PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 24

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
Alternatywne materiały w technologii ogniw słonecznych
100%
Pisarkiewicz T.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2001
|
tom Vol. 42, nr 3
12-14
PL
W artykule omówiono stan zaawansowania technologii cienkowarstwowych ogniw słonecznych, które są alternatywą dla technologii ogniw opartych na krzemie krystalicznym. Uzyskiwane obecnie sprawności ogniw z wykorzystaniem krzemu amorficznego, tellurku kadmu, polikrzemu, dwutlenku tytanu uczulanego barwnikami są analizowane w świetle możliwości produkcji masowej tych ogniw. Najwięcej miejsca poświęcono omówieniu właściwości ogniw opartych na chalkopirytach Cu(ln,Ga)(Se,S)2, nazywanych CIS lub CIGS. Opisano typową heterostrukturę n-CdS/p-CulnSe2 wykorzystując model Andersona. Omówiono również zwięźle rozwijane w Katedrze Elektroniki AGH technologie otrzymywania warstwy absorbera (chalkopirytu) i bufora (CdS), dwu podstawowych składników struktury ogniwa. W podsumowaniu podano perspektywy dalszego postępu prac nad ogniwami CIS.
EN
Advances in the technology of thin film solar cells, an alternative to crystalline silicon solar cells., have been reviewed. Recently obtained efficiencies for the cells based on amorphous silicon, cadmium teiluride, polysilicon, dye-sensitized TiO2 are discussed in view of maturity of the technology for starting production. Special stress was placed on the cells based on chalkopyrites Cu(ln,Ga)(Se,S)2, known as CIS or CIGS solar cells. The properties of a typical n-CdS/p-CulnSe2 heterostructure are discussed within the Anderson model. Technologies of the absorber (chalcopyrite) and bufor (CdS) layers developed in the Department of Electronics, University of Mining and Metallurgy, are shortly described. Perspectives of further progress in the technology of CIS solar cells are also discussed.
2
Content available remote Photodecay method in investigation of materials and photovoltaic structures
100%
Pisarkiewicz T.
Opto-Electronics Review
|
2004
|
tom Vol. 12, No. 1
33--40
EN
Measurements of recombination parameters of both photoconductive materials and structures (solar cells) have been described. For materials, the methods are based on both steady-state photoconductivity (or quasi steady-state photoconductivity) and photocurrent decay PCD experiments. Examples of PCD measurements taken from literature for c-Si wafers and our own experiments for amorphous a-Si:H and a-SiC:H samples have been discussed. Investigation of solar cells based on the most popular photovoltage decay technique is widely described. Measurement and interpretation details have been discussed. Theoretical description and experimental evidence is, however, focused on combined photovoltage and photocurrent decays technique, developed in the authors’ laboratory. This technique enables us determination of both minority carrier lifetime and surface recombination velocity of photocarriers. The measurement setup enabling determination of both open circuit voltage and short circuit current decay times has been described.
3
Fuzzy logic combined with genetic algorithms in the improvement of semiconductor gas sensor performance
63%
Pisarkiewicz T. , Potempa P.
Electron Technology
|
2000
|
tom Vol. 33, No. 1/2
243-248
EN
The variations of ambient air humidity and temperature have detrimental influence on the working characteristics of most semiconductor-type gas sensors, including that of ozone sensor. The authors developed two-input fuzzy model of the sensor with genetic algorithms utilized for tuning of the model. At the input the thin film ozone sensor fabricated by the authors and comerrcial Keithley himidity sensor were used. Mixing of ozone with air and measuring its concentration by the amperometric Omega sensor enabled the collection of calibration data. Mamdani and Takagi-Sugeno-KAng (TSK) fuzzy models were developed and obtained results discussed. The influence of humidity variations on the sensor response was checked.
