PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 21

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
Content available remote Środki techniczne automatyzacji montażu w OBR TEKOMA Warszawa (artykuł promocyjny).
100%
Łukasiewicz T.
Technologia i Automatyzacja Montażu
|
1998
|
tom nr 1
38-40
2
Content available remote Międzynarodowe Targi Automatyki i Pomiarów AUTOMATIKON'99.
100%
Łukasiewicz T.
Technologia i Automatyzacja Montażu
|
1999
|
tom nr 2
27-27
3
Podstawy metody Czochralskiego
100%
Łukasiewicz T.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
1999
|
tom Vol. 40, nr 5
6-9
PL
Jedną z najważniejszych metod otrzymywania kryształów dla potrzeb elektroniki jest metoda Czochralskiego. Możliwość otrzymywania tą drogą dużych kryształów, łatwość automatyzacji procesu krystalizacji zapewnity daleko posuniętą powszechność samej metody, co w dużej mierze przyczyniło się do rozwoju elektroniki. Przedstawiono zasadę metody, podstawowe parametry i warunki jej realizacji, stosowane obecnie rozwiązania aparaturowe, sposoby sterowania i kontroli zapewniające wysoką jakość otrzymanych kryształów spełniających stawiane wymagania.
EN
Developing very quickly electronic devices used in many technical domains, need still new, higher and higher quality materials, specially in a single crystal form. A lot of them are produced by Czochralski method. Although the idea of Czochralski growth is rather simple its practical execution is much complicated. To get a good quality product a number of factor influencing the growth process and environmental conditions must be kept with high accuracy. This paper presents practical used of Czochralski method, modern apparatus and examples of crystals produced for industrial applications.
4
Działania i inwestycje proekologiczne w Hucie Miedzi Legnica.
100%
Łukasiewicz T.
Rudy i Metale Nieżelazne
|
2003
|
tom R. 48, nr 5
221-225
PL
W ujęciu historycznym opisano działania podejmowane w celu zmniejszenia niekorzystnego oddziaływania procesu produkcji miedzi na środowisko naturalne. Przedstawiono koszty przedsięwzięć proekologicznych i uzyskane efekty.
EN
Chronology of the activities undertook in order to reduce harmful impact of copper production processes on the natural environment has been described. Costs of relevant pro-ecological projects and the results accomplished are presented.
5
Monokryształy tlenkowe dla elektroniki i fotoniki
51%
Łukasiewicz T. , Majchrowski A. , Mierczyk Z.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2001
|
tom Vol. 42, nr 2
19-22
PL
Rozwój elektroniki zależy w dużym stopniu od będących do dyspozycji materiałów oferujących odpowiednie własności. W pracy przedstawiono kierunki działań w zakresie nowych materiałów monokrystalicznych prowadzonych na świecie. Zaprezentowano badania prowadzone w ITME, IOE WAT, IFT WAT w zakresie technologii wytwarzania materiałów i techniki pomiarowej. Omówiono podstawowe własności fizyczne i strukturalne materiałów tlenkowych dla laserów na ciele stałym tj. materiałów wykorzystywanych jako ośrodki aktywne, stosowanych do pasywnej modulacji dobroci, jako podłoże dla techniki cienkowarstwowej i o własnościach nieliniowych do powielania częstości.
EN
Very quickly developing of optoelectronics, specially practical application of laser technique in many domains, needs a many materials possesing suitable properties. For some years trends in optoelectronics are toward small solid state lasers pumped by laser diodes. The intensive search for new crystals with good optical quality, very high structural perfection and improved lasing properties for applications both in bulk and microlasers are still carried on. The paper describes investigation of crystallization of oxide single crystals as well their characterization. Growth and properties of many compounds acting as active laser or selffrequency doubling materials, passive modulators, nonlinear optical materials, crystals used as substrates for blue lasers and acoustopic materials are discussed. Such oxide single crystals like yttrium aluminium garnet with high neodymium concentration, vanadates, borates and double tungstates are presented. A lot of them were obtained and researched in Poland.
