Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 15

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
5
Content available remote Characteristics of screening in screens with vibrating sieves
100%
|
|
tom Vol. 39
177-188
EN
A method of description of a classification process performed in membrane screens with vibrating sieves is presented in the paper. It is characteristic of these screens that the sieve, stretched on an immobile riddle, is induced pointwise to vibrate. Consequently, the amplitude distribution takes place on the vibrating surface. A result is a separation process that is different than in other screens. Results of studies on the height of material layer on a vibrating sieve surface are discussed in the paper. This is a next project in the research series dedicated to material classification on screens with vibrating sieves performed in the Technical University of Łódź.
PL
W pracy przedstawiono metodę opisującą proces klasyfikacji realizowany na membranowych przesiewaczach z wibrującymi sitami. Cechą charakterystyczną tych przesiewaczy jest to, że sito rozciągane na nieruchomej ramie, podane jest wibracji. W wyniku tych działań, ustala się określona dystrybucja drgań wibrującej powierzchni. W wyniki tego proces separcji na wibrujacych sitach jest inny niż na innych (typowych) sitach. W pracy przedyskutowane zostały wyniki badań nad zmianą wysokości warstwy materiału umieszczonego na wibrującym sicie. Praca jest następnym projektem badawczym, który jest poświęcony klasyfikacji materiału na sitach, i który realizowany jest przez Politechnikę w Łodzi.
7
100%
PL
Omówiono metody oczyszczania przewodów powietrznych w klimatyzowanych pomieszczeniach.
9
Content available remote Membrane screens with vibrating sieves
100%
EN
The subject of this paper are screens with vibrating sieves. These machines differ from other industrial screens by the fact that only a sieve itself vibrates, while the riddle stays immobile. Special attention is given to a screen with a driving frame, which was built in Łódź Technical University. The authors give some results of process investigations of this machine. At present, the research is carried out on the sieve dynamics and amplitude distribution. The construction of the screen enables the implementation of rotating vibrators beside the electromagnetic vibrator, so the screen can be used in a wide range of research and industrial applications. The tested screen is built in an industrial scale and is designed for fine-grained materials.
PL
Przedmiotem zainteresowania autorów niniejszego artykułu są przesiewacze z sitami drgającymi. Są to maszyny różniące się tym od innych eksploatowanych w przemyśle przesiewaczy, że do drgań wzbudzane jest jedynie samo sito, a rzeszoto pozostaje nieruchome. W szczególności opisany jest przesiewacz z napędem ramowym, który został opracowany w Politechnice Łódzkiej. W pracy podane zostały przykładowe wyniki dotychczasowych badań procesowych tej maszyny. Obecnie autorzy poniższego artykułu prowadzą badania nad dynamiką ruchu oraz rozkładem amplitudy na sicie przesiewacza. Sposób wykonania opisywanej aparatury umożliwia zastosowanie wymiennie oprócz wibratora elektromagnetycznego również wibratorów rotacyjnych w związku czym może on być wykorzystywany w szerokim zakresie prac badawczych jak i przemysłowych. Przesiewacz badany jest wykonany w skali przemysłowej dla materiałów drobnouziarnionych.
PL
Tematem niniejszego artykułu jest rozkład amplitudy na powierzchni sita przesiewacza z sitem drgającym. Różnica pomiędzy omawianymi przesiewaczami a innymi eksploatowanymi w przemyśle polega na tym, że do drgań wzbudzane jest jedynie samo sito, natomiast rzeszoto pozostaje nieruchome. Pociąga to za sobą występowanie nierównomiernego rozkładu amplitudy przesiewacza. Autorzy niniejszego artykułu w szczególności swoje zainteresowania kierują w stronę przesiewacza z napędem ramowym, który został opracowany w Politechnice Łódzkiej. W treści artykułu przedstawione zostały wyniki badań rozkładu amplitudy na sicie przesiewacza oraz przedstawione problemy związane z opisem i modelowaniem tegoż rozkładu. Przedstawiono także zalety i uniwersalność budowy przesiewacza ramowego, w związku z czym może on znaleźć i znajduje szerokie zastosowanie w przemyśle. Rezultaty badań mogą być bezpośrednio wykorzystane do celów projektowych, ponieważ przesiewacz jest wykonany w skali przemysłowej dla materiałów drobno uziarnionych.
EN
A subject of this paper is the amplitude distribution on the sieve surface of the screen with a vibrating sieve. The difference between these screens and other ones operating in industry is that vibrations are excited only in the sieve, while the riddle remains immobile. This results in an uneven amplitude distribution on the sieve. The authors are specially interested in the screen with a frame drive that has been developed at Łódź Technical University. Results of studies on the amplitude distribution on the sieve surface and problems related to the description and modeling of this distribution are discussed in the paper. Advantages and universality of the frame screen construction and its broad applicability in industry are also presented. Results of these investigations can be used directly in designing because the discussed screen has been built in an industrial scale for fine granular material.