4
Prekocentrator gazu w technologii LTCC
51%
Marziarz W. , Rydosz A. , Pisarkiewicz T.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
tom Vol. 51, nr 6
142-144
PL
Jednym ze sposobów pomiaru niskich stężeń gazów jest wykorzystanie metody wstępnego zwiększania koncentracji gazu w materiale adsorbującym gaz, a następnie szybkie uwolnienie zgromadzonego gazu i jego detekcja za pomocą tradycyjnych czujników półprzewodnikowych. W pracy przedstawiono prototypową konstrukcję prekoncentratora wytworzonego w technologii LTCC, symulacje i pomiary rozkładu temperatury i jej narastania oraz wstępne pomiary zatężania gazu.
EN
One of the ways used in measurements of Iow gas concentrations is a method based on pre-concentration of investigated gas to the levels that could be detected by semiconductor gas sensors. The gas is fed into a preconcentrator and adsorbs on grains of adsorber, then the thermal desorption process takes place and gas molecules are released from the adsorber. The authors present a prototype of gas preconcentrator built in LTCC technology, some of its thermal characteristics and initial preconcentration results.
5
Content available remote Microsystems and sensors in the Electronic Department of Mining and Metallurgy University
51%
Pisarkiewicz T. , Nowak S. , Potempa P.
|
2001
|
tom T. 29, nr 1-2
72-83
6
Content available Solution growth of ZnO sub-micro rods enhanced by electric field
51%
Pisarkiewicz T. , Kenig T. , Rydosz A. , Maziarz W.
|
2011
|
tom Vol. 59, nr 4
425-428
EN
Recently the one-dimensional ZnO nanostructures have attracted much attention in gas sensor applications owing to their increased role of the surface. The authors have obtained ZnO rods of sub-micron size using the solution growth method with the growth temperature below 100.C. Investigations indicate that the rods have a well-defined hexagonal morphology and a wurtzite structure. The best uniformity and alignment of the sub-micron crystals was however obtained when electrodeposition from aqueous solution was developed. Sizes of these rods depend on the growth parameters. Moreover electrodeposition leads to a faster growth rate of ZnO sub-micron rods (2 hrs) as compared to the growth from solution (8 hrs). After electrodeposition the rods can be easily reoriented in external electric fields by using substrates with electrodes of appropriate geometry and configuration (dielectrophoretic effect). This enables the preparation of samples which can be used in gas sensor technology.
7
Cienkowarstwowe stopy Cu-In wytwarzane technologią impulsowgo rozpylania magnetronowego
51%
Pisarkiewicz T. , Jankowski H. , Powroźnik W. , Worek C.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2002
|
tom Vol. 43, nr 3
18-20
PL
W artykule omówiono technologię otrzymywania i właściwości cienkowarstwowych stopów miedź-ind, które są materiałem wyjściowym w otrzymywaniu chalkopirytów miedziowo-indowych określanych popularnie jako CIS. Warstwy CIS znajdują zastosowanie w wytwarzaniu heterostruktur fotowoltaicznych CIS/CdS stanowiących bardzo poważną propozycję wśród ogniw cienkowarstwowych. Fotoogniwa te wykazują wysokie sprawności (rzędu 18%) i charakteryzują się bakiem fotodegradacji. Opisano zautomatyzowane próżniowo stanowisko technologiczne i technologię otrzymywania struktury składającej się z 10 subwarstw Cu/In oraz scharakteryzowano proces wygrzewania tej struktury. Otrzymane stopy poddawano dyfrakcyjnym badaniom rentgenowskim. W zależności od składu atomowego i warunków wygrzewania otrzymane piki dyfrakcyjne identyfikowano jako Cu2In, CuIn, lub Cu11In9. Zaobserwowano również istnienie fazy CuIn2, której nie obserwuje się na diagramach fazowych stopu typu bulk. Jakość warstw CIS jest uwarunkowana m.in. jednorodnością strukturalną stopu miedziowo-indowego i stąd wynika konieczność dokładnego poznania składu i struktury tych stopów.
