cell technologies have been presented. AIIIBV multijunction solar cells have been subsequently described. The methodology of their production has been developed at the Institute of Electronic Materials Technology. So far the epi structures of multijunction solar cells and solar cells have been manufactured.
3
Content available remote Niebieskie, zielone i białe emitery światła wytwarzane z półprzewodników AIII-BN
Rudziński M., Wesołowski M., Strupiński W.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 7
1--13
PL
Postępy w ostatnich dwudziestu pięciu latach w epitaksji i technologii wytwarzania materiałów z grupy AIII-BN doprowadziły do wytworzenia komercyjnych, wysoko wydajnych źródeł światła emitujących w kolorach ultrafioletu, niebieskim, zielonym i białym. W pracy przedstawiono przegląd technologii wytwarzania diod elektroluminescencyjnych z materiałów AIII-BN, między innymi różne rozwiązania strukturalne, uwzględniające właściwości materiałowe i wymagania wzrostu krystalicznego MOCVD. Przeanalizowano różne konstrukcje ekstrakcji światła, które są istotne dla uzyskania jak najwyższej wydajności zewnętrznego świecenia. Zaprezentowano najnowsze osiągnięcia dotyczące zewnętrznej wydajności kwantowej dla wysokiej mocy diod elektroluminescencyjnych, jak również wydajności świecenia białych diod opartych na konwersji światła przy użyciu luminoforów.
EN
Recent twenty five years of advances in epitaxial growth and fabrication technologies for the III-Nitrides have led to commercially available, high efficient solid state devices that emits ultraviolet, blue, green and white light. In this work LEDs technologies based on III-Nitrides have been presented. Different structural design choices are described, taking into account specific material properties and MOCVD crystal growth requirement. We review various light extraction schemes which are important for achieving the highest possible light output efficiencies. Recent performance in external quantum efficiency for high power LEDs is reviewed, as well as luminous efficacy of white LEDs based on luminophores down-conversion.
4
Content available remote Metody charakteryzacji grafenu wykorzystywanego w sensorowych układach rezystancyjnych
Drewniak S., Pustelny T., Strupiński W., Pasternak I., Opilski Z.
Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka
|
2014
|
z. 2-3
63--72
PL
Zanieczyszczenie środowiska pociąga za sobą konieczność monitoringu wybranych atmosfer gazowych. W niniejszym artykule zostaną przedstawione wyniki charakteryzacji warstwy gazoczułej (grafenu) w rezystancyjnym czujniku cienkowarstwowym, pozwalającym wykrywać niskie zawartości wodoru oraz dwutlenku azotu w atmosferze powietrza syntetycznego. Zostaną przedstawione m.in. obrazy topografii powierzchni oraz widma ramanowskie struktury. Analizowane będą zmiany, jakie zachodzą w strukturze (obserwowane na widmach ramanowskich) pod wpływem jej kontaktu z atmosferą zawierającą 3% wodoru.
EN
The environmental pollution entails the monitoring of selected gas atmospheres. In this paper, the results of characterization the thin film resistance sensor (characterization of grapheme - sensitive layer) will be presented. Such sensor can detect the hydrogen and nitrogen dioxide in the atmosphere of synthetic air at a very low level. There will be presented, among others, the images of topography and raman’s spectras of the structures. There will be analyzed changes which occure in the structure (observed at the Raman’s spectra) due to its contact with the atmosphere containing 3% hydrogen.
5
Content available Comparison of CVD graphene grown on copper foil and PVD copper
Pasternak I., Grodecki K., Piątkowska A., Ciuk T., Caban P., Strupiński W.
Materiały Elektroniczne
|
2013
|
T. 41, nr 2
26--33
EN
Graphene synthesis by the CVD method performed on the surface of copper is one of the most promising techniques for producing graphene for low cost and large scale applications. Currently, the most commonly used Cu substrate for graphene growth is foil, however, there is still a need to find new substrates and improve the quality of graphene layers. Sputtered Cu films on insulating substrates are considered as an alternative. Here we show the properties of graphene grown by the CVD method on thin copper foil and PVD copper films on Si/SiO2 substrates. We compare data on the properties of graphene films transferred from different copper substrates onto SiO2/Si substrates. We note that graphene grown on sputtered Cu films creates a multilayer form on the boundaries which can be identified on micro-Raman maps and in SEM images.