6
Content available remote Spectral and generation characteristics of YAG:Nd³⁺ crystals with high concentration of Nd³⁺ ions
51%
Mierczyk Z. , Kopczyński K. , Żendzian W. , Łukasiewicz T.
Opto-Electronics Review
|
2001
|
tom Vol. 9, No. 1
83-90
EN
The paper presents investigation results of optical, spectroscopic, and generation parameters of YAG:Nd³⁺ with higher concentration of Nd³⁺ ions (1.1–1.8 at. % Nd³⁺). YAG:Nd³⁺ single crystals were obtained by the Czochralski method. Investigations on optical quality were carried out using elastoscopic and interferometric methods. Absorption spectra within the spectral range of 200–3000 nm (∆ʎ = 1 nm) and pumping range of 750-850 nm (∆ʎ = 0.1 nm) were determined. Also the spectra of luminescence induced with radiation emitted by a laser diode of 808 nm were investigated and lifetime of Nd³⁺ ions in the upper laser level (⁴F₂/₃) was determined. In the all investigated crystals, doped up to 1.3 at.% Nd³⁺, the time of fluorescence decay from ⁴F₂/₃ level is 230 us. It was stated that high level of Nd³⁺ ions doping (above 1.33 at. % Nd³⁺) causes reduction of lifetime of the upper level ⁴F₂/₃ as a result of concentric quenching of luminescence. For the crystals of 1.8 at. % Nd³⁺ concentration, upper laser level lifetime has been educed to 183 us. Also the results of generation investigations obtained in a laser system with the examined YAG:Nd active media in form of side pumped "slabs" and inform of longitudinally pumped rod.
7
Content available remote Oxide crystals for solid state laser applications
51%
Łukasiewicz T. , Majchrowski A. , Mierczyk Z.
Opto-Electronics Review
|
2001
|
tom Vol. 9, No. 1
49-56
EN
Recent trends in optoelectronics are towards small solid state lasers pumped by laser diodes. The paper describes efforts to create material basis for the development of this branch of optoelectronics. Single crystal growth and properties of many compounds acting as active laser or self-frequency doubling materials, passive modulators, nonlinear optical materials, and acousto-optic materials are discussed, including aluminium garnet with high neodymium concentration, vanadates, borates, and double tungstates.
8
Content available remote X-ray photoelectron spectroscopy studies of PrAlO3 crystals before and after thermal treatment
51%
Kruczek M. , Talik E. , Pawlak D. , Łukasiewicz T.
Optica Applicata
|
2005
|
tom Vol. 35, nr 3
347-328
EN
The as-grown PrA103 single crystals grown by the Czochralski method are brown colored and after annealing in the reducing atmosphere (20%) H2/N2 they change the color to green. The X-ray photoelectron spectroscopy was used to study the chemical composition and electronic structure of PrAlO3 single crystals before and after the thermal treatment. The core electron lines of praseodymium, aluminum and oxygen were measured and deconvoluted into the synthetic peaks to determine the chemical shifts. The mixed ionic and covalent character of bonds was found. The praseodymium valency may influence the coloration of the PrAlO3 crystal. In the as-grown sample an additional Pr 3d3/2 peak at about 965 eV has higher intensity than that in the annealed one and is attributed to the presence of Pr4+ ions. The measurements showed the reduction of oxygen during thermal treatment and that interstitial oxygen was not removed in this process.
9
Content available Wpływ promieniowania jonizującego na własności optyczne wybranych kryształów typu ABO3
51%
Potera P. , Łukasiewicz T. , Świrkowicz M.
