PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 9

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  wysoka częstotliwość
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Wpływ wysokich częstotliwości obciążeń na degradację powierzchni żeliwa
100%
Ulewicz R. , Borkowski S.
Technical Sciences. Supplement / University of Warmia and Mazury in Olsztyn
|
2004
|
tom suppl. 1
243-251
PL
Przedstawiono wyniki badań wpływu wysokich częstotliwości obciążania na rozwój pęknięć na powierzchni żeliwa perlityczno-ferrytycznego (f= 20 kHz, T = 20 š 10oC, R = -1).
EN
The fatigue cracks trajectory of pearlite-ferrite nodular cast iron obtained at high frequency (f= 20 kHz, T = 20 š 10oC, R = -1) is present in this work.
2
Content available remote Straty mocy i rezystancja zastępcza związane z przeładowywaniem nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora MOSFET
84%
Kaczmarczyk Z. , Zellner M. , Frania K.
|
2018
|
tom R. 94, nr 3
55--59
PL
Projektowanie przekształtników energoelektronicznych wymaga odpowiedniego doboru ich podzespołów aktywnych – tranzystorów. W przypadku zastosowań wysokoczęstotliwościowych falowników rezonansowych istotną grupę parametrów stanowią parametry pasożytnicze tranzystora MOSFET w stanie wyłączenia – nieliniowa pojemność wyjściowa oraz straty mocy i rezystancja zastępcza związane z jej cyklicznym przeładowywaniem. W ramach pracy przedstawiono nową metodę wyznaczania strat mocy i rezystancji zastępczej tranzystora MOSFET w stanie wyłączenia.
EN
The design of power electronic converters requires the proper selection of their active components – transistors. In the case of highfrequency resonant inverter applications, a significant group of parameters to be considered are MOSFET transistor parasitic parameters in the offstate – nonlinear output capacitance, power losses and equivalent resistance associated with its cyclic charging and discharging. The paper presents a new method of determining these power losses and equivalent resistance of MOSFET transistor in the off-state.
3
Content available Safety of construction components in a very high number of load cycles
84%
Nový F. , Belan J. , Bokůvka O.
|
|
tom Vol. 2, nr 1
199--206
EN
Progressive, high-strength materials have an important position in the transport industry. In this industry, components are subject to high safety and reliability requirements because they often operate under long-term cyclic stress regimes. The paper presents results of fatigue resistance of high-strength materials such DOMEX 700MC, HARDOX 400, HARDOX 450, and INCONEL 718 (UTS from 850 to 1560 MPa) measured at high-frequency cyclic loading (f = 20 kHz, T = 20 ± 5 ° C, push-pull loading, cycle asymmetry parameter of R = -1) in the area from N = 2x106 to N = 2x108 cycles. Fatigue resistance showed a continuous decrease about average value Sa2x108/Sa2x106 = 19.1%.
4
Overview of class E inverters
84%
Kaczmarczyk Z.
|
|
tom T. 10, z. 1/2
25-31
EN
A low-order Class E inverter family is the subject of consideration. The paper contains: the general definition of Class E switching conditions, the systematic classification of Class E inverter family members (e.g. into inverters with zero-voltage-switching and zero-current-switching, symmetric and asymmetric configuration, sinusoidal and nonsinusoidal output current), schematic diagrams of representative Class E inverters, their principle of operation and selected characteristics, and finally, the comparison of their main features and parameters.
PL
W pracy dokonano przeglądu i porównania falowników klasy E niskiego rzędu. W szczególności praca zawiera: ogólną definicję warunków przełączania w klasie E, systematyczną klasyfikację falowników klasy E (np. ze względu na przełączanie w zerze napięcia i zerze prądu, symetryczną i niesymetryczną konfigurację, sinusoidalny oraz niesinusoidalny prąd wyjściowy), schematy zastępcze reprezentatywnych falowników klasy E, opis ich zasady działania i wybranych właściwości oraz zbiorcze porównanie najważniejszych parametrów charakteryzujących ich właściwości.
5
Właściwości diod Schottky'ego z węglika krzemu (SiC) w warunkach przekształcania energii elektrycznej z wysoką częstotliwością
84%
Michalski A. , Zymmer K.
|
|
tom Vol. 52, nr 1
108-112
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań diod Schottky'go wykonanych z węglika krzemu przy komutacji prądu z częstotliwością 10...200 kHz. Wyznaczono w tych warunkach straty mocy powstające w diodach SiC i porównano je z odpowiednimi wartościami określonymi dla ultraszybkich diod krzemowych. Zamieszczono wyniki pomiarów strat mocy w tranzystorze współpracującym w procesie komutacji prądu z diodą Schottky'go wykonaną z węglika krzemu oraz ultraszybką diodą krzemową. Przedstawiono także przebiegi przejściowego prądu wstecznego i przejściowego napięcia przewodzenia tych diod przy określonej stromości zmian prądu w przyrządzie.
EN
Measurement results of properties of the silicon carbide Schottky diodes in commutating current with frequency 10...200 kHz are presented in the paper. The power losses generated in the SiC diodes at these conditions are measured. These values are compared to the corresponding values determined for ultrafast silicon diodes. Results of measurement of power losses in a transistor switching at high frequency and cooperating in the commutation process with a silicon carbide diode and silicon diode respectively-are presented. Transient reverse current and transient forward voltage of these diodes at defined rise of current conditions are presented also.