PL
Wytwarzanie grafenu metodą CVD na podłożach miedzianych jest jedną z najbardziej perspektywicznych metod otrzymywania grafenu ze względu na niski koszt podłoża oraz szerokie możliwości zastosowania w przemyśle. Obecnie najczęściej stosowanym do wzrostu grafenu podłożem miedzianym jest folia, jednakże ciągle istnieje potrzeba znalezienia nowego podłoża tak by poprawić jakość warstw grafenu. Jako alternatywę rozważa się cienkie warstwy miedzi wytwarzane metodami PVD osadzane na nieprzewodzącym podłożu. W niniejszym artykule przedstawiamy własności grafenu wytwarzanego metodą CVD na cienkiej folii miedzianej oraz na warstwach miedzi osadzonych na Si/SiO2. Porównujemy także wyniki otrzymane dla przeniesionych warstw grafenu z obu rodzajów próbek.
6
Tranzystory z grafenu epitaksjalnego
Dobrzański L., Stankiewicz R., Strupiński W., Gierałtowska S., Borysiewicz M., Góra K., Kozłowski A., Stańczyk B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 11
9-14
PL
Opracowano technologię tranzystorów potowych z grafenu epitaksjalnego na podłożu z węglika krzemu. Przedstawiono charakteryzację grafenu i przyrządów. Poprzez badanie transportu nośników potwierdzono wysoką jakość grafenu. Otrzymano staloprądowe charakterystyki tranzystorów porównywalne z opisywanymi w literaturze. Na podstawie posiadanego doświadczenia określono drogę przyszłego rozwoju tranzystorów z grafenu i zidentyfikowano technologie konkurencyjne.
EN
We have developed technology of transistors made of epitaxial graphene grown on silicon carbide substrate. Carrier transport investigation confirmed good quality of graphene. DC parameters of developed transistors are similar to reported in the literature. On the basis of own experience we predict the way of future developments of grafene devices and indicate possible competing technologies.
7
Skaningowy mikroskop tunelowy do badań nanostruktur grafenowych
Gajewski K., Kopiec D., Rudek M., Zawierucha P., Zielony M., Moczała M., Wielgoszewski G., Strupiński W., Gotszalk T.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 6
14-18
PL
W poniższej pracy opisano zasadę działania i konstrukcję skaningowego mikroskopu tunelowego przeznaczonego do badań nanostruktur grafenowych. Mikroskop ten pracuje pod ciśnieniem atmosferycznym w temperaturze pokojowej. Omówiono podstawowe tryby pracy tego mikroskopu: do obrazowania powierzchni z atomową rozdzielczością oraz do obrazowania potencjałów powierzchniowych. Opisano poszczególne elementy, z których składa się system. W dalszej części pracy przedstawiono wyniki niektórych badań w których wykorzystano ten mikroskop – w badaniach wysoko zorientowanego grafitu pirolitycznego i grafenu na podłożu 6H-SiC. Przedstawiono również możliwości rozbudowy opracowanego systemu.
EN
In this paper we present principles and construction of scanning tunneling microscope designed for graphene nanostructures investigations. This microscope is working under ambient air in room temperature. Basic modes of this microscope were described: for atomic scale surface imaging and for imaging surface potentials. The main components of this system were shown. Some results obtained with use of this microscope were noted – highly oriented pyrolytic graphite and graphene on 6H-SiC substrate investigations. Additionally, the capabilities of the system improvement were pointed out.
