PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 10

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Uncertainty of atomic force microscopy measurements
Gotszalk T.P., Janus P., Marendziak A., Szeloch R.F.
Optica Applicata
|
2007
|
Vol. 37, nr 4
397-403
EN
We consider the problem of uncertainty in geometrically linear measurements in scanning probe microscopy (SPM) represented by atomic force microscopy (AFM). The uncertainties under consideration are associated both with quantum phenomena in the space cantilever tip--sample surfaces and with effects of dynamic behavior of electronic and optic measurement and control systems. In our experiment, we have analyzed uncertainty of calibrated atomic force microscopy (C-AFM) measurement in two dimensions. Uncertainty of measurements has been estimated according to GUM procedure.
2
Content available remote Scanning probe microscopy as a metrology method in micro- and nanostructure investigations
Gotszlak T., Marendziak A., Kolanek K., Szeloch R., Grabiec P., Zaborowski M., Janus P., Rangelow I.W.
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2006
|
Vol. 54, nr 1
19-23
EN
Evolution of many high technologies such as microelectronics, microsystem technology and nanotechnology involves design, application and testing of technical structures, whose size is being decreased continuously. Scanning probe microscopes (SPM) are therefore increasingly used as diagnostic and measurement instruments. Consequently the demand for standardized calibration routines for this kind of equipment rises. Up to now, there bas been no in generally accepted guideline on how to perform SPM calibration procedure. In this article we discuss calibration scheme and focus on several critical aspects of SPM characterization e.g. the determination of the static and dynamic physical properties of the cantilever, the influence factors which need to be considered when plotting a scheme for the calibration of the force and displacement sensitivity.
3
Content available Diagnostics of micro- and nanostructure using the scanning probe microscopy
Gotszalk T., Janusz P., Marendziak A., Czarnecki P., Radojewski J., Szeloch R. F., Grabiec P., Rangelow I. W.
Journal of Telecommunications and Information Technology
|
2005
|
nr 1
41-46
EN
In this paper we summarize the results of our research concerning the diagnostics of micro- and nanostructure with scanning probe microscopy (SPM). We describe the experiments performed with one of the scanning probe microscopy techniques enabling also insulating surfaces to be investigated, i.e., atomic force microscopy (AFM). We present the results of topography measurements using both contact and non-contact AFM modes, investigations of the friction forces that appear between the microtip and the surface, and experiments connected with the thermal behaviour of integrated circuits, carried out with the local resolution of 20 nm.
4
Przygotowanie mikroskopu sił atomowych do pomiarów nanochropowatości powierzchni rozpylanej jonami : wstęp do analizy fraktalnej
Marendziak A., Gotszalk T., Rangelow I. W., Wilk J., Kowalski Z. W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2005
|
Vol. 46, nr 6
15-17
PL
W opracowaniu przedstawiono wyniki wstępnych badań nad wpływem bombardowania jonowego na zmiany nanochropowatości powierzchni. Skoncentrowano się na podstawowych parametrach, opisujących cechy wertykalne profilu chropowatości, takich jak: średnie arytmetyczne odchylenie profilu chropowatości Ra i średnie kwadratowe odchylenie profilu Rq oraz na dwóch powszechnie stosowanych materiałach - stali nierdzewnej i tytanie. W badaniach stosowano jarzeniowe źródło z wnękową anodą, wytwarzające zneutralizowaną wiązkę jonów kryptonu o energii sięgającej kilku kiloelektronowoltów. Celem było badanie możliwości zastosowania opracowanego na Wydziale mikroskopu sił atomowych oraz oprogramowania do pomiarów nanochropowatości rozpylanej jonami powierzchni i w dalszej kolejności, jej analizy fraktalnej.
EN
This work presents results of initial studies on the influence of ion bombardment on surface nanoroughness modification. We concentrated on most often utilized in the world basic parameters describing vertical features of roughness profile, i.e.: arithmetical mean deviation of the surface profile Ra and the root mean square value of the surface roughness Rq as well as on two commonly used materials - stainless steel and titanium. In our research glow discharge ion gun with hollow anode generating neutralized krypton ion-beam with energy up to several keV was applied. The aim of the work was to investigate the possibility of application of atomic force microscope and software made in our department to nanoroughness measurements of ion sputtered surface and, in the next stage, after gathering sufficient amount of scientific material, its fractal analysis.