Materiały Elektroniczne
|
2009
|
tom T. 37, nr 1
5-58
PL
Praca stanowi syntetyczne ujęcie zagadnień związanych z kompleksowymi badaniami wpływu promieniowania (kwanty gamma, UV, elektrony, szybkie neutrony) na własności optyczne niedomieszkowanych i domieszkowanych wieloskładnikowych kryształów tlenkowych typu ABO3, otrzymanych w ITME: perowskitu itrowo-glinowego i niobianu litu. Zmiany własności optycznych tych kryształów wkutek napromieniowania są wynikiem powstawania centrów barwnych, zarówno poprzez zmianę stanu ładunkowego defektów wzrostowych jak i tworzenia się defektów radiacyjnych w wyniku przemieszczenia atomów.
EN
Comprehensive results of researches about influence of gamma quanta, UV, electrons and fast neutrons radiation on optical properties of undoped and doped multicomponents oxide single crystals ABO3 type: yttrim alumina perovskit (YAP) and lithium nobate (LN). Changes of optical properties as effect of radiation are result of colour centre creation by means of electric charge in genetic defects changes or creation of radiation defects with displacement.
10
Brillouin Laser Light Scattering in the ABCO4 Oxide Type Crystals
51%
Błachowicz T. , Kleszczewski Z. , Łukasiewicz T.
Molecular and Quantum Acoustics
|
1999
|
tom Vol. 20
115-121
11
Content available Wzrost politypu 3C-SiC z roztworu metodą TSSG
51%
Raczkiewicz M. , Tymicki E. , Łukasiewicz T.
Materiały Elektroniczne
|
2015
|
tom T. 43, nr 2
4--11
PL
W tej pracy przedstawiono metodę wzrostu węglika krzemu politypu 3C. Jako zarodki posłużyły monokrystaliczne płytki węglika krzemu o politypach heksagonalnych 4H-SiC oraz 6H-SiC. Zbadano wzrost na płaszczyznach o orientacji (0001) oraz (000-1). Określony został zakres temperatur, pozwalający na otrzymanie struktur o wysokiej jednorodności politypowej, która została potwierdzona analizą fazową otrzymanego materiału oraz pomiarami widma Ramana.
EN
In this paper, solution growth of 3C-SiC was demonstrated. Monocrystalline 4H-SiC and 6H-SiC wafers were used as seeds. Growth was observed on (0001) and (000-1) planes. The temperature range enabling the fabrication of 3C-SiC structures of high polytypic homogeneity was determined and 3C-SiC growth was confirmed by XRD and Raman spectroscopy.
12
Content available remote Influence of γ-radiation on Dy³⁺ doped LiNbO₃ single crystals
38%
Kaczmarek S. M. , Łukasiewicz T. , Pracka I. , Jabłoński R. , Boulon G. , Kaczmarek B. , Warchoł S.
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
|
1998
|
tom Vol. 47, nr 7-8
101-112
EN
Absorption measurements of the "as grown", gamma irradiated and thermal annealed LiNbO₃ crystals doped with Dy³⁺ ions for several activator concentrations were performed. It was stated that positions occupied by Dy³⁺ ions in LiNbO₃ lattice depend on the impurity concentration. May be large ion radius of Dy³⁺ ion makes, that it locates in interstitial position as Dy²⁺. Dy²⁺ ions after the exposure with gamma rays, as well as after the thermal annealing, change their valency and become Dy³⁺. The ESR measurements were performed for trivalent dysprosium. There were no changes in ESR lines before and after gamma exposure performed at room temperature, but after UV irradiation with an mercury lamp changes were very clar.
PL
Zbadano wpływ naświetlania domieszkowanych dysprozem kryształów LiNbO3 kwantami gamma (⁶⁰Co, 1.25 MeV) na ich charakterystyki optyczne. Przeprowadzono badania EPR przed i po naświetleniu kwantami y (dawka 10³-10⁶ Gy) oraz przed i po naświetlaniu UV z lampy rtęciowej. Centra barwne powstające po naswietlaniu kryształu niobianu litu wskazują na obecność w nich jonów Dy²⁺, które lokują się w silnie zdefektowanych obszarach kryształu, nie dając żadnych pasm w widmie absorpcji. Ich obecność staje się zauważalna dopiero po naświtlaniu kryształu kwantami gamma lub UV. Koncentracja jonów Dy²⁺ zależy istotnie od założonej koncentracji jonów Dy³⁺.