EN
Manufacturing method and properties of thin film copper-indium alloys have been described. These alloys serve as precursors in the fabrication of copper-indium chalcopyrites (known as CIS), which are developed in CIS/CdS photovoltaic heterojunctions. These heterojunctions appear to be an important alternative among thin film solar cells due to their high efficiencies (close to 18%) and lack of photodegradation. The multilayer structures consisting of 10 Cn/In sublayers were fabricated in the automatized vacuum manufacturing setup and heat-treated in vacuum oven. The obtained alloys were investigated by X-ray diffractometry. Depending on the atomic composition and annealing conditions the diffraction pattern was identified as consisting of Cu2In, CuIn, or Cu11In9 phases. The phase CUIn2, not identified in bulk alloys, was also observed. The structural uniformity of Cu-In alloy influences the quality of CIS layers and hence the knowledge of composition and structure of these alloys is necessary.
8
Content available remote Fabrication of thin film polycrystalline CIS photovoltaic heterostructure
51%
Pisarkiewicz T. , Jankowski H. , Schabowska-Osiowska E. , Maksymowicz L. J.
Opto-Electronics Review
|
2003
|
tom Vol. 11, No. 4
297--304
EN
Manufacturing processes and investigation of properties of thin film materials forming the CulnSe2 (CIS) solar cell have been described. The cell consisted of the following layers: glassl Mol p-CulnSe2/n-CdS/n⁺-ZnO/. CIS absorbers were obtained by pulse magnetron sputtering of metallic targets in argon yielding the multilayer precursors structures which were successively chalcogenised in selenium vapours. Cadmium sulfide buffer layer was manufactured by chemical bath deposition (CBD) method which offers the films with optimal properties. Window zinc oxide layers were obtained by RF magnetron sputtering of metallic Zn:Al target in oxygen reactive atmosphere. Thin film CIS solar cells with the efficiencies of the order of 6% have been produced. Further improvement in technology leading to CIS cells with better parameters have been discussed.
9
Arc technology in materials science.
51%
Leja E. , Marszałek K. , Pisarkiewicz T.
Inżynieria Materiałowa
|
1998
|
tom R. XIX, nr 4
963-968
EN
The refractory materials which are at the same time to wear, corrosion and severe environments are developed in different fields of technology. Nitrides, carbides, borides, porous and diamond like structures belong to this family. These materials are used mainly as coatings deposited on the tools surface and machine parts to enlarge their durability and also as the decorative coatings. There are several deposition techniques of hard coatings developed both in the laboratory and on the industrial scale. Due to some achievements in the field of low temperature plasma, the industry has become more interested in arc evaporation both in vacuum and in low pressure, controlled gas atmosphere.
10
Content available remote Kształtowanie jednorodnego rozkładu temperatury w półprzewodnikowych rezystancyjnych sensorach gazów w technologii LTCC
51%
Rydosz A. , Maziarz W. , Pisarkiewicz T.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2011
|
tom R. 87, nr 4
249-252
PL
Do poprawnego działania warstwy gazoczułej w półprzewodnikowych rezystancyjnych sensorach gazów konieczne jest zapewnienie odpowiedniej temperatury pracy - zazwyczaj w przedziale 250-450°C. Warstwa ta może wykazywać maksymalną odpowiedź na wybrane gazy dla różnych temperatur, stąd też konieczne staje się zapewnienie odpowiedniej temperatury i możliwie jednorodnego jej rozkładu. W pracy omówiono procesy wymiany ciepła, jakie należy uwzględnić przy projektowaniu podłoży sensorowych, przedstawiono wyniki symulacji i eksperymentu oraz wnioski.
EN
For effective gas-sensitive layer operation in semiconductor gas sensors the sensor working temperature of 250-450°C is required. The layer usually exhibits a maximum response to selected gases at different temperatures, hence it is necessary to ensure the appropriate temperature and its uniform distribution in the gas-sensitive layer. The paper discusses the processes of heat exchange to be considered during designing the sensor substrates, the results of simulations, experiment results and conclusions.