8
Pomiary elektryczne i optyczne ogniw fotowoltaicznych Ge/InGaAs/InGaP
Knyps P., Dumiszewska E., Wesołowski M., Strupiński W., Kalbarczyk J., Teodorczyk M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 5
22-24
PL
W artykule omówiono metody pomiarów charakterystyk prądowo-napięciowych ogniw wielozłączowych, a także sposoby wyznaczania zewnętrznej i wewnętrznej wydajności kwantowej. Prezentowane wyniki dotyczą ogniw wielozłączowych wytwarzanych z materiałów Ge/InGaAs/InGaP w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych w Warszawie.
EN
In this article we discuss the measurement methods of current-voltage characteristics of multijunction solar cells as well as external and internal quantum efficiencies. The showed results were obtained as a result of the measurements of Ge/InGaAs/InGaP solar cells performed at the Institute of Electronic Materials Technology.
9
Epitaksja MOCVD naprężonych struktur kwantowych laserów kaskadowych InGaAs/InAIAs/InP
Wesołowski M., Strupiński W., Gaca J., Wójcik M., Dumiszewska E., Caban P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 10
23-25
PL
Przedmiotem pracy jest zastosowanie technologii epitaksji ze związków metaloorganicznych (MOCVD) do otrzymania laserów kaskadowych (QCL) na podłożach InP. Wykonano hetrostruktury półprzewodnikowe laserów zbudowane z supersieci InGaAs/InAIAs ze skompensowanymi naprężeniami. Lasery takie są najważniejszym rodzajem przyrządów QCL o emisji w przedziale 3-8 µm. Otrzymanie heterostruktur o zadanych wcześniej parametrach wiąże się z bezprecedensową w epitaksji półprzewodników precyzją składów, grubości i międzypowierzchni warstw składowych. Dokładność tę osiągnięto poprzez optymalizację parametrów i organizacji procesów oraz poprzez dobór odpowiednich metod charakteryzacyjnych. Jako główne narzędzie charakteryzacyjne zastosowano analizę profili dyfrakcji rentgenowskiej. Uzyskane wyniki pokazują rozwiązania problemów specyficznych dla technologii opracowywanych heterostruktur oraz skuteczność metod dyfrakcji w tym przypadku. Miarą sukcesu prezentowanych prac było uzyskanie w oparciu o wykonane heterostruktury poprawnie działających laserów. Wśród ciekawych obserwacji znalazły się widoczne w krzywych dyfrakcyjnych przejawy braku podstawowej koherencji periodyczności supersieci struktury z periodycznością sieci krystalicznej.
EN
We grew strain-compensated InGaAs/InAIAs/InP mid-infrared quantum cascade lasers by MOCVD. The required unprecedented accuracy of layers stoichiometry and thickness, together with the high purity of the compounds and suitable process repeatability are the prime challenges for this technology. This necessary precision was obtained through the optimisation of growth parameters, processes organisation as well as development and application of adequate characterisation methods. X-ray diffraction spectroscopy combined with a corresponding simulation tool for the diffraction profile analysis enabled the effective recognition of the epitaxial structures. This approach showed several solutions to specific problems. The proper working lasers processed from the developed structures can be treated as the measure of success. Among other results there is an interesting observation of the incoherence of the superlattice and crystal lattice periodicity seen as the additional features in the XRD profiles.
10
Content available Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym
Wójcik M., Strupiński W., Rudziński M., Gaca J.
Materiały Elektroniczne
|
2012
|
T. 40, nr 4
48-57
PL
Opracowano procedurę graficznego modelowania profilu składu chemicznego w obszarze interfejsu dla związków AIIIN, która w znacznym stopniu ułatwia i skraca proces tworzenia modelu kryształu wielowarstwowego InGaN/GaN. Procedurę tę wykorzystano w trójstopniowej metodzie modelowania heterostruktur InGaN/GaN i z powodzeniem zastosowano do zbadania realnej struktury systemów epitaksjalnych wytworzonych w ITME.
EN
A procedure for forming a graphical chemical composition profile in the interface region was developed for AIIIN compounds. It greatly simplifies and shortens the process of creating the model of InGaN/GaN heterostructures. The three-step-method was successfully worked out and used for modeling the InGaN/GaN structure, and finally applied to the investigation of the real structure of epitaxial systems produced at ITME by means of the MOCVD technique.