13
Content available remote Investigation of structural, optical and lasing properties of YAG:Yb single crystals
38%
Świrkowicz M. , Skórczakowski M. , Jabczyński J. , Bajor A. , Tymicki E. , Kaczmarek B. , Łukasiewicz T.
Opto-Electronics Review
|
2005
|
tom Vol. 13, No. 3
213-220
EN
Single crystals of yttrium aluminium garnet (YAG) doped with ytterbium ions of up to 30 at.% were grown by the Czochralski method. Using the growth rate from 1 to 3 mm/h, and the rotation rate from 15 to 30 rpm, single crystals with diameters of up to 22 mm and lengths up to 85 mm were obtained. Using the inductively coupled plasma n optical emission spectroscopy (ICP-OES) method, Yb distribution coefficient was determined to be equal to 1.10±0.02. The following methods: optical absorption spectroscopy, plane and circular polariscope, electron probe microanalysis (EPMA) to determine the radial distribution of Yb ions, X-ray diffraction methods to determine the lattice constant were used. Etch pit density distribution and lasing properties were also investigated. Samples of YAG:Yb crystals with Yb ions contents of 3, 5, 7, and 10 at.% were pumped by 940 nm laser diode for their lasing properties. The best lasing slope efficiency of 40% with respect to the absorbed pump power was achieved at 5 at.% Yb content. The lowest threshold of 2.5 W of the absorbed pump power was observed, however, for a 7 at.% Yb doped sample in quasi hemispherical resonator configuration. These investigations have been found to be in good agreement with polariscopic observations, showing a certain decrease in optical homogeneity with increase in Yb content.
14
Content available remote Assessment of gadolinium calcium oxoborate (GdCOB) for laser applications
38%
Bajor A. L. , Kisielewski J. , Kłos A. , Kopczyński K. , Łukasiewicz T. , Mierczyk J. , Młyńczak J.
Opto-Electronics Review
|
2011
|
tom Vol. 19, No. 4
439-448
EN
Increasing demand for growing high quality laser crystals puts a question about their most important parameters that one should concentrate on to get a desired product which will exhibit best properties in practical use. And by no means, this is a simple question. Apart of the usual lasing properties associated with a special dopant in the host material itself, one needs to consider another two lasing phenomena, namely second (SHG) and higher harmonic generation, and self-frequency doubling (SFD). Not necessarily all of these three can meet altogether in the same host material to yield in its best appearance in every case. We have made a review of basic properties of gadolinium oxoborate GdCa₄O(BO₃)₃ (GdCOB) crystal and came to the conclusion that, currently, as a host material this is probably the best in all of its lasing applications. Although GdCOB has low thermal conductivity, which requires a suitable cooling, on the other hand it has got small thermo-optic coefficients which govern good operation in SHG and SFD experiments. Two inch dia. Nd-doped crystals were grown by the Czochralski technique. Since a large discrepancy in the literature exists on exact values of nonlinear coefficients, one is never sure about this whether theoretically predicted phase-matching angles (PMA) are those that are really optimal. Besides, none has yet measured the values of nonlinear coefficients as a function of doping concentration. Therefore we have not decided to cut numerous differently oriented samples for generation of different wavelengths in SHG and SFD, but rather tried to generate different wavelengths from the same samples. We have also not paid special attention to get highest possible conversion efficiencies. However, we have concentrated our attention on potential use of the core region in laser technique. Unlike in YAG crystals, when the core is by all means a parasitic structure, we discovered that the core region in GdCOB, that majority of investigators are even not aware of its presence in the crystal, can be also useful in laser technique. According to our best knowledge, a SHG of red light in this work is the second reported case in the world-wide literature.
15
Content available Investigation of oxide crystals by means of synchrotron and conventional X-ray diffraction topography
32%
Wierzchowski W. , Malinowska A. , Wieteska K. , Wierzbicka E. , Mazur K. , Lefeld-Sosnowska M. , Świrkowicz M. , Łukasiewicz T.
