Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Hydrogen adsorption study on lithium doped activated carbon

Łoś S., Duclaux L., Letellier M., Azais P.

Karbo

|

2005

|

Nr 4

252-256

EN

A volumetric method was applied to study an adsorption coefficient of hydrogen molecules in a gas phase on super activated carbon surface. The aim of the study is to get the best possible materials for the energy storage. Several treatments on raw samples were used to improve adsorption properties of carbon. The biggest capacities were obtained after high temperature treatment at reduced atmosphere. The adsorption coefficient at 77 K and 2 MPa amounts to 3.158 wt %. The charge transfer between lithium and carbon surface groups via the doping reaction enhanced the energy of adsorption. It was also found that there is a gradual decrease of the adsorbed amount of H2 molecules due to occupation active sites by lithium ions.

PL

Badano współczynnik adsorpcji wodoru cząsteczkowego w fazie gazowej na powierzchni super aktywowanego węgla metodą wolumetryczna. Ce-lern badania było uzyskanie możliwie najlepszych materiałów do magazynowania energii. Kilka sposobów obróbki surowych próbek zastosowano w celu polepszenia właściwości adsorpcyjnych węgla. Największe zdolności adsorpcji uzyskano po wygrzewaniu w wysokiej temperaturze przy obniżonym ciśnieniu. Współczynnik adsorpcji w 77 K i 2 MPa wynosił 3,158 % wag. Przeniesienie ładunku pomiędzy litem a grupami węglowymi na powierzchni przez domieszkowanie zwiększyło energię adsorpcji. Zauważono również stopniowy spadek ilości adsorbowanych molekuł Ii, w związku z zajmowaniem aktywnych miejsc przez jony litu.

2

EPR - owskie i dielektryczne badania C70

Kempiński W., Łoś S., Trybuła Z., Piekara-Sady L., Shames A. I., Shtutina S., Katz E.

Karbo

|

2000

|

Nr 4-5

141-143

PL

Przedstawiono wyniki badań EPR dla polikrystaliczncj i cienkowarstwowych próbek C(70). Rejestrowane sygnały w trakcie wystawienia cienkowarstwowej próbki C(70) na działanie powietrza (tlenu) i światła zinterpretowano jako sygnały pochodzące od rodników C(70). Rezultaty niskotemperaturowych badań EPR przedyskutowano w oparciu o dobrze znane i opisane zachowanie się w podobnych warunkach eksperymentalnych fullerenu C(60). Dielektryczne badania, przeprowadzone dla pastylki sprasowanego fullerenu C(70), wskazały na możliwość zarejestrowania dwóch przemian fazowych w temperaturach ok.350K i ok.270K.

EN

EPR investigations results for poly - crystalline and C(70) film samples have been presented. The signals recorded during exposure of thin layer C(70) sample to a operation (oxygen) and light were interpreted as signals coming from C(70) + radicals. Results of low temperature EPR investigations were discussed on the basis of well known and described behaviour of fullcrcn C(60) if similar experimental conditions. Dielectric investigations carried out for a pill of compressed fullcrcn C(70) indicated to the possibility of registration of two phase changes in temperatures of about 350 K and 270 K.

3

Dielektryczne badania cienkiej warstwy C60

Trybuła Z., Łoś S., Kempiński W., Trybuła M., Shtutina S., Shames A. I., Katz E. A.

Karbo

|

2000

|

Nr 4-5

139-140

PL

Przedstawiono rezultaty badań dielektrycznych cienkiej warstwy fullcrcnu Cf)0 o grubości 149 nm ze srebrnymi elektrodami. Zaobserwowano przejście fazowe drugiego rodzaju z wysokotemperaturowej fazy /cc do niskotemperaturowej s c w Tc=240K, o 20K niższej niż dla monokryształu. Zmiana charakteru przejścia fazowego z pierwszego rodzaju dla monokryształów na drugiego rodzaju dla badanej próbki związana jest z defektami struktury i dyfuzją srebra do warstwy fullerenu.

EN

The article presents the results of dielectric investigations of of C60 fullerene film of 149 nm thickness with silver electrodes. A phase transfer was observed of second type from high temperature fee phase to low temperature sc one at Tc = 240K., by 20K lower than for mono-crystal. The change in character of a phase transfer from the first type for mono-crystals into the second type for investigated sample is connected with faults of the structure and diffusion of silver into fulleren 's layer.

4

The infuence of heating of silicon glasses and aodic oxides on their electrophysical properties

Łoś S., Waczyński K., Wróbel E.

Electron Technology

|

1998

|

Vol. 31, No. 3/4

450-454

EN

The paper presents basic electrophysical parameters of silicon glasses and anodic oxides likely to be applied in the technology MOS structures based on GaAs. Silicon glasses were obtained of the spin-on method [1], while anodic oxides by means of electrolytic anodization [2]. several basic electrophysical and optical parameters were defined for the dielectric films produced.