Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Materiały Elektroniczne

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Poprawa jakości polerowanych płytek SiC metodą chemicznego utleniania i obróbki termicznej. Badania jakości powierzchni metodami rentgenowskimi

Sakowska H., Mazur K., Teklińska D., Wierzchowski W., Wieteska K., Gała M.

Materiały Elektroniczne

2012

T. 40, nr 2

3-10

W artykule przedstawiono wyniki badań wpływu utleniania chemicznego i wygrzewania na poprawę jakości polerowanej, krzemowej, powierzchni płytek SiC. Do chemicznego utleniania zastosowano reakcję Fentona. Czynnikiem utleniającym były rodniki hydroksylowe (OH*) powstające z rozkładu nadtlenku wodoru (H2O2) w obecności jonów żelaza Fe(II). Uzyskano poprawę parametrów chropowatości przy określonych warunkach utleniania. Wygrzewanie płytek polerowanych standardowo, w odpowiednio dobranych warunkach, pozwoliło na uzyskanie chropowatości na poziomie atomowym Ra ∼ 0,1 nm oraz znaczną redukcję warstwy uszkodzonej. Jakość krystaliczną płytek badano przy użyciu metod rentgenograficznych: dyfraktometrii, topografii i reflektometrii. Pomiary gładkości powierzchni, przed i po obróbce badano przy pomocy mikroskopu optycznego z kontrastem Nomarskiego i mikroskopu sił atomowych AFM.

Experimental results of chemical oxidation and thermal annealing and their influence on the improvement of the quality of the polished surface of silicon carbide (SiC) wafers have been presented. The Fenton process was used in the process of chemical oxidation. Hydroxyl radicals (OH*) generated during the decomposition of a hydrogen peroxide (H2O2) solution were the oxidizing agents. The quality of the roughness parametres was improved. After thermal annealing in vacuum at T 900°C a very smooth surface was obtained, subsurface damaged layers were reduced, with Ra ∼ 0,1 nm. Both the crystallographic quality and roughness of the layers were investigated using X-ray methods. The surface smoothness before and after processing was measured using an atomic force microscope (AFM) and an optical microscope.

Badanie powierzchni monokryształów tlenkowych, jej modyfikacja pod kątem zastosowania w epitaksji cienkich warstw

Sakowska H.

Materiały Elektroniczne

2001

T. 29, nr 3-4

36-55

W artykule przedstawiono wymagania jakie powinny spełniać materiały tlenkowe stosowane na podłoża pod warstwy epitaksjalne. Wymagania te dotyczą zarówno własności objętościowych jak i powierzchniowych kryształów, na których wystąpi epitaksjalny wzrost warstwy. Opisano cykl przygotowania kryształu od momentu cięcia na płytki do momentu uzyskania lustrzanej, czystej powierzchni podłoża. Omówiono stosowane metody badań powierzchni materiałów podłożowych, określające jakość strukturalną, morfologię powierzchni oraz stopień czystości chemicznej. Przedstawiono stosowane metody modyfikacji powierzchni zmierzające do uzyskania odpowiednio przygotowanego podłoża, dla którego rośnie prawdopodobieństwo uzyskania lepszej jakościowo cienkiej warstwy epitaksjalnej.

The requirements for epitaxial layer substrates are reported in the paper. These requirements involve both bulk single crystals and surface features of substrates on which the epitaxial growth will be proceeded. The method of substrate fabrication starting from cutting of crystal into a wafers and finishing in cleaning of polished surface is described. The examination methods of structural perfection of surface e.g.: low energy electron diffraction (LEED), reflection high energy electron diffraction (RHEED) and two dimensional high resolution difractometry are also presented. The principle of work and measurement possibilities of atomic force microscope (AFM) and X-ray reflectometry as a satisfactory tools for investigation of surface morphology are emphasised. The identification methods of chemical composition of surface and subsurface layers e. g.: Auger electron spectroscopy (AES), Rutherford Backscattering spectroscopy (RBS), secondary ion mass spectroscopy (SIMS) and X-ray photoemission spectroscopy (XPS) are characterized. The modification methods of surface quality aimed at obtaining good substrates for growth of high quality epitaxial layers are reported.