Opto-Electronics Review - Tom Vol. 7, No. 2 (1999) - Biblioteka Nauki - Yadda

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Tom - szczegóły

Tytuł artykułu

Vol. 7, No. 2

Czasopismo

Opto-Electronics Review

Wydawca

Rocznik

1999

Identyfikatory

Zawartość wolumenu

Vol. 7, No. 2
- artykuł: Metalorganic vapour phase epitaxy of GaN and lateral overgrowth (Beaumont B., Gibart P.), s. 63-74
- artykuł: Surface strain during homoepitaxy : growth and ion ablation of CdTe (Tatarenko S., Etgens V. H., Hartmann J. M., Martrou D., Arnoult A., Cibert J., Magnea N., Sauvage-Simkin M., Alvarez J., Ferrer S.), s. 75-80
- artykuł: Intersubband transitions in n-type quantum well systems (Załużny M.), s. 81-86
- artykuł: Photoluminescence and structural properties of selected wide-gap II-VI solid solutions. (Firszt F., Łęgowski S., Męczyńska H., Sekulska B., Szatkowski J., Paszkowicz W., Marczak M.), s. 87-92
- artykuł: Optical studies of MOVPE grown GaN layers (Ciorga M., Jezierski K., Bryja L., Misiewicz J., Paszkiewicz R., Korbutowicz R., Panek M., Paszkiewicz B., Tłaczała M., Trabjerg I.), s. 93-95
- artykuł: Gate-controlled narrow band gap photodiodes passivated with RF sputtered dielectrics (Rutkowski J., Wenus J., Gawron W., Adamiec K.), s. 97-101
- artykuł: Study of Zn1-xMgxSe and Zn1-xBexSe semiconducting crystals by Raman scattering (Szybowicz M., Kozielski M., Firszt F., Łęgowski S., Męczyńska H., Szatkowski J., Paszkowicz W.), s. 103-106
- artykuł: Reciprocal lattice mapping of InGaAs layers grown on InP (001) and GaAs (001) substrates (Bąk-Misiuk J., Kaniewski J., Domagała J., Regiński K., Adamczewska J., Trela J.), s. 107-112
- artykuł: Optical properties of Zn1-xMgxSe epilayers studied by reflection spectroscopy (Głowacki G., Bała W.), s. 113-116
- artykuł: Photoreflectance study of coupling effects in double quantum wells (Sęk G., Ryczko K., Kubisa M., Misiewicz J., Koeth J., Forchel A.), s. 117-119
- artykuł: On the nature of long-lived photoexcited states in polydiacetylenes : the photoinduced absorption spectra of PDA-4BCMU (Comoretto D., Moggio I., Alloisio M., Cuniberti C., Musso G. F., Ottonelli M., Dellepiane G., Kajzar F., Lorin A.), s. 121-129
- artykuł: Laser modification of the electrical properties of vanadium oxide thin films (Stefanovich G. B., Pergament A. L., Chudnovskii F. A., Kikalov D. O.), s. 131-134
- artykuł: Role of surface substances in excitation of porous silicon photoluminescence (Khomenkova L. Y., Baran N. P., Dzhumaev B. R., Korsunskaya N. E., Torchinskaya T. V., Goldstein Y., Savir E., Many A.), s. 135-138
- artykuł: Degradation processes in II−VI-compounds-based electron-beam-pumped lasers and creation of material with uniquely high optical strength (Borkovskaya L. V., Dzhumaev B. R., Korsunskaya N. E., Papusha V. P., Pekar G. S., Signaevsky A. F.), s. 139-143
- artykuł: Optical absorption and luminescence of LiTaO₃:Cr and LiTaO₃:Cr, Nd crystals (Gołąb S., Sokólska I., Dominiak-Dzik G., Palatnikov M. N., Sidorov N. V., Biryukova I., Kalinnikov V. T., Ryba-Romanowski W.), s. 145-147
- artykuł: Growth and optical properties of Nd:YVO₄ laser crystals (Kaczmarek S. M., Łukasiewicz T., Giersz W., Jabłoński R., Jabczyński J. K., Świrkowicz M., Gałązka Z., Drozdowski W., Kwaśny M.), s. 149-152

rozwiń roczniki

JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.