Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
We report successful growth of ZnO thin films by atomic layer epitaxy in the gas flow version. Properties of ZnO epilayers produced by four different ALE-procedures are compared. We further demonstrate the use of these ZnO films as thin buffer layers on top of Si and GaAs substarte materials. It is shown that covering either GaAs or Si substartes with thin ZnO layers makes them useful in the GaN technology. Optical properties of GaN films grown on ZnO buffer layers are discussed. These GaN films show several encouraging properties.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.