PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Ograniczanie wyników
Czasopisma help
  1. 12 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
  2. 9 Prace Instytutu Technologii Elektronowej
  3. 2 Electron Technology
  4. 1 Electronics and Telecommunications Quarterly
  5. 1 Inżynieria Biomateriałów
Więcej...
Lata help
  1. 1 2016
  2. 3 2014
  3. 6 2012
  4. 2 2010
  5. 1 2009
Więcej...
Autorzy help
  1. 30 Grabiec P.
  2. 7 Gotszalk T.
  3. 5 Budzyński T.
  4. 4 Bar J.
  5. 4 Domański K.
Więcej...
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 30

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
Department of Silicon Microsystem and Nanostructure Technology
100%
Grabiec P.
|
|
tom z. 2
43-56
2
Department of Silicon Microsystem and Nanostructure Technology
100%
Grabiec P.
|
|
tom z. 1/2
43-55
3
Department of Silicon Microsystem and Nanostructure Technology
100%
Grabiec P.
|
2010
|
tom z. 1/2
45-68
4
Department of Silicon Microsystem and Nanostructure Technology
100%
Grabiec P.
|
|
tom z. 1/2
41-61
5
Department of Silicon Microsystem and Nanostructure Technology
100%
Grabiec P.
|
|
tom z. 1/2
48-61
6
Department of Microelectronics Technology
100%
Grabiec P.
|
|
tom z. 4-7
29-45
7
Department of Silicon Microsystem and Nanostructure Technology
100%
Grabiec P.
|
2005
|
tom z. 1/2
43-56
8
Department of Silicon Microsystem and Nanostructure Technology
100%
Grabiec P.
|
2003
|
tom z. 2
45-56
9
Department of Microelectronics Technology
100%
Grabiec P.
|
|
tom z. 8-12
35-42
10
Znaczenie i uwarunkowania rozwoju technologii mikro- i nanoelektronicznych w Polsce
100%
Grabiec P.
|
|
tom Vol. 53, nr 6
10-18
PL
Podczas gdy pierwsza połowa dwudziestego wieku zdominowana była przez dwie kolejne wojny światowe, rewolucje, zmiany granic i tworzenie nowego ładu politycznego - druga połowa stanowiła okres niesłychanie intensywnego rozwoju technologicznego w tym mikroelektroniki. Produkcja światowego przemysłu półprzewodnikowego startując od zera w połowie wieku dwudziestego osiągnęła w roku 2004 poziom 250 mld euro. W Polsce okres ten zbiegł się z kryzysem ekonomiczno-politycznym zakończonym bezkrwawą rewolucją roku 1989. W efekcie, podejmowane w kraju próby rozwijania nowoczesnych technologii mikro- a później nanoelektronicznych okazały się bezskuteczne. W artykule, na tle historycznym oraz w oparciu o realia dnia dzisiejszego, podjęta została analiza znaczenia i uwarunkowania rozwoju technologii mikro- i nanoelektronicznych w Polsce. Wymienione są zaistniałe bariery i zagrożenia wynikające z niskiego poziomu finansowania sfery B+R, ze zbiurokratyzowania instytucji państwowych odpowiedzialnych za finansowanie badań a także z braku rozsądnej strategii.
EN
While the first half of the 20 th century was dominated by two world wars, revolutions, changes of borders, and the creation of a new political order - the second half was a period of extremely intensive development of microelectronics. The global market of semiconductor industry, starting from scratch in the fifties, reached in 2004 level of 250 billion euros. In Poland, this period coincided with the economic and political crisis ended a blood - less revolution in 1989. As a result, the attempts to develop new technologies in Poland proved to be ineffective. In this paper, an analysis of the importance and determinants of technological development of micro-and nano-electronics in Poland is performed based on the realities of today shown in the wide historical background. The author identifies barriers and risks as linked with low levels of R&D funding together with the bureaucracy of state institutions responsible for research funding and the absence of a reasonable strategy of development.
11
Thermomechanical aspects of reliability for vertically integrated heterogeneous systems
51%
Janczyk G. , Bieniek T. , Grabiec P. , Szynka J.
|
2009
|
tom Vol. 50, nr 12
83-86
EN
Vertical device integration is one of the promising device fabrication trends. Heterogeneous device technology research and development faces with new post-fabrication thermo-mechanical problems. Apart from the heat dissipation, temperature dependent mechanical stress spreads across the device affecting its performance. This paper discusses selected stress related device performance and reliability issues.