11
Kwantowy efekt Hall'a w epitaksjalnym grafenie otrzymanym w ITME
Dobrzański L., Strupiński W., Stankiewicz R., Borysiewicz M., Góra K., Kozłowski A., Stańczyk B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 4
7-8
PL
Opracowano technologię i konstrukcję struktur z grafenu wyhodowanego na powierzchni węglika krzemu przy pomocy oryginalnej opatentowanej metody. Wykonano struktury do pomiaru kwantowego efektu Hall'a i przeprowadzono pomiary. Zaobserwowano anomalny kwantowy efekt Hall'a charakterystyczny dla grafenu składającego się z jednej warstwy węgla, w którym występuje transport nośników ładunku o zerowej masie.
EN
We developed technology and construction of devices made of epitaxial graphene grown on silicon carbide using proprietary patented method. Hall bars were processed and characterized. We observed the QHE characteristic for graphene build of single carbon layer in which charge carriers are mass less fermions.
12
Content available remote Study of MOCVD growth of InGaAsSb/AlGaAsSb/GaSb heterostructures using two different aluminium precursors TMAl and DMEAAl
Wesołowski M., Strupiński W., Motyka M., Sęk G., Dumiszewska E., Caban P., Jasik A., Wójcik A., Pierściński K., Pierścińska D.
Opto-Electronics Review
|
2011
|
Vol. 19, No. 2
140-144
EN
The antimonide laser heterostructures growth technology using MBE epitaxy is currently well-developed, while MOVPE method is still being improved. It is known that the principal problem for MOVPE is the oxygen and carbon contamination of aluminium containing waveguides and claddings. The solution would be to apply a proper aluminium precursor. In this study we present the results of metal-organic epitaxy of In- and Al-containing layers and quantum well structures composing antimonide lasers devices. Special emphasis was put on the aluminium precursor and its relation to AlGaSb and AlGaAsSb materials properties. The crystalline quality of the layers grown with two different Al precursors was compared, very good structural quality films were obtained. The results suggested a substantial influence of precursors pre-reactions on the epitaxial process. The oxygen contamination was measured by SIMS, which confirmed its dependence on the precursor choice. We also optimised the GaSb substrate thermal treatment to deposit high quality GaSb homoepitaxial layers. Quaternary InGaAsSb layers were obtained even within the predicted miscibility gap, when arsenic content reached high above 10% values. InGa(As)Sb/AlGa(As)Sb quantum wells were grown and their optical properties were characterised by photoluminescence and photoreflectance spectroscopy. Type-I quantum wells showed a fundamental optical transition in the 1.9-2.1 µm range at room temperature. The epitaxial technology of the structures was subjected to an optimisation procedure. The investigated layers and heterostructures can be considered for application in laser devices.
13
Content available Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge
Dumiszewska E., Knyps P., Teodorczyk M., Wesołowski M., Strupiński W.
Materiały Elektroniczne
|
2011
|
T. 39, nr 3
10-14
PL
W pracy przedstawiono proces wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych opartych o związki AIII-BV z wykorzystaniem technik osadzania MOCVD. Zaprezentowano także wstępne wyniki pomiarów elektrooptycznych pojedynczego złącza struktury Ge/InGaP:Si wykonanego w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych. Złącze to powstało w wyniku dyfuzji atomów fosforu z warstwy InGaP. Wszystkie prace technologiczne zostały przeprowadzone w ITME.
EN
This work has been devoted to presenting the process of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on AIII-BV compounds using MOCVD deposition techniques. Moreover, preliminary results of electro-optical measurements performed on a single junction of a Ge/InGaP:Si structure produced in the Institute of Electronic Materials Technology have been introduced. This junction has been created as a result of the diffusion of phosphorus atoms from an InGaP layer. All technological processes have been carried out in ITME.
14
Content available Badanie odkształceń sieci krystalicznej w implantowanej warstwie epitaksjalnej GaN osadzonej metodą MOCVD na podłożu szafirowym o orientacji [001]
Wójcik M., Gaca J., Wierzbicka E., Turos A., Strupiński W., Caban P., Sathish N., Pągowska K.
