PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 7

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Characterization of oxidized porous silicon layer in FIPOS structure
100%
Domański K. , Półrolnik E. , Beck R. B. , Brzozowski A.
|
|
tom Vol. 32, No. 1/2
170-174
EN
Silicon anodization and porous silicon oxidation for SOI devices applications requires among others deternination of device layer isolation quality. This work reports an investigation of basic electrical properties (dielectric constant, fixed oxide charge, electrical immunity) of oxidized porous silicon in metal-oxide-semiconductor and semiconductor-insulator-semiconducor capacitors.
2
Optimization of porous silicon fabrication in application to FIPOS technology
100%
Półrolnik E. , Domański K. , Beck R. B. , Nossarzewska-Orłowska E.
|
|
tom Vol. 32, No. 1/2
166-169
EN
The structure of "as-grown" porous silicon layer (PSL) was investigated from the point of view of subsequent epitaxial growth over and oxidation of this layer. The idea of optimization is in-depth profiling morphology of pores during anodization process. By presenting SEM cross-section image and AFM surface image of PSL possibilities and after-efects of PSL morphology changes are demonstrated. The significance of these experimental observations for FIPOS (Full Isolation by Porous Oxidise Silicon) substrate fabrication is briefly discussed.
3
Metody zabezpieczania układów CMOS o wysokiej skali integracji przed wyładowaniami elektrostatycznymi ESD
100%
Półtorak B. , Domański K. , Szatkowski J. , Bała W.
|
|
tom Vol. 48, nr 6
46-49
PL
Przedstawiono budowę, działanie, sposób charakteryzacji i rozwiązania konstrukcyjne układów zabezpieczających przed wyładowaniami elektrostatycznymi (ESD) układów scalonych wykonywanych w technologii CMOS.
EN
The aim of the paper is to provide the structure, functioning and ways of measuring the Electrostatic Discharges (ESD) elements in integrated circuits (IC) manufactured in the modern sub-µ CMOS technology.
4
3-D silicon micromachining for AFM/LFM microprobe development
75%
Grabiec P. , Domański K. , Dumania P. , Studzińska K. , Gotszalk T. , Rangelow I. W. , Sunyk R.
Electron Technology
|
2000
|
tom Vol. 33, No. 4
577-591
EN
Results of work on the development of microprobes for the simultaneous Atomic/Lateral Force Measurements (AFM/LFM) are presented. AFM/LFM microprobes for surface characterization were modelled using FEM, designed and fabricated using 3-D silicon processing sequence. Finally microprobes were evaluated by using them for characterization of the test surfaces.
5
Content available Polisiloksanowe powłoki implantów medycznych : wpływ plazmy fluorowej na skład chemiczny i właściwości polisiloksanu
75%
Szmigiel D. , Domański K. , Prokaryn P. , Grabiec P. , Pamuła E. , Ścisłowska-Czarnecka A. , Płytycz B.
|
|
tom R. 9, nr 58-60
206-209
6
Wytwarzanie miniaturowych sensorów elektrochemicznych i matryc sensorów na podłożu krzemowym
75%
Zaborowski M. , Domański K. , Prokaryn P. , Wawrzyniak U. , Ciosek P. , Wróblewski W. , Grabiec P.
|
|
tom Vol. 53, nr 6
21-22
PL
Opracowane zostały trzy rodzaje sensorów woltamperometrycznych na podłożach mono-Si. W pracy opisano proces technologiczny ich wytwarzania. Zaprezentowano zdjęcia skaningowe powierzchni Au i AgCl oraz zdjęcia struktur sensorowych. Struktury zostały scharakteryzowane elektrochemicznie w testach redoks.
EN
Three types of voltamperometric chemical sensors have been developed on mono-Si substrates. A process of fabrication is described in the paper. Au and AgCl surface SEM examination together with sensor chip images are presented. Chips have been electrochemically characterized in redox tests.
7
Design and manufacturing of heterogeneous microsystems for micro- and nanotechnology applications
63%
Janus P. , Domański K. , Ekwińska M. , Bieniek T. , Kaliciński S. , Sierakowski A. , Dobrowolski R. , Szmigiel D. , Prokaryn P. , Grabiec P.
|
2010
|
tom Vol. 51, nr 4
62-71
EN
Tremendous progress of microelectronic technology observed within last 40 years is closely related to even more remarkable progress of technological tools. However it is important to note, that these new tools may be used for fabrication of diverse multifunctional, integrated structures as well. Such devices, called MEMS (Micro-Electro-Mechanical-System) and MOEMS (Micro-Electro-Opto-Mechanical-System) integrate microelectronic and micromechanical structures in one system enabling interdisciplinary application, with most interesting and prospective being micro- and nanoscale investigations. In this paper, authors present some issues on heterogeneous microsystems design and manufacturing. Examples of various applications of microelectronic technology for fabrication of microsystems which may be used for micro- and nanoscale application are also presented.
PL
Obserwowany na przestrzeni ostatnich 40 lat postęp w dziedzinie technologii mikroelektronicznych związany jest bezpośrednio z rozwojem i powstawaniem nowych narzędzi technologicznych. Należy zaznaczyć, iż narzędzia te przyczyniły się również do powstania szeregu różnorodnych, wielofunkcyjnych, zintegrowanych struktur. Struktury (przyrządy) te, nazywane MEMS (ang. Micro-Electro-Mechanical-System) lub MOEMS (ang. Micro-Electro-Opto-Mechanical-System integrują w ramach jednego systemu elementy mikromechaniczne i mikroelektroniczne, co otwiera wiele nowych interdyscyplinarnych zastosowań jak np. badania w mikro- i nanoskali. W artykule autorzy przedstawiają wybrane zagadnienia związane z projektowaniem i wytwarzaniem tego typu heterogenicznych mikrosystemów. Ponadto w artykule przedstawione zostały przykłady wykorzystania technologii krzemowej do wytworzenia mikrosystemów oraz ich zastosowania w mikro- i nanoskali.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.