PL
Integracja 3D układów heterogenicznych to jeden z obiecujących kierunków rozwoju technologii projektowania i wytwarzania układów scalonych. Osiągnięcie odpowiedniego poziomu niezawodności wymaga rozwiązania szeregu technicznych zagadnień również z zakresu termomechaniki. W artykule poruszone zostały kwestie wpływu naprężeń na parametry elektryczne przyrządów półprzewodnikowych.
12
Content available remote Effect of material on nanomechanical behaviour of TiN/NbN, CrN/NbN and TiN/CrN superlattices deposited on silicon.
51%
Wrzesińska H. , Rymuza Z. , Misiak M. , Grabiec P.
|
|
tom Vol. 37, nr 3
201-209
EN
In the paper are presented the results of tests of nanomechanical behaviour of ultrathin (200 nm) multilayers films (superlattices) deposited by PVD technique on the single crystal Si, Si3N4 and SiO2 substrates. The superlattices were produced by various combinations of ultrathin single layers of NbN, TiN and CrN. The evaluation of the effect of the material (and the substrate) on the nanohardness and modulus of elasticity was found from the nanoindentation studies. It was observed that TiN/CrN superlattices deposited on Si demonstrates the best mechanical properties (nanohardness over 21 GPa). The best uniformity of the films was found for the TiN/CrN superlattices deposited on Si3N4.
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań nanomechanicznego zachowania się ultracienkich (200 nm) powłok wielowarstwowych (supersieci) nanoszonych metodą PVD na podłoża Si, Si3N4 i SiO2. Supersieci wykonywano z kombinacji warstw azotków NbN, TiN i CrN. Oceniono wpływ materiału na uzyskiwanie wartości nanotwardości i modułu sprężystości, wyznaczone metodą nanoindentacji. Zaobserwowano, że najlepsze właściwości mechaniczne (twardość powyżej 21GPa) wykazują supersieci TiN/CrN na podłożu Si, natomiast najlepszą jednorodnością charakteryzują się supersieci TiN/CrN na podłożu Si3N4.
13
Bonding and etch-back techniques for SOI technology
45%
Łozinko J. , Panas A. , Budzyński T. , Grabiec P. , Dębski T.
|
|
tom Vol. 32, No. 1/2
162-165
EN
The purpose of this paper is to show results of investigations on bonding and etch-back technoques (BESOI) for applicatios in the fabrication of Silicon-On-Insulator (SOI). Results obtained for high (≥ 1000°C) temperature silicon wafer-to-wafer bond process, where silicon dioxide is used as an intermediate layer, will be presented. Method for thinning of the bonded wafer was performed by preferential etch technoque using p⁺ etch-stop layer.
14
Ocena parametrów metrologicznych mikromechanicznych dźwigni piezorezystywnych
38%
Woszczyna M. , Janus P. , Grabiec P. , Kolek A. , Gotszalk T. , Rangelow I. W.
|
2008
|
tom Vol. 49, nr 6
92-94
PL
W celu ilościowego opisu zjawisk zachodzących przy udziale mikromechanicznej dźwigni piezorezystywnej istotna jest znajomość podstawowych jej parametrów metrologicznych takich jak: stała sprężystości, czułość dźwigni na zadane wychylenie, a także właściwości szumowe typu termicznego oraz 1/f. Opisano proces kalibracji dźwigni sprężystej z mostkiem piezorezystywnym jako detektorem ugięcia.
EN
To obtain quantitative information about interactions between the micromechanical cantilever and its surrounding, it is crucial to determine the principlal metrological cantilever parameters such as: spring constant, response sensitivity for certain deflection and noise properties. In this article a calibration process of the cantilever with integrated piezoresistive deflection detector is presented.
15
3-D silicon micromachining for AFM/LFM microprobe development
38%
Grabiec P. , Domański K. , Dumania P. , Studzińska K. , Gotszalk T. , Rangelow I. W. , Sunyk R.
Electron Technology
|
2000
|
tom Vol. 33, No. 4
577-591
EN
Results of work on the development of microprobes for the simultaneous Atomic/Lateral Force Measurements (AFM/LFM) are presented. AFM/LFM microprobes for surface characterization were modelled using FEM, designed and fabricated using 3-D silicon processing sequence. Finally microprobes were evaluated by using them for characterization of the test surfaces.
16
Content available Polisiloksanowe powłoki implantów medycznych : wpływ plazmy fluorowej na skład chemiczny i właściwości polisiloksanu
38%
Szmigiel D. , Domański K. , Prokaryn P. , Grabiec P. , Pamuła E. , Ścisłowska-Czarnecka A. , Płytycz B.
|
|
tom R. 9, nr 58-60
206-209
17
Content available remote Nanomechanical behaviour of silicon
38%
Rymuza Z. , Misiak M. , Grabiec P. , Rangelow I. , Sossna E. , Sunyk R.
