PL
|
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na
https://bibliotekanauki.pl
Szukaj
Przeglądaj
Pomoc
O nas
Preferencje
Polski
English
Język
Widoczny
[Schowaj]
Abstrakt
10
20
50
100
Liczba wyników
Tom - szczegóły
Adres strony
Kopiuj
Tytuł artykułu
Vol. 33, No. 1/2
Czasopismo
Electron Technology
Wydawca
Rocznik
2000
Identyfikatory
Zawartość wolumenu
Vol. 33, No. 1/2
artykuł:
Emergent application fields for semiconductor gas sensors
(
Kohl C. D.
,
Kelleter J.
,
Geyer W.
,
Ochs T.
,
Krummel C.
,
Fleischer M.
,
Meixner H.
,
Petig H.
), s. 13-21
artykuł:
Experimental and theoretical studies on the receptor and transducer functions of SnO₂ gas sensors
(
Lantto V.
,
Rantala T. S.
,
Rantala T. T.
), s. 22-30
artykuł:
Tin doxide sensor a very complex device: physico-chemical and technological approach
(
Lalauze R.
,
Pijolat C.
,
Tournier G.
,
Breuil B.
), s. 31-39
artykuł:
Physics and technology of thick film sensors and thier applications for environmental gas monitoring
(
Martinelli G.
,
Carotta M. C.
,
Malagu C.
), s. 40-44
artykuł:
Oxygen gas sensors based on thin semiconductor films
(
Smyntyna V.
), s. 45-51
artykuł:
Nanocrystalline tin dioxide thin films as oxidizing gas sensor
(
De Agapito J. A.
,
Santos J. P.
,
Martin M. A.
,
Vasquez H.
), s. 55-60
artykuł:
The control of defect in the gas-sensitive tin dioxide layers
(
Dimitrov D. T.
,
Lutskaya O. F.
,
Moshnikov V. A.
), s. 61-65
artykuł:
The stability of SnO₂ gas sensors
(
Kocemba I.
,
Szafran S.
,
Rynkowski J.
,
Paryjczak T.
), s. 66-69
artykuł:
Influence of oxygen partial pressure on the kinetics of some physical parameters at transitions between dried and wet atomospheres in SnO₂ gas sensors
(
Moise C.
,
Ionescu R.
,
Vancu A.
,
Tomescu A.
), s. 70-72
artykuł:
RF-sputtered thin film gas sensors based on modified tin dioxide
(
Radecka M.
,
Pasierb P.
,
Zakrzewska K.
,
Kowal A.
), s. 73-78
artykuł:
Sensitivity of the atomic layer epitaxy (ALE) deposited SnOx thin films in function of their oxygen content
(
Varhegyi E. B.
,
Perczel I. V.
,
Pinter Z.
,
Utriainen M.
,
Reti F.
), s. 79-81
artykuł:
Thin SnO₂ films grown by RGTO method
(
Żyłka P.
), s. 82-85
artykuł:
E-gun sputtered and reactive ion sputterd TiO2 thin films for gas sensors
(
Edelman F.
,
Rothshild A.
,
Komem Y.
,
Mikhelashvili V.
,
Chack A.
,
Cosandey F.
), s. 89-107
artykuł:
Ceramic and film metaloxide sensors obtained by sol-gel method : structural features and gas-sensitive properties
(
Ivanovskaya M.
), s. 108-112
artykuł:
Thick film microsensors based on nanosized titania sol-gel powder
(
Carotta M. C.
,
Butturi M. A.
,
Martinelli G.
,
Di Vona M. L.
,
Licoccia S.
,
Traversa E.
), s. 113-117
artykuł:
Development of WO₃ thick-film NO sensors and their application in monitoring of steam power plant exhausts
(
Tomchenko A. A.
), s. 118-121
artykuł:
How phthalocyanines interact with silicon substrates : a review of photoelectron spectroscopy experiments
(
Ottaviano L.
,
Lozzi L.
,
Santucci S.
), s. 125-135
artykuł:
Irradiation assisted preparation of gas sensitive layers based on halogen substituted phthalocyanines
(
Pakhomov G. L.
,
Pakhomov L. G.
,
Pozdnyaev D. E.
,
Zakamov V. R.
,
Spector V. N.
), s. 136-144
artykuł:
The modified metallophthalocyanines : electron transport mechanism and gas sensing properties
(
Pochtenny A. E.
,
Fedoruk G. G.
,
Ilyushonok I. P.
,
Misevich A. V.
