PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Influence of gas adsorption on photoluminescence properties of porous silicon layers
100%
Łukasiak Z. , Wyrzykowski Z. , Sylwisty J. , Bała W.
Electron Technology
|
2000
|
tom Vol. 33, No. 1/2
207-209
EN
Influence of different vapours (methanol CH₃OH, isopropanol C₃H₈O, toluene C₆H₅CH₃) on photoluminescence spectra of anodically etched porous silicon measured at room temperature under pulse exciation are presented. Weak changes of the global photoluminescence intensity, distinct changes of spectrum structure and its full recovery after exposure samples to vacuum are observed. To explain our results we assumed, that adsorbed molecules modify propability of nonradiative recombination of the excited carriers on traps located on the surface of silicon crystallites. Presented results and conclussions support quantum confinement as a mechanism of the luminescence of porous silicon.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.