PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 12

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  class DE inverter
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Możliwości realizacji falownika klasy DE 13,56 MHZ 500 W przy pracy optymalnej
100%
Kasprzak M.
Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka
|
2011
|
tom z. 2
79-89
PL
W artykule zamieszczono analizę możliwości realizacji falownika klasy DE 13,56MHz/500 W. Założono zasilanie napięciem 300 V DC, stan pracy optymalnej oraz zastosowanie najnowszych tranzystorów serii RF Power Mosfet. Omówiono stan aktualny tematyki falowników klasy DE. Opisano charakterystyki granicznych parametrów realizacji komutacji optymalnej. Zestawiono typy i parametry najnowszych RF Power Mosfet. Opisano procedurę oceny wartości pojemności dren-źródło i uzyskane wyniki. W konkluzji stwierdzono, że realizacja przedmiotowego falownika jest możliwa, gdy pojemność dren-źródło jest mniejsza niż 150 pF.
EN
The possibility of realization of 13.56 MHz/500 W inverter at optimum commutation mode is presented in the paper. The 300 V DC power supply, optimum commutation mode and utility of the latest RF Power Mosfet are assumed. The actual class DE inverter literature state is discussed. Characteristics of limited values of inverter parameters ensures optimal commutation mode are described. Types and parameters of latest RF Power Mosfet are presented in the table. Procedure of evaluation of drain to source capacitance and it results are presented too. The conclusion is, that realization of the inverter is possible only if drain to source capacitance is lover than 150 pF.
2
Content available remote Cyfrowy sterownik CPLD falownika klasy DE
100%
Przybyła K.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
tom R. 93, nr 5
21--24
PL
W artykule opisano sterownik falownika klasy DE z układem CPLD, który realizuje synchronizację do częstotliwości rezonansowej. Metoda synchronizacji oparta jest na pomiarze czasu półokresu prądu wyjściowego i obliczeniu sterowania w kolejnym półokresie. Metoda zapewnia komutację suboptymalną w czasie synchronizacji i w stanie ustalonym. Zamieszczono oscylogramy podczas startu oraz normalnej pracy falownika 300 kHz/1500 W. Przedstawiono przykład wykorzystania sterownika do realizacji modulacji IPDM.
EN
Digital controller of class DE inverter with CPLD, which implements synchronization to resonant frequency is presented in the paper. Synchronization method is based on time measurement of half period of output current and calculation of control signal in the next half period. The method provides suboptimal commutations in synchronization time and steady state condition. The paper contains waveforms of start-up process and normal operation of the 300 kHz/1500 W inverter. Usage with IPDM modulator is presented.
3
Content available remote Możliwości zastosowania tranzystorów MOSFET na bazie SiC oraz GaN w falowniku klasy DE
100%
Przybyła K.
Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka
|
2016
|
tom z. 3-4
23--33
PL
W początkowej części artykułu przedstawiono podstawowe różnice tranzystorów MOSFET na bazie węglika krzemu (SiC) oraz azotku galu (GaN) w porównaniu do tranzystorów krzemowych (Si). Następnie objaśniono pracę optymalną falownika klasy DE i zaproponowano jego prosty model, który służy do określenia maksymalnej częstotliwości pracy. Wykorzystując model oraz parametry katalogowe wybranych tranzystorów obliczono, że falowniki z tranzystorami GaN mogą pracować przy wyższej częstotliwości niż falowniki z tranzystorami Si i SiC.
EN
In the initial part of the paper, basic differences between MOSFET transistors based on silicon carbide (SiC) or gallium nitride (GaN) and silicon transistors (Si) are presented. The next part contains explanation of optimal operation mode of Class DE inverter. Simple model of inverter is presented, it is used to estimate maximum operation frequency. It has been evaluated on the basis of this model and parameters from datasheets of selected transistors, that inverter with GaN transistors can operate at higher frequency that inverter with Si and SiC transistors.
4
Content available remote Falownik klasy DE 13,56 MHZ/500 W z drajwerem typu flyback - pomiary sprawności
100%
Kasprzak M.
Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka
|
2010
|
tom z. 4
103-113
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań falownika klasy DE, w którym zastosowano drajwer tranzystorów typu flyback, przyłączony do obwodu bramkowego tranzystora poprzez transformator. Opisano elementy składowe falownika: układ sterowania z drajwerem, półmostek tranzystorów Mosfet oraz szeregowo-równoległy obwód dopasowujący z odbiornikiem R=50 Ci. Przedstawiono przebiegi oscyloskopowe w układzie sterowania i obwodzie głównym. Podano wyniki pomiarów mocy wyjściowych oraz obliczeń sprawności. Uzyskana sprawność drenowa przy mocy 450 W wyniosła 71%. Falownik może być zastosowany np. do nagrzewania pojemnościowego.
EN
A results of laboratory experiments of Class DE inverter have been presented in the paper. The inerter contains the flyback topology driver connected to the inverter Mosfets via gate transformer. Modules of inverter were described: control circuit and Mosfet driver, half-bridge power circuit and serial-parallel matching load with 50 Q resistor. Oscillograms, power measurements and calculations of efficiency were presented too. Efficiency of the inverter was 7 1% at 450 W output power. Possible application of the inverter are induction or dielectric heating.
5
Overview of class E inverters
100%
Kaczmarczyk Z.
Jakość i Użytkowanie Energii Elektrycznej
|
2004
|
tom T. 10, z. 1/2
25-31
EN
A low-order Class E inverter family is the subject of consideration. The paper contains: the general definition of Class E switching conditions, the systematic classification of Class E inverter family members (e.g. into inverters with zero-voltage-switching and zero-current-switching, symmetric and asymmetric configuration, sinusoidal and nonsinusoidal output current), schematic diagrams of representative Class E inverters, their principle of operation and selected characteristics, and finally, the comparison of their main features and parameters.
PL
W pracy dokonano przeglądu i porównania falowników klasy E niskiego rzędu. W szczególności praca zawiera: ogólną definicję warunków przełączania w klasie E, systematyczną klasyfikację falowników klasy E (np. ze względu na przełączanie w zerze napięcia i zerze prądu, symetryczną i niesymetryczną konfigurację, sinusoidalny oraz niesinusoidalny prąd wyjściowy), schematy zastępcze reprezentatywnych falowników klasy E, opis ich zasady działania i wybranych właściwości oraz zbiorcze porównanie najważniejszych parametrów charakteryzujących ich właściwości.
6
Content available remote Możliwości realizacji falownika klasy DE 13,56 MHz 500 W przy pracy optymalnej
100%
Kasprzak M.
Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka
|
2013
|
tom z. 1
93--102
PL
W artykule zamieszczono analizę możliwości realizacji falownika klasy DE 13,56MHz/500 W. Założono zasilanie napięciem 300 V DC, stan pracy optymalnej oraz zastosowanie najnowszych tranzystorów serii RF Power Mosfet. Omówiono stan aktualny tematyki falowników klasy DE. Opisano charakterystyki granicznych parametrów realizacji komutacji optymalnej. Zestawiono typy i parametry najnowszych RF Power Mosfet. Opisano procedurę oceny wartości pojemności dren-źródło i uzyskane wyniki. W konkluzji stwierdzono, że realizacja przedmiotowego falownika jest możliwa, gdy pojemność dren-źródło jest mniejsza niż 150 pF.
EN
The possibility of realization of 13.56 MHz/500 W inverter at optimum commutation mode is presented in the paper. The 300 V DC power supply, optimum commutation mode and utility of the latest RF Power Mosfet are assumed. The actual class DE inverter literature state is discussed. Characteristics of limited values of inverter parameters ensures optimal commutation mode are described. Types and parameters of latest RF Power Mosfet are presented in the table. Procedure of evaluation of drain to source capacitance and it results are presented too. The conclusion is, that realization of the inverter is possible only if drain to source capacitance is lover than 150 pF.
7
Content available remote Falownik klasy DE 8 MHz/300 W z rezonansowym sterownikiem klasy D o sinusoidalnym kształcie napięcia bramkowego
100%
Kasprzak M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
tom R. 89, nr 2a
28--33
PL
W artykule opisano podstawy działania falownika klasy DE oraz ideę sterowania napięciem sinusoidalnym. Obwód główny falownika klasy DE o strukturze półmostka zawiera RF Power Mosfet 501N21A a falownik sterujący klasy D bazuje na drajwerze scalonym DEIC 420. Przedstawiono najważniejsze oscylogramy oraz zmierzone charakterystyki sterowania mocy oraz sprawności: drenowej (83-85%) i całkowitej (80-82%). Przedyskutowano ograniczenia zastosowania sterowania sinusoidalnego oraz podano wytyczne projektowe dla falownika klasy DE.