), s. 145-152
artykuł:
Structure and adsorption-resistive properties of copper-phthalocyanine-polymer thin films
(
Fedoruk G. G.
,
Karapetyan O. E.
,
Pochtenny A. E.
,
Sagaidak D. I.
,
Shulitzki B. G.
), s. 153-156
artykuł:
Electronic properties of space charge layer of cooper phthalocyanine (CuPc) thin films "in situ" studied by photoemission yield spectroscopy
(
Grządziel L.
,
Mikołajczak K.
,
Szuber J.
), s. 157-160
artykuł:
Studies of the electrical and mass effects in surface acoustic wave gas sensor
(
Urbańczyk M.
,
Jakubik W.
), s. 161-166
artykuł:
The effect of gas adsorption on hopping conduction of metallophthalocyanines
(
Misevich A. V.
,
Pochtenny A. E.
), s. 167-170
artykuł:
Two-component thin phthalocyanine films for gas sensing: DC and AC approach
(
Pakhomov L. G.
,
Pozdnyaev D. E.
,
Ribo G. M.
,
Muller C.
), s. 171-175
artykuł:
Molecular materials : gas sensors properties, complementarity with metallic oxides
(
Pauly A.
,
Germain J. P.
,
Blanc J. P.
), s. 179-186
artykuł:
Conductivity modulation in metalloporphyrin dimer Langmuir-Blodgett films induced by gas adsorption
(
Valli L.
,
Tepore A.
,
Micocci G.
,
Serra A.
,
Manno D.
,
Arnold D. P.
), s. 187-191
artykuł:
Semiconducting carbons as selective adsorbents for humidity sensors
(
Łukaszewicz J. P.
), s. 195-206
artykuł:
Influence of gas adsorption on photoluminescence properties of porous silicon layers
(
Łukasiak Z.
,
Wyrzykowski Z.
,
Sylwisty J.
,
Bała W.
), s. 207-209
artykuł:
Gas sensing surface states of porous silicon junctions investigation by deep levels transient spectroscopy
(
Płachetko S.
,
Bała W.
), s. 210-212
artykuł:
NO₂ sensitivity of thin n-InP epitaxial layers
(
Talazac L.
,
Blanc J. P.
,
Battut V.
,
Mollot F.
), s. 213-216
artykuł:
Humidity sensing properties of spin-on phosphorosilica thin films
(
Waczyński K.
,
Wróbel E.
,
Pruszowski Z.
,
Nowak R.
), s. 217-221
artykuł:
Theoretical study of semiconductor thin films gas sensors: attempt to consistent approach
(
Brynzari V.
,
Korotchenkov G.
,
Dmitriev S.
), s. 225-235
artykuł:
Surface and interface potentials in semiconductor chemical sensors
(
Mizsei J.
), s. 236-242
artykuł:
Fuzzy logic combined with genetic algorithms in the improvement of semiconductor gas sensor performance
(
Pisarkiewicz T.
,
Potempa P.
), s. 243-248
artykuł:
Computer analysis of the fermi level behaviour at SiO₂/n-Si and SiO₂/n-GaAs interfaces
(
Adamowicz B.
,
Miczek M.
,
Hesegawa H.
), s. 249-252
artykuł:
Characterization of oxide semiconductor gas sensors by the complex analysis of surface physico-chemical processes
(
Reti F.
), s. 255-260
artykuł:
Photoemission studies of the electronic properties of the space charge layer of SnO₂(110) surface
(
Szuber J.
,
Göpel W.
), s. 261-281
artykuł:
Some comments on the band bending and origin of electronic defect states on the clean SnO₂(110) surface
(
Lipa D.
,
Szuber J.
), s. 282-285
artykuł:
Surface photovoltage spectroscopy system for "in situ" studies of metal phthalocyanine thin films
(
Bilski M.
,
Kaszczyszyn S.
,
Grządziel L.
,
Adamowicz B.
,
Szuber J.
), s. 289-29
artykuł:
NO₂ and CO interference in solid state commercial sensors
(
Martin M. A.
,
Santos J. P.
,
Vasquez H.
,
De Agapito J. A.
), s. 292-296
artykuł:
Simple, low cost quartz crystal monitor system for metal phthalocyanine thin film growth control
(
Matkowski P.
,
Grządziel L.
,
Szuber J.
), s. 297-301
artykuł:
Computer controlled Kelvin probe for olfactory images
(
Ress S.
), s. 302-305
rozwiń roczniki
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.