Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Przypadek tzw. "biklonalnej" paraproteinemii

100%

Sagan Z. , Pruss A. , Porembinska-Wroblewska H. , Sawicki Z.

nr 2

Wartość rozpoznawcza oznaczania aktywności lizozymu soku żołądkowego w toku próby kaya w różnych chorobach żołądka i dwunastnicy

100%

Sadowska H. , Sawicki Z. , Krawczynski J.

tom 11

nr 2

Oznaczanie kwasu protrombinowego osocza metodą jednostopniową Quica przy pomocy systemu "Clotek"

100%

Sawicki Z. , Porembinska-Wrblewska H. , Dukwicz A. , Zulawnik W.

1974

tom 10

nr 1

Aktywność lizozymu ściany żołądka w zależności od obrazów morfologicznych błony śluzowej i podśluzowej żołądka w różnych chorobach żołądka i dwunastnicy

100%

Sadowska H. , Sawicki Z. , Czorniuk A. , Krawczynski J.

nr 4

Zawartosc skladnikow mineralnych w diecie mezczyzn zamieszkujacych Bialystok

88%

Charkiewicz A. E. , Szpak A. , Poniatowski B. , Korecki J. , Sawicki Z.

tom 42

nr 3

625-628

The lateral distribution of the effective contact potential difference over the gate area of MOS structures

75%

Przewłocki H. M. , Kudła I. , Brzezińska D. , Borowicz L. , Sawicki Z. , Massoud H. Z.

tom Vol. 35, nr 6

1-6

The lateral distribution of the effective contact potential difference (ECPD), often referred to as the work-function difference φMS, was determined experimentally for the first time over the gate area of a metal-oxide-semiconductor (MOS) structure. The photoelectric method for measuring φMS in MOS devices was modified to characterize the lateral distribution of ECPD. In square MOS gates, it is found that φMS values were highest in the center area of the gate, lower along the gate edges, and lowest at the gate corners. These results were confirmed by several independent photoelectric and electrical measurement methods. A model is proposed, in which the experimentally determined φ(x,y) distributions, are attributed to mechanical stress distribtitions in MOS structures. Equations are derived allowing calculation of φMS(x,y) distributions for various structures. Results of these calculations remain in agreement with experimentally obtained distributions.