Materiały Elektroniczne
|
2016
|
tom T. 44, nr 4
17--32
EN
X-ray diffraction topography, exploring both conventional and synchrotron sources of X-rays, has been widely used for the investigation of the structural defects in crystals of oxides. The majority of bulk oxide crystals have been grown by the Czochralski method from a melted mixture of high purity oxides. Some important oxide crystals like quartz and ZnO have been obtained by the hydrothermal method. In the case of crystals grown by the first method, synchrotron diffraction topography can be and was used for studying individual dislocations and their complexes (e.g. glide bands, sub-grain boundaries), individual blocks, twinning, the domain structure and various segregation effects negatively affecting crystal properties. What is more, the topographical investigation can provide information concerning the reasons for the generation of the defects, which becomes useful for improving the growth technology. In the present paper the possibilities of the diffraction topography are discussed on the basis of several investigations of the oxide crystals, in particular garnets, orthovanadates, mixed calcium barium and strontium niobates as well as praseodymium lanthanum aluminates. the majority of the results refer to oxide crystals grown at the Institute of Electronic Materials Technology (ITME). The synchrotron investigations included in the paper were performed by the authors at the HASYLAB Synchrotron Laboratory in Hamburg.
PL
Rentgenowska topografia dyfrakcyjna, wykorzystująca zarówno konwencjonalne, jak i synchrotronowe źródła promieniowania rentgenowskiego, jest od wielu lat z powodzeniem stosowana do badania defektów strukturalnych w różnego rodzaju monokryształach. Szeroką grupę tych materiałów stanowią kryształy tlenkowe, które w większości są otrzymywane metodą Czochralskiego ze stopionej mieszaniny tlenków o wysokiej czystości. Do otrzymywania kryształów tlenków, takich jak kwarc i ZnO, stosuje się metodę hydrotermalną. rentgenowska topografia dyfrakcyjna może być wykorzystana do badania indywidualnych dyslokacji i ich kompleksów (np. pasma poślizgowe, granice niskokątowe), pojedynczych bloków, zbliźniaczeń, struktury domenowej i różnych efektów segregacyjnych. Wszystkie te defekty mogą wpływać negatywnie na jednorodność i właściwości kryształów. Badania topograficzne mogą również dostarczyć informacji dotyczących przyczyn powstawania defektów, co przydatne jest w doskonaleniu technologii. W niniejszej pracy omówiono możliwości topografii dyfrakcyjnej na podstawie przeprowadzonych badań szeregu kryształów tlenkowych, w szczególności granatów, ortowanadianów, mieszanych niobianów wapnia, baru i strontu oraz glinianów prazeodymu i lantanu. Większość wyników dotyczy monokryształów tlenków otrzymywanych w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych (ITME). uwzględnione badania synchrotronowe zostały przeprowadzone przez autorów w Laboratoriom Synchrotronowym HASYLAB w Hamburgu.
16
Content available 15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej
32%
Tymicki E. , Raczkiewicz M. , Racka K. , Grasza K. , Kościewicz K. , Diduszko R. , Mazur K. , Łukasiewicz T.
