Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

1 Electron Technology

1 2000

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Technology and properties of GaInAsSb layers grown on GaSb substrates

100%

Piskorski M. , Papis E. , Gołaszewska K. , Jung W. , Adamczewska J. , Perchuć L.

2000

tom Vol. 33, No. 3

393-399

The Ga1-xInxAsySb1-y layers were grown on GaSb substrates by the liquid phase epitaxy (LPE) technique. The materials were characterized by means of optical microscopy, X--ray high resolution diffractometry, electroprobe microanalysis (EPXMA) and numerical analysis of measured C-V characteristic of Schottky barrier junction Hg--GaInAsSb. The different compositions of Ga1-xInxAsySb1-y compounds lattice matched to GaSb substrates with x value changing from 0.021 to 0.23, were established. Applying of sulfidation technique to the substrate's surface before growth, improved layer's quality n-type layers, with carrier concentration below 3⋅10⁻¹⁵ cm⁻³ have been grown.