A new NO₂ resistive sensor using n-InP epitaxial layers grown by MBE on semi-insulating InP substrate is presented. A model based on field effect is proposed to explain interaction mechanisms and conductance variations. Simple theoretical calculations for the gas concentrations for the gas concentratration dependence are in good agreement with experiments.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.