Photoluminescence and reflectance studies of MOVPE grown GaN samples were performed. From reflectance measurements optical constants were calculated by means of Kramers-Kronig analysis in the energy region 0-6 eV.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.