EN
Principle of operation of Class DE inverter and idea of sinusoidal driving of transistors have been presented in the paper. The power board of Class DE inverter contains RF Power Mosfet 501N21A, Class D driving inverter is based on IC driver DEIC 420. Oscillograms, measurements of output power characteristics and the inverter efficiency, drain (83-85%) and total (80-82%), were depicted. Limits of application of sinusoidal driving and design guidelines of DE inverter were discussed.(8 MHz/300 W Class DE Inverter with Class D sinusoidal gate voltage resonant driver.
8
Random integral pulse density modulation - control strategy for class D and DE resonant inverters
100%
Biskup T. , Kasprzak M. , Górka S.
Zeszyty Naukowe. Elektryka / Politechnika Śląska
|
2003
|
tom z. 187
17-24
EN
The work concerns the control strategy of output power of half bridge class D (DE) series resonant inverter. The control is realised inside the inverter. Proposed control strategy bases on Integral Pulse Density Modulation (IPDM) but what is new, the Integral Pulse is randomly set in modulation period. The r-IPDM ensures ZCS conditions of transistors and allows operation at relatively high switching frequency. The main idea of this paper is to emphasize advantages of r-IPDM strategy compare to standard IPDM. The r-IPDM characterised in spread output current spectrum and broadband noise spectrum. The paper contains the idea of me control strategy and results of measurements: inverter outputs voltages and current, output power control, Fourier analysis of the output current, noise spectrum. The control system bases on Hitachi H8/3048 16-bit microcontroller. It is concluded mat the half bridge series resonant inverter together with the proposed r-IPDM control strategy is attractive solution for e.g. high frequency induction heating applications.
PL
Artykuł dotyczy metody sterowania mocy wyjściowej szeregowych falowników rezonansowych klasy D (DE) w układzie półmostkowym, przy czym sterowanie odbywa się w obrębie falownika. Proponowana metoda sterowania bazuje na standardowej metodzie Modulacji Gęstości Impulsów Zintegrowanych (IPDM), ale, co jest nowością. Puls Zintegrowany jest losowo (random) pozycjonowany w okresie modulacji. Metodę tę oznaczono w skrócie jako r-IPDM. Tranzystory falownika pracują w warunkach ZCS pozwalając na stosowanie metody przy wysokich częstotliwościach. Głównym celem jest podkreślenie zalet metody r-IPDM w porównaniu ze standardową IPDM. Zaproponowana metoda charakteryzuje się rozmytym widmem prądu odbiornika w zakresie subharmonicznych, a hałas generowany przez falownik przyjmuje charakter szumu szerokopasmowego. W artykule opisano idee metody sterowania oraz wyniki badań laboratoryjnych: oscylogramy napięcia i prądu wyjściowego falownika, charakterystyki sterowania mocy, analizę harmoniczną prądu odbiornika oraz hałasu. Układ sterowania bazuje na 16-bitowym mikrokontrolerze Hitach! H8/3048. W podsumowaniu stwierdzono, że metoda r-IPDM jest atrakcyjnym rozwiązaniem dla półmostkowego falownika klasy D w zastosowaniu np. do wysokoczęstotliwościowego nagrzewania indukcyjnego.
9
Content available remote Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawność energetyczną falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz
100%
Przybyła K. , Kasprzak M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
tom R. 94, nr 3
87--90
PL
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów falownika klasy DE 12 MHz z tranzystorami SiC MOSFET C3M0120090 (900 V, 22 A, 120 mΩ). Pomiarów falownika dokonano dla dwóch wersji tranzystorów, z obudową TO-247 i D2PAK-7. Badania wykazały, że tranzystory w obudowie D2PAK-7 umożliwiają uzyskanie wyższej sprawności niż tranzystory w obudowie TO-247 (dla E=200 V: ηTO-247=68%, ηD2PAK-7=84%). Uzyskane wartości sprawności nie są mniejsze niż opisywane w literaturze.