11
Pomiary pirometryczne w modelowaniu termicznym lampy halogenowej stosowanej w procesie RTP
51%
Warzecha M. , Jankowski H. , Maksymowicz L. , Pisarkiewicz T.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
tom Vol. 49, nr 6
201-202
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów pirometrycznych i ich wykorzystanie w budowaniu termicznego modelu lampy halogenowej. Żarnik lampy halogenowej jest źródłem strumienia promieniowania termicznego wykorzystywanego jako czynnik grzewczy w procesie RTP (Rapid Thermal Processing). Bazując na klasycznym modelu promieniowania termicznego, autorzy podają sposób wyznaczenia nieznanych, zależnych od temperatury, współczynników materiałowych, niezbędnych do zbudowania modelu. Zastosowane w symulacjach wymuszenie napięciowe pozwoliło na weryfikację modelu w porównaniu z danymi uzyskanymi eksperymentalnie.
EN
In this paper the results of pyrometric measurements of a halogen lamp filament are presented. The measurements were applied for creating the thermal model of the lamp. The model is based on a classic Boltzmann radiation theory with conducting linear component. The use of supply voltage in the model equation allows to compare computed and measured data.
12
Content available remote Influence of junction parameters on the open circuit voltage decay in solar cells
51%
Salach-Bielecki R. , Pisarkiewicz T. , Stapiński T. , Wójcik P.
Opto-Electronics Review
|
2004
|
tom Vol. 12, No. 1
79--85
EN
Starting from the general equivalent model of a solar cell including junction capacitance and shunt resistance connected with surface recombination of photocarriers, the phenomenon of open circuit voltage decay was analysed. The time decay of a photovoltage is influenced by the junction capacitance time constant to a great extent. The time constants of both depletion layer and diffusion capacitances varying with applied bias voltage were examined. The detailed analysis of these time constants allowed for evaluation of the forward bias voltage that should be applied to c-Si solar cell to minimize this detrimental effect. As it was shown, that voltage bias can be easily generated by the constant illumination, the so-called bias light. Impedance measurements of solar cells in the frequency range 10 Hz–100 kHz and with varying voltage bias allowed for additional characterisation of the junction capacitance and resistance. The measured parameters agree well with these used in model calculation of a photovoltage decay.
13
Mikrosystemy z prekoncentracją w detekcji bardzo niskich stężeń gazów
51%
Pisarkiewicz T. , Maziarz W. , Rydosz A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
tom Vol. 51, nr 10
57-60
PL
We wstępie pracy omówiono zagadnienie konieczności detekcji gazów o bardzo niskich koncentracjach rzędu ppb. W dalszej kolejności dokonano analizy możliwości pomiaru niskich koncentracji gazów z użyciem chemosensorów półprzewodnikowych. W analizie wykorzystane zostały pomiary autorów z użyciem czujników zarówno dostępnych w ofercie rynkowej jak i wytworzonych w laboratorium. Aby uzyskać odpowiednie czułości przedstawione zostało rozwiązanie w postaci mikrosystemu, którego istotnymi elementami są, prekoncentrator i matryca półprzewodnikowych sensorów gazów. Opisano konstrukcję i działanie mikroprekoncentratora wytworzonego w technologii ceramicznej LTCC. Z użyciem wytworzonego prekoncentratora uzyskano współczynnik koncentracji rzędu 102 dla badanego gazu (benzenu).
EN
In the first part of the paper the necessity of measurements of very small gas concentrations, of order ppb, was discussed. In the following the possibility of measurements of small gas concentrations with the help of semiconductor chemosensors was analysed. In the analysis the measurements with both commercially available sensors and those fabricated in authors' laboratory were used. In order to obtain the expected sensitivity, the concept of a microsystem was introduced which consists of the preconcentrator and an array of semiconductor gas sensors. The design and working parameters of that rnicropreconcentrator manufactured in ceramic LTCC technology were described. For the preconcentrator the concentration factor of order 102 was obtained.
14
System do testowania wyświetlaczy LCD pracujący w środowisku LabVIEW
51%
Marszałek K. , Sobków Z. , Pisarkiewicz T.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
tom Vol. 50, nr 9
85-86
PL
W prezentowanej pracy przedstawiono system do badań starzeniowych wyświetlaczy LCD. Badania starzeniowe są z natury długoterminowe toteż problem kontroli ich przebiegu i rejestracji wyników w czasie ich trwania stwarza potrzebę budowy systemów rejestracji ich stanu w określonych interwałach czasowych. Budowa takiego systemu z komorami wysokich i niskich temperatur została opisana w pracy. Przedstawiono również wyniki przeprowadzonych testów dla serii wyświetlaczy LCD.