Materiały Elektroniczne
|
2011
|
T. 39, nr 4
22-31
PL
W pracy zbadano warstwy epitaksjalne GaN o grubości 1000 nm implantowane jonami Ar++ w zakresie dawek od 7 ⋅ 1013 cm-2 do 1 ⋅ 1015 cm-2. Wyznaczono zakres proporcjonalności pomiędzy dawką a średnią zmianą odległości pomiędzy płaszczyznami równoległymi do powierzchni swobodnej implantowanego kryształu GaN. Wyznaczono korelację pomiędzy wielkością dawki jonów a rozkładem odkształceń sieci krystalicznej występujących w kierunku [001] w warstwie epitaksjalnej. Stwierdzono, że odkształcane są płaszczyzny sieciowe równolegle do interfejsu, a komórka elementarna warstwy implantowanej ulega tetragonalizacji.
EN
In the present work 1000 nm epitaxial GaN layer implanted with Ar++ ions in the dose range from 7 ⋅ 1013 cm-2 to 1 ⋅ 1015 cm-2 was investigated. The range of linearity between dose and the average change of interplanar spacing of planes parallel to the surface of the implanted GaN crystal was determined. It was found a correlation between the distribution of displaced atoms and lattice deformation occurring in the [001] direction in the epitaxial layer. It was also observed the tetragonalization of unit cell due to implantation.
15
Zastosowanie technologii MOCVD w dziedzinie laserów antymonkowych z heterozłączem I-go rodzaju
Wesołowski M., Strupiński W., Pruszyńska-Karbownik E., Motyka M., Sęk G., Wójcik-Jedlińska A., Pierściński K., Pierścińska D.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 10
25-28
PL
Zastosowanie technologii epitaksji MOCVD (Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy) w przypadku optoelektronicznych przyrządów półprzewodnikowych otrzymywanych ze związków antymonu napotyka na problem w postaci zanieczyszczenia węglem i tlenem warstw zawierających glin. W związku z powyższym opracowano skuteczną technologię MOCVD struktur przyrządów antymonkowych w przypadkach, gdy nie ma konieczności wprowadzania do warstw atomów tego pierwiastka, jest tak np. w dziedzinie niektórych konstrukcji ogniw termo-foto-woltaicznych oraz detektorów ln(Ga)(As)Sb/GaSb. Odmienne natomiast okoliczności występują w dziedzinie laserów heterozłączowych InGaAsSb/AIGaAsSb/GaSb. W tym przypadku opublikowano dotychczas tylko jeden przypadek działającego lasera, nie udało się przy tym osiągnąć trybu pracy ciągłej. Celem przeprowadzonych badań była weryfikacja trudności tej technologii oraz próba ich pokonania poprzez zastosowanie optymalnego zestawu prekursorów. Przedstawione są wyniki prac nad otrzymywaniem warstw tworzących heterostrukturę oraz wyniki charakteryzacyjne heterostruktur. Porównanie jakości struktur otrzymanych w oparciu o zastosowane prekursory alternatywne DMEAAI (dwu-metylo-amino-diolan-glinu) oraz TEGa (trój-etylek-gaIu) z warstwami wykonanymi przy zastosowaniu prekursorów TMAI (trój-metylek-glinu) oraz TMGa (trój-metylek-galu) wykazało poprawność koncepcji. Pokazane są wyniki symulacji numerycznych uwzględniających problematykę domieszkowania okładek i barier laserów. Umożliwiają one optymalizację projektu struktury dla epitaksji w technologii MOCVD.