Tribologia
|
1999
|
tom nr 3
397-409
EN
Nanomechanical chracterization of N-type, P-type single crystal silicon and polysilicon engineering, structural materials for Micro Electro Mechanical Systems (MEMS) was carried out and hardness and modulus of elasticity are given and discussed. The effect of crystal orientation ( <100> and < 111> ) on nano-scale mechanical behaviour of these materials is also considered. Comparison of nanoewar of single-crystal P-type silicon <100> and the ultra-thin coating of silicon dioxide on the same substrate is also included.
PL
Przedstawiono wyniki badań nanomechanicznych krzemu krystalicznego typu N i P oraz polikrzemu jako materiałów konstrukcyjnych dla mikrosystemów (MEMS).Podano twardość oraz moduł sprężystości.Omówiono talże wpływ orientacji krystalicznej krzemu na jego własności mechaniczne. Zamieszczono porównanie nanozużycia krzemu typu P<100> i warstwy dwutlenku krzemu na tym samym podłożu krzemowym.
18
Content available Quantum mechanical aspects in the MEMS/NEMS technology
38%
Słowik O. , Orłowska K. , Kopiec D. , Janus P. , Grabiec P. , Gotszalk T.
|
|
tom Vol. 62, No. 3
87--91
EN
According to the scaling laws for nanomechanical resonators, many of their metrological properties improve when downscaled. This fact encourages for constant miniaturization of MEMS/NEMS based sensors. It is a well known fact, that the laws of classical physics cannot be used to describe the systems which are arbitrarily small. In consequence, the classical description of nanoresonators must break down for sufficiently small and cool systems and then the quantum effects cannot be neglected. One of the fundamental question which arises is, how one may investigate quantum effects in MEMS/NEMS sensors and what is the influence of quantum effects on the performance of such systems. In this paper we would like to raise those issues by presenting the results of our work related to our estimations and calculations of MEMS/NEMS dynamics. The first and second sections are of theoretical character. In the first section (Classical modeling), we describe the classical methods for describing the resonator dynamics and the classical limit on the resolution of MEMS/NEMS based force sensors, which is set by the thermomechanical noise. In the second section (Quantum aspects), we concentrate on the quantum description of micro and nanoresonators and the influence of quantum effects, such as zero-point motion and back-action, on their performance (quantum limits). The third section is devoted to the presentation of our experimental methods of MEMS/NEMS deflection metrology, i.e. Optical Beam Deflection method (OBD) and fibre optics interferometry.
19
Krzemowe, 16-elementowe matryce fotodiodowe specjalizowane do monitorowania optycznego czujników mikrodźwigniowych
38%
Węgrzecki M. , Bar J. , Budzyński T. , Gosztalk T. , Grabiec P. , Lipiński D. , Nieradka K.
|
|
tom Vol. 53, nr 6
37-38
PL
W pracy omówiono konstrukcję i właściwości krzemowych 16-elementowych matryc fotodiodowych, opracowanych w ITE we współpracy z Wydziałem Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej, do opracowywanego tam systemu optycznego monitorowania parametrów mechanicznych matrycowych czujników mikrodźwigniowych.
EN
In this paper, we present the construction and properties of the 16-element silicon photodiode arrays developed at the ITE in collaboration with the Faculty of Microsystem Electronics and Photonics at the Wrocław University of Technology. The photodiode arrays will be applied in the system, being developed at the Wrocław University of Technology, monitoring optically the mechanical parameters of multiple microcantilever based sensors.
20
Wytwarzanie miniaturowych sensorów elektrochemicznych i matryc sensorów na podłożu krzemowym
38%
Zaborowski M. , Domański K. , Prokaryn P. , Wawrzyniak U. , Ciosek P. , Wróblewski W. , Grabiec P.
|
|
tom Vol. 53, nr 6
21-22
PL
Opracowane zostały trzy rodzaje sensorów woltamperometrycznych na podłożach mono-Si. W pracy opisano proces technologiczny ich wytwarzania. Zaprezentowano zdjęcia skaningowe powierzchni Au i AgCl oraz zdjęcia struktur sensorowych. Struktury zostały scharakteryzowane elektrochemicznie w testach redoks.
EN
Three types of voltamperometric chemical sensors have been developed on mono-Si substrates. A process of fabrication is described in the paper. Au and AgCl surface SEM examination together with sensor chip images are presented. Chips have been electrochemically characterized in redox tests.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.