Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

System zarządzania laboratorium jako narzędzie archiwizacji i oceny jakościowej wyników pomiarów

100%

Małachowski T. , Rzodkiewicz W.

|

2010

|

tom Vol. 51, nr 10

127-131

PL

W artykule przedstawiono koncepcję systemu archiwizacji danych oraz ich oceny jakościowej dla kompleksu laboratoriów zajmujących się charakteryzacją struktur dla nanoelektroniki. System zaprojektowano pod kątem potrzeb pomiarów elektrycznych, fotoelektrycznych oraz elipsometrycznych. Proponowana koncepcja może znaleźć zastosowanie dla dowolnego zespołu laboratoriów pomiarowych.

EN

In this paper, the laboratory management system for measurement data acquisition and analysis was described. The system is useful for the group of laboratories working in the field of nanoelectronic devices characterisation.

2

Azotek krzemu stosowany w technologii planarnych fotodiod wykonanych na bazie InP

61%

Zynek J. , Hejduk K. , Klima K. , Możdżonek M. , Stonert A. , Turos A. , Rzodkiewicz W.

|

tom T. 36, nr 4

95-113

PL

Przeprowadzono badania warstw azotku krzemu osadzonych na płytkach z fosforku indu metodą PECVD (Plasma Enhanced Chemical Yapor Deposition) z wykorzystaniem do wytwarzania plazmy dwóch generatorów pracujących na różnych częstotliwościach. Celem badań było ustalenie warunków wytwarzania warstw azotku krzemu stosowanych w technologii planarnych fotodiod wykonanych na bazie InP, w których obszarem absorpcyjnym są studnie kwantowe z InxGa1-xAs. Warstwy azotku krzemu były osadzane w temperaturach pomiędzy 250°C i 300°C. Podstawą do oceny wytworzonych warstw były wyniki badań: ich składu chemicznego, struktury, współczynnika załamania, poziomu naprężeń, rezystywności, wytrzymałości dielektrycznej, stałej dielektrycznej i efektywnej gęstości powierzchniowej ładunków elektrycznych. Stwierdzono, że warstwy osadzane w temperaturze 250°C mają najlepszą strukturę, dobrze spełniają rolę maski w procesie selektywnej dyfuzji cynku, a właściwości elektryczne umożliwiają wykorzystanie ich do pasywacji powierzchni bocznych złącz p-n, pod warunkiem zastosowania odpowiedniego cyklu wygrzewań po procesie osadzania.

EN

Silicon nitride films, deposited on InP wafers by the PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) method, have been investigated in terms of their applicability in the technology of InP based planar photodiodes with the InxGa1-xAs quantum well absorption region. In order to compensate the mechanical stress in the films, the plasma was excited by two radio-frequency sources operating at frequencies of 13,56 MHz and 100 kHz. The films were deposited at different temperatures in the range of 250 - 300°C. The chemical composition of all examined films, determined by the RBS (Rutherford Backscattering Spectrometry) method, is very close to that of stoichiometric Si3N4. The films contain a large amount of hydrogen. The hydrogen content, evaluated by the NRA (Nuclear Reactions Analysis) technique, exceeds 30 %. The silicon nitride films deposited at 300°C have grown much faster on InP wafers than on Si wafers placed beside these and the structure of both films is different. As the films deposited on Si are amorphous with smooth surfaces, the films deposited on InP are heterogeneous with rough surfaces. These last ones exhibit lower Si-N bond concentration, lower refractive index, higher extinction coefficient, lower resistivity and lower dielectric breakdown strength than the films deposited on silicon. Deterioration of the film quality is caused probably by the reaction of phosphorus, released from the InP substrate at the beginning of the deposition process, with deposited SiNx:H. Such films should not be used in the fabrication of InP based planar photodiodes. When the deposition temperature decreases, the properties of silicon nitride films improve. Their structure becomes more homogeneous and the Si-N bond concentration increases. The silicon nitride films deposited on InP at 250°C have the same amorphous structure and the same Si-N bond concentration, determined from FTIR (Fourier Transform Infrared Spectroscopy) absorption characteristics, as the films deposited on silicon. They exhibit the highest refractive index, the lowest extinction coefficient, the highest resistivity and the highest dielectric breakdown strength. These films are continuous, they do not crack during thermal processes and they can be applied as masking layers for the selective Zn diffusion used to form the p-n junctions. Unfortunately the films deposited at 250°C have the highest hydrogen content and the highest effective charge density. These films cannot be applied directly to passivate the p-n junction side surfaces. Measurements of hydrogen depth profiles and of FTIR absorption characteristics have revealed that the amount of hydrogen and of Si-N, Si-H and N-H bonds changed during annealing. An analysis of C-V characteristics of Al/Si3N4:H/InP MIS capacitors containing these films has shown, that annealing of the Si3N4:H films reduced the electronic defect state density at the Si3N4:H/InP interface. It is possible to take advantage of the thermal instability of silicon nitrides deposited by the PECVD method and to reduce the trap state density and the effective charge density by proper annealing processes. These investigations have enabled us to achieve reverse current values as low as 4 - 15 pA at the voltage of - 5 V and 200 - 500 pA at the voltage of -50 V for planar InP diodes with the 320 um diameter p-n junction. A high yield of 90 % is obtained. These results make a good base for development of planar photodiodes with InxGa1-xAs quantum wells inserted into the depletion region of the InP p-n junction.