EN
The application of the MOCVD (metal organic vapor phase epitaxy) epitaxial growth method to optoelectronic semiconductor devices based on antimony compounds is problematic primary due to the carbon and oxygen contamination of layers containing aluminum. Thus, an effective MOCVD technology for antimonide devices, which do not incorporate atoms of this element in heterostructures, has been established. It concerns some thermophotovoltaic cells or ln(Ga)(As)Sb/GaSb detectors. The situation of InGaAsSb/AIGaAsSb/GaSb heterojunction lasers is dissimilar, since up to this point only one instance of a working laser has been reported; additionally, continuous wave operation has not been shown. The predominant goal of this study has been to verify the technology and to overcome its difficulties by using currently optimal precursors. Both the results of work on the process of obtaining single layers and the characterization results for laser heterostructures are presented. The comparison of the quality of the structures produced using alternative precursors DMEAAI (di-methyl-ethyl-amino-alane) as well as TEGa (tri-ethyl-galium) and the structures obtained with the use of TMAI (tri-methyl-aluminum) and TMGa (tri-methyl-galium) precursors proved the correctness of the concept. Numerical simulations of the laser devices considering the specific barrier and cladding layers doping issue are presented.
16
Pomiary elektromagnetycznych właściwości metamateriałów planarnych i grafenu w paśmie częstotliwości mikrofalowych
Krupka J., Strupiński W., Stefański A., Baszun M., Mączeński Z.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 2
65-69
PL
Opisano metody pomiaru zespolonej przenikalności elektrycznej i zespolonej przenikaIności magnetycznej metamateriałów metal-dielektryk w paśmie częstotliwości mikrofalowych przy użyciu dzielonych rezonatorów dielektrycznych i przestrajanej wnęki rezonansowej rodzaju TE01n. Przedstawiono także metodę rezonatora dielektrycznego do pomiaru rezystancji powierzchniowej i efektywnej konduktywności cienkich warstw przewodzących w tym grafenu. Wskazano na istotną różnicę przewodnictwa mikrofalowego i stałoprąd owego dla mieszanin metal-dielektryk poniżej progu perkolacji.
EN
Microwave complex permittivity and permeability of metalodielectric metamaterials measurement methods employing a split post dielectric resonator and tuned TE01n cavity have been described. The use of the dielectric resonator technique to measure the surface resistivity and the effective conductivity of thin conductive layers including graphene has been also presented. A substantial difference in DC and microwave conductivity for dielectric-metal mixtures below the percolation threshold has been pointed out.
17
Heterostruktury AlGaN/AlN/GaN na podłożach 4H-SIC uzyskane metodą LP MOVPE do zastosowań w technologii tranzystorów HEMT
Caban P., Strupiński W., Szmidt J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 3
145-149
PL
W pracy przedstawiono podstawowe problemy technologiczne związane z otrzymywaniem metodą LP MOVPE warstw heteroepitaksjalnych azotku galu na podłożach z węglika krzemu. Przedstawiono wyniki charakteryzacji buforowych warstw epitaksjalnych GaN na SiC otrzymywanych przy różnych ciśnieniach. Przydatność opracowanej technologii krystalizacji bufora GaN zweryfikowano poprzez wykonanie pełnej heterostruktury AlGaN/AlN/GaN/SiC wykorzystanej do wytwarzania tranzystorów HEMT. Przedstawiono rezultaty pomiarów parametrów pracy przyrządów.
EN
The main aspects of LP MOVPE GaN on SiC substrates were discussed. The influence of GaN growth pressure on crystal quality and surface morphology of GaN layers was investigated by atomic force microscopy (AFM) and high resolution x-ray diffraction (HRXRD). The HEMT structures based on AlGaN/AlN/GaN heterostructure were deposited. The device was fabricated and characterized.
18
Epitaksja warstw GaSb, InGaSb oraz InGaAsSb na podłożach GaSb metodą MOCVD
Wesołowski M., Strupiński W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 1
77-79
PL
Przedmiotem prezentowanych badań jest technologia epitaksji MOCVD na podłożach GaSb warstw GaSb oraz niektórych innych materiałów III-V zawierających antymon. Przeprowadzenie optymalizacji procesu epitaksjalnego oraz przygotowania podłoży pozwoliło pokonać podstawowe charakterystyczne problemy tej technologii. Zamieszczone dane analizy właściwości warstw: fotoluminescencji, rozpraszania rentgenowskiego, absorpcji, SIMS, mikroskopii optycznej oraz AFM wykazują dobrą jakość strukturalną, inne parametry, jak np. właściwości nośników, wymagają dalszej optymalizacji. Natrafiono na problemy w postaci dużej zawartości węgla i tlenu, trudności związane z obecnością tlenku na powierzchni podłoży oraz inne charakterystyczne problemy epitaksji MOCVD związków zawierających antymon.
