Electron Technology - Tom Vol. 31, No. 2 (1998) - Biblioteka Nauki - Yadda

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Tom - szczegóły

Tytuł artykułu

Vol. 31, No. 2

Czasopismo

Electron Technology

Wydawca

Rocznik

1998

Identyfikatory

Zawartość wolumenu

Vol. 31, No. 2
- artykuł: Neutrons in materials science (Sosnowska I.), s. 139-146
- artykuł: Investigation of the crystal and magnetic structures of polycrystalline materials by neutron and synchrotron radiation diffraction (Przeniosło R., Sosnowska I., Fischer P., Wróblewski T., Shiojiri M.), s. 147-151
- artykuł: Magnetic methods of structural analysis of nanocrystalline alloys : magnetic granulometry (Lachowicz H.), s. 152-158
- artykuł: Optical probing on interface disorder in semiconductor quantum wells (Bugajski M., Godlewski M.), s. 159-161
- artykuł: Role of 3d electrons in formation of ionic-covelent bonds in II-VI-based ternary compounds (Ławniczak-Jabłońska K., Iwanowski R.), s. 162-169
- artykuł: High-resolution transmission electron microscopy and cathodoluminescence scanning electron microscopu observations of SrTiO₃-based varistors (Shiojiri M., Isshiki T., Saijo H., Sato S., Hitomi A.), s. 170-175
- artykuł: An application of cathodoluminescence microscopy on morphology of photosensitive dyes on AgBr crystals (Saijo H., Shiojiri M.), s. 176-182
- artykuł: New specimen preparation methods for materials transmission electron microscopy using ion-milling (Kawasaki M., Yoshioka T., Shiojiri M.), s. 183-188
- artykuł: Investigations of materials in random-system by quantitative high-resolution transmission electron microscopy and electron diffraction (Shiojiri M., Endoh H., Saijo H., Isshiki T., Nishio K.), s. 189-192
- artykuł: HREM image simulation of CdSe quantum dots electrodeposited on {111} gold (Dłużewski P., Golan Y., Hutchison J.), s. 193-196
- artykuł: Transmission electron microscopy, X-ray diffraction and photoluminescence diagnostics of heterostructures with InGaAs and GaAs layers (Kątcki J., Adamczewska J., Lewandowski W., Rzodkiewicz W., Ratajczak J., Phillipp F., Jin-Phillipp N. Y., Regiński K.), s. 197-201
- artykuł: In situ obsevations of solid-solid reaction : decomposition of barium titanyl oxylate and formation of barium titanate (Isshiki T., Nishio K., Shiojiri M., Noguchi H., Deguchi Y., Yamamoto H.), s. 202-207
- artykuł: Structure of bulk ZnSe based solid solutions containing Mg and Be (Paszkowicz W., Dłużewski P., Spolnik Z., Godwod K., Domagała J., Firszt F., Sekulska B., Szatkowski J.), s. 208-212
- artykuł: X-ray and scanning electron microscopic investigation of porous silicon and silicon eptaxial layers grown on porous silicon (Wierzchowski W., Wieteska K., Graeff W., Pawłowska M., Nossarzewska-Orłowska E., Brzozowski A.), s. 213-218
- artykuł: Investigations of laser deposited semiconductor layers with the STM (Piotrowski T., Pułtorak J., Kulumbetov Z. E., Liptuga A. I., Plyatsko S. V.), s. 219-223
- artykuł: A thermodynamical approach to the laws of current carrier and thermal energy transport in semiconductors (Sikorski S.), s. 227-241
- artykuł: The doping in the numerical modeling of uniformly doped transferred electron devices (Suchecka M.), s. 242-246
- artykuł: Application of the energy and momentum balance model of the non-stationary electron transport to millimeter-wave gunn devices numerical simulation (Suchecka M.), s. 247-254
- artykuł: Dust in plasmas : fiend or fried (Stoffels E., Stoffels W. W., Kroesen G. M. W., Hoog F. J.), s. 255-274
- artykuł: Comparative analysis and simulation of exclusion and accumulation of nonequilibrium charge carriers in p⁺ -p-p⁺ Ge structures of different geometrical forms (Kletski S. V., Pułtorak J., Sikorski S.), s. 275-278

rozwiń roczniki

JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.