3

Transmission electron microscopy, X-ray diffraction and photoluminescence diagnostics of heterostructures with InGaAs and GaAs layers

51%

Kątcki J. , Adamczewska J. , Lewandowski W. , Rzodkiewicz W. , Ratajczak J. , Phillipp F. , Jin-Phillipp N. Y. , Regiński K.

|

tom Vol. 31, No. 2

197-201

EN

The prupose of this paper is to show the applicaton of combined techniques (TEM, XRD, PL) for characterising the influence of the layer thicknees and indium content in InxGa₁₋xAs alloy on structural perfection of the InxGa₁₋xAs/GaAs heterostructure. As examples heterostructures with: a) In₀.₂Ga₀.₈As layers embedded in a GaAs matrix; b) InxGa₁₋xAs multilayers consisting of layers of different indium content and c) an index-graded InxGa₁₋xAs layer (x=0.01 ÷ 0.53) grown on a GaAs substrate were chosen. Determination of exact thicknees of each layer, alloy composition, and perfection of interfaces are crucial questions in developing technologies based on these heterostructures.

4

Badania optyczne politypów 6H-SiC oraz 15R-SiC poddanych wielokrotnej implantacji jonami glinu w podwyższonej temperaturze

51%

Kulik M. , Żuk J. , Rzodkiewicz W. , Pyszniak K. , Droździel A. , Turek M. , Prucnal S. , Sochacki M. , Szmidt J.

|

tom Vol. 49, nr 7-8

15-18

PL

Praca przedstawia wyniki badań kryształu 6H-SiC zawierającego inkluzję politypu 15R-SiC zaimplantowanego jonami Al⁺. Zastosowano techniki analizy optycznej: elipsometrii spektroskopowej oraz mikro-ramanowskiego rozpraszania światła. Wielokrotną implantację wykonano przy użyciu implantatora UNIMAS ze zmodyfikowanym źródłem jonów przy pięciu różnych energiach i dawkach. Temperatura próbki w czasie implantacji wynosiła 500°C. Badania metodami mikro-Ramana i elipsometrii spektroskopowej wykazały powstawanie obszarów amorficznych po procesie implantacji w warstwie przypowierzchniowej w przypadku obu politypów SiC.

EN

The paper presents results of spectroscopic ellipsometry and micro-Raman scattering studies of Al⁺ ion-implanted 6H-SiC containing 15R-SiC polytype inclusion. Multiple implantation with 5 different Al⁺ energies and fluences was performed using the UNIMAS ion implanter with a modified ion source. The sample temperature was maintained at 500°C during the implantation process. Micro-Raman scattering and spectroscopic ellipsometry investigations indicate the formation of post-implantation amorphous regions in a subsurface region of both SiC polytypes.