PL
Poziom uzależnienia od systemów informatycznych sprawia, że wykorzystanie impulsu elektromagnetycznego w działaniach wymierzonych w społeczeństwa państw wysoko rozwiniętych jest szczególnie niebezpieczne. W artykule przedstawiono techniczne zasady działania uzbrojenia, które wykorzystuje impuls elektromagnetyczny oraz jego użycie w aspekcie militarnym.
EN
The Electromagnetic Pulse (EMP) effect is characterized by production of a very short (hundreds of nanoseconds) but intense electromagnetic pulse, which propagates away from its source with ever diminishing intensity, governed by the theory of electromagnetism. EMP generation techniques and High Power Microwave technology is the basis for E-bombs (Electromagnetic bombs), which can be a new tool in Strategic and Tactical Information Warfare. The paper deals with aspects of the technology base weapon delivery techniques and its impact on military mission. The paper shows also how dangerous can E-bomb be in the hands of terrorists.
PL
Symulacje ewolucji kwantowych wykazują dużą podatność na zrównoleglanie obliczeń. Aby zwiększyć wydajność symulacji celowe wydają się zastosowanie sprzętowej platformy obliczeniowej, a nie jak do tej pory platformy programowej, w której trudno uzyskać duży stopień zrównoleglenia wykonywanych zadań. W procesie symulacji obwodów kwantowych bardzo ważną rolę odgrywają podstawowe elementy obliczeniowe zwane bramkami kwantowymi. W artykule zaproponowano sprzętową architekturę kwantowej bramki fazowej, zoptymalizowanej pod kątem minimalizacji czasu obliczeń. Zaproponowana architektura wykorzystuje mechanizmy pracy równoległej i potokowej.
EN
Quantum evolution simulations seem to be very vulnerable to work in parallel way. In order to increase simulation performance the good idea is to change computation from software platform, which is hard to parallelizing, to hardware one. In quantum circuit simulation process basic computation elements, known as quantum gates, play an essential role. In this paper hardware architecture of quantum phase gate is proposed. Computation time minimization by parallel and stream processing is also taken into consideration.
PL
W artykule przedstawiono metodę analizy systemów cyfrowych pod kątem ich podziału i dynamicznej implementacji w układach rekonfigurowalnych. Szczególną uwagę poświęcono problemowi rozmieszczenia elementów pamiętających w podsystemach będących wynikiem podziału.
EN
The paper presents a method of an analysis of digital systems suitable for the dynamic implementation of these systems in reconfigurable devices. Special attention is paid on the problem of a distribution of sequential elements in resulting subsystems.
PL
Znaczne niedopasowanie stałych sieciowych oraz współczynników rozszerzalności cieplnej występujące pomiędzy warstwą epitaksjalną, a podłożem w heterostrukturach AlGaN/GaN/Si skutkuje dużą ilością defektów strukturalnych oraz występowaniem niejednorodności właściwości półprzewodnika. W prezentowanej pracy do zobrazowania lokalnych powierzchniowych niejednorodności elektrycznych właściwości AlGaN/GaN osadzanych na podłożu krzemowym techniką MOCVD została wykorzystana technika skaningowej mikroskopii pojemnościowej. Z analizy dwuwymiarowych map sygnału SCM oraz widm dC/dVAmp =f(VDC) w różnych obszarach powierzchni próbki wynika, że ujemny ładunek zgromadzony na dyslokacjach wstępujących w warstwach epitaksjalnych wpływa na właściwości powierzchni, lecz może nie mieć zdecydowanego wpływu na powstawanie dwuwymiarowego gazu elektronowego na interfejsie AlGaN/GaN.
EN
Large mismatch of lattice constants and thermal expansion coefficients between materials in AlGaN/GaN/Si heterostructures lead to high density of structural defects and material inhomogeneities in layers. In the presented work, local electronic properties of AlGaN/GaN/Si heterostructures are investigated using scanning capacitance microscopy. Analysis of two dimensional images of SCM signal and dC/dVAmp =f(VDC) spectrum allowed to conclude that negative charge accumulated at dislocations in epitaxial layers could affect the surface electronic state of the structure but might not have major impact on two dimensional electron gas formation at the AlGaN/GaN interface.
15
Content available remote Scanning capacitance microscopy characterization of AIIIBV epitaxial layers
61%
EN
The applicability of scanning capacitance microscopy (SCM) technique for chosen electrical properties characterization of AIIIBV structures fabricated by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) was examined. The calibration curves for quantitative characterization of doping levels in GaAs layers were created. The AlGaN/GaN/Si heterostructures for high electron mobility transistor fabrication and InGaAs tunnel junction for tandem solar cell characterization were presented. The crucial factors of measurement conditions which could influence the obtained results were also discussed.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.