Electron Technology - Tom Vol. 33, No. 4 (2000) - Biblioteka Nauki - Yadda

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Tom - szczegóły

Tytuł artykułu

Vol. 33, No. 4

Czasopismo

Electron Technology

Wydawca

Rocznik

2000

Identyfikatory

Zawartość wolumenu

Vol. 33, No. 4
- artykuł: Fundamentals of modelling of metal-isulator-semiconductor junction biased by dc voltage with superimposed small ac signal (Sikorski S., Jung W.), s. 481-493
- artykuł: Transport of excess charge carriers in an inhomogeneous semiconductor in the presence of temperature gradient (Sikorski S., Piotrowski T.), s. 494-505
- artykuł: The Soret thermodiffusion currents and the excess carrier thermoinjection effect in semiconductors (Sikorski S., Piotrowski T.), s. 506-517
- artykuł: The influence of disolations on generation-recombination processes in narrow-bandgap semiconductors (Jóźwikowski K., Niedziela T.), s. 518-528
- artykuł: The analysis of detection capabilities of cooled (T = 80 K) two-colour (Cd,Hg)Te photodiodes (Jóźwikowski K., Niedziela T.), s. 529-534
- artykuł: Some comments about carrier concentration in doped (Cd,Hg)Te structures (Jóźwikowski K., Niedziela T.), s. 535-541
- artykuł: Optimization of parameters of (hg,Cd)Te n⁺-p photodiodes for 10.6-µm spectral region operati at near-room temperatures (Niedziela T., Ciupa R.), s. 542-547
- artykuł: Electrical and structural properties of HgCdTe/Si films obtained by the laser epitaxy (Plyatsko S. V., Vergush M. M., Plyatsko S. K., Piotrowski T.), s. 548-552
- artykuł: Influence of the band gap profile and the temperature on the transport of excess carriers on the isotype HgCdTe/CdTe heterojunction (Pułtorak J., Piotrowski T.), s. 553-557
- artykuł: A new model of three-level charge pumping (Łukasiak L., Jakubowski A., Szostak S.), s. 558-566
- artykuł: Prediction of I-V characteristics of double-gates SOI MOSFETs with ultrathin semiconductor layer (Janik T., Majkusiak B., Jakubowski A.), s. 567-570
- artykuł: The simulation of laser correction of thick film resistors with the boundary elements method use (Borecki M., Kruszewski J., Kopczyński K.), s. 571-576
- artykuł: 3-D silicon micromachining for AFM/LFM microprobe development (Grabiec P., Domański K., Dumania P., Studzińska K., Gotszalk T., Rangelow I. W., Sunyk R.), s. 577-591
- artykuł: Photoluminescence of porous silicon in the light of defects in silicon substrate (Surma B., Misiuk A., Wnuk A., Brzozowski A.), s. 592-596
- artykuł: Calculations of the stress induced by silicon lattice contraction after baron and phosporus doping (Iovan S., Radoi R.), s. 597-599
- artykuł: Behavioural synthesis utiization for hardare implementation of an RSA cryptosystem (Obrębski D., Baraniecki R., Kowalczyk A., Kaczmarczyk J.), s. 600-605
- artykuł: Method of testing relation between the reliability of biopolar transistor and the level of its low frequency noise (Zaklikiewicz A. M.), s. 606-610
- artykuł: Application of indirectly heated CTR type thermistors for the measurement of RMS electrical Value (Kuźma E.), s. 611-613

rozwiń roczniki

JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.