EN
We present experimental results of MOCVD epitaxy of GaSb and some other III-V antimony-containing semiconductors on GaSb substrates. Through optimisation of epitaxy process and substrate preparation we resolved several specific technological issues. Observed characteristic relatively high contamination by oxygen and carbon can introduce difficulties in device applications. We have recognized and resolved problems related to the facility of oxide creation on the GaSb surface. We show characterisation results derived by photoluminescence, X-ray diffraction, absorption, SIMS, optical microscopy, AFM and other.
19
Technologia MOCVD materiałów zawierających antymon na podłóżach GaSb dla zastosowań w optoelektronice
Wesołowski M., Strupiński W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 5
49-52
PL
Przedstawione badania skupione są na zagadnieniu epitaksji MOCVD warstw półprzewodników III-V z antymonem na podłożach GaSb. Materiały te znajdują obecnie zastosowanie w przyrządach optoelektronicznych, jednak technologia MOCVD w ich przypadku przynosi wiele wyzwań, nowych w porównaniu z bardzo dobrze już określoną technologią dla arsenków lub fosforków. W artykule zamieszczono głównie wyniki wzrostu warstw GaSb, InGaSb oraz InGaAsSb, optaymailizacja technologii oraz podstawowe problemy jakie rozwiązano i jakie wymagają rozwiązania.
EN
We present research on MOCVD epitaxy of III-V antimony-containing semiconductors on GaSb substrates. The interest in these materials outcomes from their actual and potential applications in electronics, however the MOCVD technology in this case brings many new issues if compare with well established MOCVD epitaxy of arsenides or phosphides. We show main results of growth of GaSb, InGaSb and InGaAsSb Iayers, technology optimisation and basic problems which are already resolved or need to be resolved. The analysis by semiconductor characterisation techniques: microscopy, photoluminescence, X-ray diffraction, photoreflectance and other are presented. We also consider application of developed technology in infrared semiconductor lasers.
20
Content available Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksje GaN
Caban P., Kościewicz K., Strupiński W., Pągowska K., Ratajczak R., Wójcik M., Gaca J., Turos A., Szmidt J.
Materiały Elektroniczne
|
2008
|
T. 36, nr 4
5-16
PL
Przedstawiono wyniki prób osadzania azotku galu na podłożach z węglika krzemu w technologii epitaksji ze związków metalorganicznych w fazie pary w obniżonym ciśnieniu (LP MOVPE). W szczególności zbadano wpływ trawienia podłoży oraz ich odchylenia od osi (0001) na morfologię powierzchni oraz strukturę krystalograficzną osadzanego GaN. Stwierdzono, że trawienie podłoży ma wpływ na chropowatość powierzchni warstw epitaksjalnych, ale również poprawia strukturę krystalograficzną. Warstwy GaN zostały scharakteryzowane przy wykorzystaniu pomiarów AFM, HRXRD, RBS oraz pomiaru efektu Hall'a. Zaobserwowano, że najbardziej odpowiednim z analizowanych podłoży do epitaksji GaN jest 4H-SJC są te, które nie mają odchylenia od osi kryształu (0001).
EN
The influence of surface preparation and off-cut of 4H-SiC substrates on morphological and structural properties of GaN grown by low pressure metalorganic vapour phase epitaxy was studied. Substrate etching has an impact on the surface roughness of epilayers and improves its crystal quality. The GaN layers were characterized by AFM, HRXRD, RBS/channelling and Hall effect measurements. It was observed that on-axis 4H-SiC is most suitable for GaN epitaxy and that substrate etching improves the surface morphology of epilayer.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.