Materiały Elektroniczne
|
2012
|
tom T. 40, nr 3
17-27
PL
W pracy zaprezentowano wyniki eksperymentów, mających na celu określenie warunków wzrostu kryształów 4H- oraz 6H-SiC wolnych od wtrąceń politypu 15R-SiC. Kryształy SiC otrzymane w procesie krystalizacji metodą transportu fizycznego z fazy gazowej (PVT) zostały zbadane przy użyciu metod badawczych takich jak: dyfrakcja rentgenowska (XRD), dyfrakcja elektronów wstecznie rozproszonych (EBSD), mikroskopia optyczna oraz trawienie chemiczne, pod kątem występowania wtrąceń politypu 15R w strukturach krystalicznych 4H- oraz 6H-SiC. Otrzymane wyniki badań zostały odniesione do parametrów wzrostu tj.: temperatury, ciśnienia, rodzaju materiału wsadowego, oraz jakości i orientacji monokrystalicznego zarodka SiC. Przeprowadzona została dyskusja na temat wpływu warunków wzrostu na powstawanie politypu 15R, z której jednoznacznie wynika, że tworzenie się wtrąceń politypowych 15R w strukturach 4H i 6H wiąże się ze znacznym spadkiem jakości strukturalnej otrzymanych kryształów. Z przeprowadzonych badań wynika, że otrzymanie jednorodnych kryształów politypu 6H i 4H bez wtrąceń 15R-SiC metodą PVT jest trudne ze względu na bardzo szeroki zakres warunków, w których polityp 15R występuje.
EN
In this paper the main problems which have to be resolved to obtain 4H- and 6H-SiC crystals free from 15R-SiC inclusions by the physical vapour transport method (PVT) are presented. The resultant SiC crystals have been investigated using various experimental methods such as X-ray diffraction (XRD), electron backscatter diffraction (EBSD), optical microscopy and KOH etching in order to check the quality of the crystal structure and the amount of the 15R-SiC inclusions. The obtained results have been analysed with reference to the following growth conditions: temperature, pressure, type of the SiC source material and the quality of the crystal seed. The investigations have showed that a serious deterioration of the structural quality is unavoidable when the 15R-SiC polytype occurs in hexagonal polytypes such as 4H- and 6H-SiC. Obtaining homogenious 4H-SiC and 6H-SiC crystals without any 15R-SiC inclusions by the PVT method is difficult due to there being a very wide range of conditions in which the 15R-SiC polytype appears.
17
Content available remote Otrzymywanie i właściwości optyczne monokryształów granatu itrowo-aluminiowego domieszkowanych cerem i magnezem
32%
Kaczmarek S. , Kisielewski J. , Jabłoński R. , Moroz Z. , Kwaśny M. , Łukasiewicz T. , Warchoł S. , Wojtkowska J.
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
|
1998
|
tom Vol. 47, nr 7-8
113-139
PL
Opisano warunki otrzymywania kryształów Y₃Al₅O₁₂ (YAG), Ce³⁺:Y₃Al₅O₁₂, (Ce:YAG) oraz Ce³⁺, Mg²⁺:Y₃Al₅O₁₂ (Ce, MG:YAG) metodą Czochralskiego oraz pokazano charakterystyki optyczne kryształów: CeYAG(0,05at.%Ce³⁺),CeYAG(0,1 at.%Ce³⁺), Ce:YAG(0,2 at.%Ce³⁺) oraz CeMg:YAG (0,2 at.%Ce³⁺ "+"0,1at.%Mg²⁺). Przedstawiono wyniki badań wpływu kwantów gamma ze źródła ⁶⁰Co (1,25MeV), protonów z cyklotronu C30 o energii 26 MeV oraz elektronów o energii 1 MeV z akceleratora Van de Graaffa, na absorpcję i luminescencję monokryształów YAG domieszkowanych jonami Ce³⁺ oraz Mg²⁺. Naświetlania kwantami gamma prowadzono w temperaturach pokojowej i ciekłego azotu, stwierdzając istotne różnice w widmie absorpcji. Centra barwne powstające po naświetlaniu tych kryształów (dawką 10⁵ Gy, 10¹⁴ cm⁻² oraz 5*10¹⁶ cm⁻², odpowiednio), powodują powstanie dodatkowych pasm absorpcyjnych w obszarze widmowym, charakterystycznym dla przejść w jonach Ce³⁺.