EN
Long term stability investigation for LCD displays are presented in this paper. This type of investigation are time consuming and require to test and storage results every desired period of time during the period of measurements. These requrements could be fulfilled only by automatic data storage. The design of the measuring system with dedicated software working in graphical LabVIEW programming environments are shown. Long term stability tests for LCD displays are also described.
15
Wpływ temperatury pracy sensora gazu na jego odpowiedź statyczną i dynamiczną
51%
Maziarz W. , Pisarkiewicz T. , Koszur J. , Jaźwiński J.
|
|
tom Vol. 48, nr 3
10-12
PL
Temperatura pracy wpływa w istotny sposób na czułość i czas odpowiedzi półprzewodnikowego sensora gazu. Istotne są takie czynniki, jak wartość średnia i amplituda zmian temperatury oraz kształt napięcia zasilającego grzejnik. Wykorzystując własny zintegrowany sensor mikromechaniczny przeprowadzono szereg badań, m.in. wyznaczenie czułości sensora na gaz w zależności od temperatury, dobór odpowiednich parametrów zasilania grzejnika, pomiary odpowiedzi czujnika w obecności powietrza oraz w atmosferze gazów utleniających i redukujących.
EN
Working temperature influences essentially the sensitivity and response time of semiconductor gas sensor. In this case the important parameters are the average value and amplitude of temperature variation and the shape of heater supply voltage. Making use of the own micromechaned gas sensor some experiments were performed, i.e. the determination of sensitivity as a function of temperature, selection of adequate heater.
16
Technologia heterozłącza CIS/CdS do zastosowań fotowoltaicznych
45%
Jankowski H. , Kenig T. , Maksymowicz L. , Pisarkiewicz T. , Warzecha M.
|
|
tom Vol. 48, nr 10
32-34
PL
Omówiono w zarysie procesy technologiczne otrzymywania składników cienkowarstwowych ogniwa CIS/CdS. Szczególnie scharakteryzowano proces RTP, kluczowy w wytwarzaniu warstw absorbera CIS, tj. chalkopirytu CulnSe2. Proces RTP umożliwia optymalne przeprowadzenie selenizacji przez szybkie wygrzewanie prekursorów metalicznych. Scharakteryzowano metodę kąpieli chemicznej CBD i omówiono właściwości otrzymywanych tą metodą warstw bufora CdS. Przedstawiono też proces technologiczny otrzymywania warstwy okiennej ZnO o kontrolowanym domieszkowaniu przez rozpylenie RF.
EN
Technological processes leading to the fabrication of thin film constituents of CIS/CdS photovoltaic heterojunction have been described. In particular the RTP process, crucial in obtaining the CIS absorber, i.e. CulnSe2 chalcopyrite, was characterized. The RTP processing enables effective selenisation of metallic precursors by very rapid annealing. The chemical bath deposition method CBD developed for obtaining thin film CdS buffer was also presented. The properties of the window ZnO layers with controlled doping, obtained by RF sputtering, were shortly described.
17
Sterowanie MBS termicznym procesem próżniowej selenizacji warstw fotowoltaicznych
45%
Warzecha M. , Jankowski H. , Kenig T. , Maksymowicz L. , Pisarkiewicz T.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
tom Vol. 51, nr 5
98-101
PL
W pracy przedstawiono procedurę sterowania procesem termicznym w próżniowym urządzeniu RTP (Rapid Thermal Processing) do selenizacji warstw prekursorów CIS. Zastosowano podejście MBS (Model Based Steering) oparte na modelu matematycznym nieliniowych zjawisk radiacyjnego transportu ciepła. Zbudowana komora procesowa, metody pomiaru temperatury oraz realizowana trajektoria sterowania spełniają wymagania procesu selenizacji.