EN
Measurement results of 12 MHz Class DE inverter with SiC MOSFET transistors C3M0120090 (900 V, 22 A, 120 mΩ) are presented in the paper. Measurements were done with two versions of transistors, in case TO-247 and D2PAK-7. Laboratory tests showed that transistors in D2PAK-7 case allow to obtain higher efficiency of Class DE inverter than transistors in TO-247 case (for E=200 V: ηTO-247=68%, ηD2PAK-7=84%). Obtained efficiency values are not lower then described in the literature.
10
Content available remote Wysokoczęstotliwościowe falowniki rezonansowe klasy DE i E – modelowanie, sterowanie, zastosowania
100%
Kasprzak M. , Kaczmarczyk Z. , Legutko P. , Zaleśny P.
Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka
|
2015
|
tom z. 4
69--80
PL
W artykule zaprezentowano dwa falowniki rezonansowe klasy DE i E, bazujące na tranzystorach MOSFET i pracujące w zakresie częstotliwości megahercowych. Opisano zasadę działania obu falowników oraz ich modele analitycznonumeryczne. W modelach falowników uwzględniono pojemności wyjściowe oraz skończone czasy wyłączania tranzystorów MOSFET. Opisano najnowsze tranzystory RF Power MOSFET oraz ich drajwery – dyskretne i rezonansowe. Podano przykład zastosowania falownika klasy DE o mocy 500 W i częstotliwości 13,56 MHz do nagrzewania dielektrycznego.
EN
Two resonant inverters, Class DE and E, based on MOSFET transistors and at frequencies in the megahertz’s range are described in the paper. The operation principle and analytically-numerical models are presented. The output capacitance and sufficient switch-off time of MOSFET is taken into account in inverter models. The most recent RF Power MOSFET transistors and two types of gate drivers are described – discrete type and resonant type. An example of application of 500 W/13,56 MHz Class DE inverter dedicated to dielectric heating is discussed too.
11
Content available remote Falownik klasy DE 13,56 MHz/450 W – wpływ nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora Mosfet na sterowanie metodą AM
100%
Kasprzak M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
tom R. 88, nr 4b
122-127
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań falownika klasy DE sterowanego metod. AM. Wyznaczono teoretyczne charakterystyki sterowania mocy wyjściowej uwzględniające wpływ nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora. Opisano elementy falownika: układ sterowania, półmostek tranzystorow Mosfet oraz odbiornik rezonansowy z opornikiem 50 �[omega]. Przedstawiono oscylogramy dla kilku napięć zasilania, zmierzone charakterystyki sterowania mocy oraz wyniki obliczeń sprawności (71-81%). Podano wytyczne projektowe dla falownika sterowanego metod. AM.
EN
Results of study of AM controlled Class DE inverter have been presented in the paper. The output power control theoretical characteristics with influence of nonlinear Mosfet output capacitance have been determined. Modules of the inverter were described: control circuit, half-bridge Mosfet power board and resonant load with 50[omega] resistor. Oscillograms, measurements of output power characteristics and inverter efficiency calculation (71-81%) were presented.
12
Content available remote Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET
80%
Przybyła K. , Kasprzak M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
tom R. 96, nr 7
68--71
PL
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów sprawności czterech falowników o mocy wyjściowej do 450W, dwóch zbudowanych na tranzystorach SiC a dwóch na GaN. Tranzystory mają klasę napięciową (650 – 900)V, prądową (20-30)A, obudowy przewlekane (TO-220, TO-247) i SMD (np. D2PAK-7). Badania wykazały, że tranzystory GaN pozwalają na uzyskanie sprawności całkowitej (89-92)% natomiast tranzystory SiC sprawności (70-80)%. Uzyskane sprawności falowników z tranzystorami GaN są wyższe niż podobnych falowników z najlepszymi Si RF MOSFET.
EN
Efficiency measurement results of the four inverters with output power up to 450W, built with SiC (2x) and GaN (2x) transistors are presented in the paper. Used transistors were in (650-900)V voltage class, (20-30)A current class, (TO-220, TO-247) THT cases and (e.g. D2PAK-7) SMD cases. The research has shown that GaN and SiC transistors allow to obtain total efficiency of (89-92)% and (70-80)% respectively. The obtained efficiency results of the inverters with GaN transistors are higher than similar inverters with the best Si RF MOSFETs.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.