EN
Crystal growth conditions of pure YAG single crystals doped with Ce and Mg ions: Ce:YAG (0,05, 0,1, 0,2 at. % Ce), Mg: YAG (0,6 at. %) and Ce, Mg:YAG (0,2 at. % Ce, 0,1 at. % Mg) were described. Influence of different types of ionizing radiation (gamma-quanta, electrons, protons) on absorption and luminescence of the crystals was investigated. Increase in concentration of Ce³⁺ ions after ionizing radiation treatment was stated that depend on starting concentration of Ce ions and the type of the radiation. The ESR measurements of the above crystals were also performed. The Lande factors are: gx = 1,8729, gy = 0,91039(2) and gz = 2,73814(3). Ce,Mg:YAG single crystal shows displecement in the position of a short-wave absorption edge of the order of 100 nm with respect to Ce:YAG ones.
18
Content available remote Growth and optical properties of Nd:YVO₄ laser crystals
32%
Kaczmarek S. M. , Łukasiewicz T. , Giersz W. , Jabłoński R. , Jabczyński J. K. , Świrkowicz M. , Gałązka Z. , Drozdowski W. , Kwaśny M.
Opto-Electronics Review
|
1999
|
tom Vol. 7, No. 2
149-152
EN
Growth conditions for Nd:YVO₄ crystals and some optical properties are presented. The obtained Nd:YVO₄ crystal shows lower content of point defects and consequently, lower susceptibility to ionising radiation. ESR measurements show the presence of V ions in intersitial sites with another than 5t valency. Obtained by Czochralski method crystals reveal very good optical properties, some of which are better than for Nd:YAG.
19
Wpływ domieszkowania na właściwości akustyczne i cieplnemonokryształu niobanu litu.
32%
Bodzenta J. , Burak B. , Hofman W. , Gała M. , Kucytowski J. , Łukasiewicz T. , Pyka M. , Wokulska K.
Zeszyty Naukowe. Matematyka - Fizyka / Politechnika Śląska
|
2004
|
tom z. 91
111-136
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań właściwości cieplnych i akustycznych monokryształów niobianu litu. Badania przeprowadzono zarówno dla czystego monokryształu, jak i kryształów domieszkowanych metalami i pierwiastkami ziem rzadkich. Dyfuzyjność cieplna została wyznaczona w oparciu o zmodyfikowaną metodę Angstroma. Prędkości fal akustycznych określono za pomocą metody echa. Dodatkowo wyznaczono parametry sieciowe komórek elementarnych monokryształów niobianu litu.
EN
Results of investigations of thermal and acoustic properties of lithium niobate monocrystals are presented in the paper. Investigations were carried out either for pure monocrystal or for crystals doped with metals and rare earth elements. The thermal diffusivity was determined by modified Angstrom's method. Acoustic wave velocity was measured by pulse echo method. In addition, lattice parameters of lithium niobate unit cell were determined
20
Content available remote Preparation and characterization of transparent Nd:YAG ceramics
32%
Librant Z. , Jabczyński J. K. , Węglarz H. , Wajler A. , Tomaszewski H. , Łukasiewicz T. , Żendzian W. , Kwiatkowski J.
Opto-Electronics Review
|
2009
|
tom Vol. 17, No. 1
72-77
EN
Transparent Nd:YAG ceramics were produced by solid.state reaction of high.purity (4N) nanometric oxides powders, i.e., Al₂₃O₃, Y₂₃O₃ and Nd₂₃O₃. After sintering, mean grain sizes of 2% Nd:YAG samples were about 20 µm and their transparency were a bit worse than that of 0.9% Nd:YAG single crystal. Two types of active elements: rods and slabs were fabricated and characterized in several diode pumping schemes. In end pumping configuration as a pump source 20.W fiber coupled laser diode operating in low duty cycle regime (1 ms pump duration/20 Hz) was deployed. In the best case, 3.7 W of output power for 18 W of absorbed pump power, M ² < 1.4 were demonstrated for uncoated ceramics Nd:YAG rod of Φ 4×3mm size in preliminary experiments. For the ceramics of two times lower Nd dopant level above 30% slope efficiency was achieved. In case of Nd:YAG ceramic slab side pumped by 600.W laser diode stack above 12 W was demonstrated with slope efficiency of 3.5%.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.