EN
This paper presents the procedure of thermal process Steering in vacuum RTP (Rapid Thermal Processing) device used for the selenisation of CIS precursor layers. MBS (Model Based Steering) approach, based on mathematical model of nonlinear radiative heat transfer, was applied. Constructed process chamber, methods of temperature measurement and generated Steering trajectory are meeting the requirements of the selenisation process.
18
Wpływ grubości na optyczne, strukturalne i elektryczne własności cienkich warstw CdS otrzymywanych metodą CBD
45%
Schabowska-Osiowska E. , Pisarkiewicz T. , Kenig T. , Handke B. , Porada Z.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2005
|
tom Vol. 46, nr 2-3
60-61
PL
Cienkie warstwy siarczku kadmu o różnych grubościach nakładane były w kąpieli chemicznej (CBD). Warstwy wykazywały strukturę regularną. Ze wzrostem grubości przepuszczalność warstw w badanym zakresie widma silnie malała, zwiększała się natomiast wielkość ziarn CdS, występowała poprawa ciągłości warstwy i zmniejszały się nierówności powierzchni.
EN
Cadmium sulphide thin films with various thickness were deposited using CBD method. The films have shown a cubric structure. With the increase of the film thickness the transmission in examined spectral range strongly decreased, while CdS grain size increased, the continuity of the film improved and the roughness of the surface decreased.
19
Cienkie warstwy tlenków metali na podłożach ceramicznych LTCC jako mikrosensory gazów
45%
Sutor A. , Potempa P. , Pisarkiewicz T. , Maziarz W. , Wójcik P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2002
|
tom Vol. 43, nr 3
21-22
PL
W pracy przedstawiono technologię i pomiary czułości sensorów wytworzonych z wykorzystaniem podłoży ceramicznych LTCC i cienkich warstw tlenków metali. Zmodyfikowana technologia struktur LTCC umożliwia uzyskanie gładkości wierzchniej warstwy ceramicznej nie gorszej niż 0.25 µm. Warstwa wierzchnia służyła jako podłoże w technologii nanoszenia cienkich warstw gazoczułych. Przedstawiono charakterystyki sensorów wytworzonych z wykorzystaniem tlenków SnO2 oraz In2O3 przy zmiennej koncentracji wodoru, alkoholu etylowego oraz ozonu w powietrzu. Pomiary przeprowadzono w warunkach regulowanej temperatury warstwy gazoczułej oraz zmiennej wilgotności powietrza. Osiągnięte rezultaty badań pozwalają sądzić, że połączenie technologii cienkowarstwowych z technologią LTCC może stworzyć możliwość produkcji miniaturowych półprzewodnikowych sensorów gazów o korzystnych parametrach.
EN
Fabrication and measurements of sensitivity for sensors manufactured with using LTCC substrates and thin films of metal oxides are described. The modified technology of LTCC structures enabled obtaining of surface ceramic layer with roughness not worse than 0.25 µm. The surface layer served as substrate in the technology of thin film gas sensitive layers. Characteristics of the sensors utilizing SnO2 and In2O3 oxides for varying concentrations of hydrogen, ethanol and ozone in air are given. The measurements were performed for controlled temperature of the sensitive layer in conditions of varied air humidity. The obtained results indicate, that combinations of thin film and LTCC technologies can lead to the production of miniature semiconductor gas sensors with optimized parameters.
20
Sterowanie radiacyjnym transportem energii cieplnej w próżniowych systemach do wytwarzania materiałów fotowoltaicznych
45%
Jankowski H. , Szczurkowski M. , Pisarkiewicz T. , Warzecha M. , Worek C.
Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika
|
2005
|
tom z. 153
137-140
EN
The Rapid Thermal processing is a promising technique to produce high quality semiconducting (eg, CulnSe(2)) thin film. The laboratory RTP system for a method denoted infrared spiking rapidly inserting and withdrawing sample wafers in horizontal furnace was built. The Matlab/Simulink model of the object was proposed to perform temperature control requirements. We demonstrate the model based steering (MBS) of sample holder position as well as heater temperature and horizontal temperature gradient of the furnace.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.