6
Content available remote An interference of High Frequency Series Resonant Inverter in domestic induction heater estimation in emission control using FEM
84%
Chakraborty A. , Royi D. , Sadhu P. K. , Ganguly A. , Banerjee A.
|
|
tom Vol. 97, nr 4
283--288
EN
This work describes a new technology to calculate the magnetic field emission of a High Frequency Series Resonant Inverter in a domestic induction heater by means of computational simulations. The calculation is performed assuming normal operation conditions required to measure the magnetic field by means of a triple loop antenna. This triple loop antenna, also known as a van Veen & Bergervoet antenna, is generally employed to test compliance with emission regulations in the frequency range of band A and band B i.e. 5-55 kHz.
7
Content available remote Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET
67%
Przybyła K. , Kasprzak M.
|
2020
|
tom R. 96, nr 7
68--71
PL
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów sprawności czterech falowników o mocy wyjściowej do 450W, dwóch zbudowanych na tranzystorach SiC a dwóch na GaN. Tranzystory mają klasę napięciową (650 – 900)V, prądową (20-30)A, obudowy przewlekane (TO-220, TO-247) i SMD (np. D2PAK-7). Badania wykazały, że tranzystory GaN pozwalają na uzyskanie sprawności całkowitej (89-92)% natomiast tranzystory SiC sprawności (70-80)%. Uzyskane sprawności falowników z tranzystorami GaN są wyższe niż podobnych falowników z najlepszymi Si RF MOSFET.
EN
Efficiency measurement results of the four inverters with output power up to 450W, built with SiC (2x) and GaN (2x) transistors are presented in the paper. Used transistors were in (650-900)V voltage class, (20-30)A current class, (TO-220, TO-247) THT cases and (e.g. D2PAK-7) SMD cases. The research has shown that GaN and SiC transistors allow to obtain total efficiency of (89-92)% and (70-80)% respectively. The obtained efficiency results of the inverters with GaN transistors are higher than similar inverters with the best Si RF MOSFETs.
8
Content available remote Analiza właściwości dwutaktowego wysokoczęstotliwościowego przekształtnika transformatorowego DC-DC
67%
Cieśla T. , Grzesik B.
|
|
tom z. 3
137-148
PL
Analizuje się właściwości dwutaktowego wysokoczęstotliwościowego przekształtnika transformatorowego DC-DC. Celem jest określenie częstotliwości granicznej jego pracy przy zasilaniu z sieci 230 V AC i wyjściu 5 V DC 5 W. Zastosowano kaskodę jako zawór. Osiągnięto częstotliwość graniczną 3 MHz. Przekształtnik przeanalizowano za pomocą modelu Simplorer, w którym wykorzystano modele Spice diod i tranzystorów oraz model PEmag transformatora. Model zweryfikowano pomiarami laboratoryjnymi.
EN
The paper presents properties of high frequency DC-DC flyback-topology SMPS with input: 230 V AC, and output: 5 V, 5 W. The aim of the work is to determine the limit frequency. The SMPS is based on a cascode switch that allows operating with frequency of 3 MHz. A laboratory model of the SMPS was realised and measured. A computer model was developed in Simplorer software and its features were compared with those obtained from measurements.
9
Content available remote Problem zwarć skrośnych w scalonych sterownikach bramkowych pracujących z częstotliwością 30 MHz
67%
Legutko P.
|
|
tom R. 94, nr 6
74--77
PL
W artykule przedstawiono problematykę zwarć skrośnych występujących w scalonych, komercyjnych sterownikach bramkowych stosowanych powszechnie z tranzystorami MOSFET mocy i pracujących z częstotliwością sięgającą 30 MHz. Zwarcia skrośne w wyjściowym stopniu wzmacniającym drajwera są niezwykle istotne dla działania całego układu falownika. Wpływ zwarć objawia się dużymi stratami mocy biegu jałowego drajwera scalonego, które mogą sięgać nawet 30 W. Tak duża wartość mocy strat znacząco obniża sprawność całego przekształtnika oraz bezpośrednio wpływa na sprawność samego drajwera, która rzadko przekracza 60%. W artykule opisano problematykę identyfikacji zwarć oraz innych zjawisk występujących w sterownikach bramkowych (twardo-przełączalnych) pracujących z częstotliwościami sięgającymi 30 MHz. Przeprowadzone badania wykazały istnienie alternatywnych rozwiązań komercyjnych sterowników bramkowych charakteryzujących się niejednokrotnie lepszymi parametrami statycznymi i dynamicznymi.
EN
This paper presents the problem of short circuits in integrated drivers IXYS Corporation. The problem of short circuits in high frequency driver operating in inverter, is very important for example in efficiency or power losses determining. The short circuit in output amplifier by the drivers affects on the total power losses in this driver. All drivers in this project have been tested for operating frequency from 10 MHz to 30 MHz. Additionally, this paper presents a characteristics of power losses at idle for eight tested drivers - four integrated drivers and four discrete drivers have been designed. The new discrete drivers design has been developed as a PCB circuit on a thermal clad technology with the use of discrete low power components. The PCB board are made of IMS material, which consist of aluminum base (1.5 mm), the layers of ceramic insulator (100 μm) and cooper layer (35 μm). The power losses in integrated driver DEIC420 associated of short circuits are even 30 W for 30 MHz. The new MOSFET discrete drivers characterized by 5 W of power losses in this same work conditions.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.