5
Nanomiernictwo mikro- i nanostruktur metodami mikroskopii bliskich oddziaływań
Gotszalk T., Radojewski J., Szeloch R., Marendziak A., Kolanek K., Woszczyna M., Masalska A., Grabiec P., Janus P., Rangelow I.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2005
|
Vol. 46, nr 6
6-10
PL
Przedstawiono zastosowanie mikroskopii bliskich oddziaływań (ang. Scanning Probe Microscopy - SPM) w miernictwie właściwości mikro- i nanostruktur. Omówiono uwarunkowania eksperymentalne i podstawowe metody, których celem jest przeprowadzenie ilościowej analizy parametrów badanych układów. Zaprezentowano również wyniki badań prowadzonych w trybie kalibrowanej mikroskopii sił atomowych (ang. Calibrated Atomie Force Microscopy- CD AFM), mikroskopii bliskiego pola optycznego (ang. Scanning Nearfield Optical Microscopy- SNOM) oraz mikroskopii sił atomowych z piezoelektrycznym rezonatorem kwarcowym, pełniącym rolę czujnika siły skupionej na mikroostrzu.
EN
In this article we describe application of Scanning Probe Microscopy in measurements of micro- and nanostructures. We will describe the experimental setup and principles of methods and techniques, which are devoted to quantitative investigations of nanostructures. In our work we will present the results of measurements using Calibrated Atomic Force Microscopy, Scanning Nearfield Optical Microscopy and Scanning Probe Microscopy with piezoelectrical quartz resonator as a detector of forces acting at the microtip.
6
Zatosowanie technik plazmowych do płytkiej implantacji jonów
Gronau R., Szmidt J., Gotszalk T., Marendziak A., Konarski P., Rylski A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2004
|
Vol. 45, nr 10
11-12
PL
Opisano badania mające na celu zweryfikowanie możliwości płytkiej implantacji jonów z wykorzystaniem plazmy RF i korelacji parametrów procesu implantacji z właściwościami podłoża krzemowego po tym procesie. Wpływ zaimplantowanych jonów węgla określono porównując parametry kondensatorów MOS na podłożu krzemowym domieszkowanym węglem i z parametrami kondensatrów wykonanych tą samą technologią na czystym podłożu krzemowym. Powierzchnię podłoża krzemowego zbadano, używając mikroskopu sił atomowych AFM, spektrometrii mas jonów wtórnych SIMS, a także spektroskopii elektronów Augera AES. Na podstawie wykonanych analiz parametrów elektrycznych stwierdzono, że proces płytkiej implantacji jonów z plazmy RF jest możliwy.
EN
The research of a phenomenon of shallow carbon ion implantation into silicon substrate and correlation between the implantation process and silicon substrate properties was described in this article. The implantation was carried out in the RF plasma environment during carbon layer deposition in course of Plasma Immersion Ion Implantation (PIII) process. Electronic parameters of MOS capacitors fabricated on undoped substrate were compared to the ones produced on carbon implanted wafer. This was done in order to determine properties of substrates surface neighbouring region. The surface of post implanted silicon substrate was investigated by atomic force microscopy (AFM), secondary ion mass spectroscopy (SIMS) and Auger spectrocsopy (AES). It was stated that the shallow ion implantation process is possible on basis of analysis of electronic parameters.
7
Zastosowanie nowej metody sterowania procesem pomiarowym w statycznej mikroskopii sił atomowych
Marendziak A., Czarnecki P., Szeloch R., Radojewski J., Rangelo I.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2004
|
Vol. 45, nr 6
39-41
PL
W artykule przedstawiono nową metodę umożliwiającą sterowanie mikroskopem sił atomowych, pracującym w trybie statycznym przy użyciu systemu DSP ADwinPro firmy Keithley. Opisano metodę pomiaru topografii powierzchni z wykorzystaniem cyfrowego regulatora PID pracującego przy wykorzystaniu dwóch wartości zadanych. Przedstawiono wyniki z pomiarów topografii powierzchni azotku aluminium, wykonane przy użyciu regulatora o jednej i dwóch wartościach zadanych.
EN
In this article we was introduced a new method of DSP ADwinPro based scanning probe microscopy (SPM) system control. We describe a new two set-point digital PID method elaborated for better control of near field interaction between surface and tip atoms. We show measurement results of nitride aluminium surface obtained with one and two set-point PID system.
8
Diagnostyka materiałów i układów mikro- i nanolektronicznych metodami modularnej mikroskopii bliskich oddziaływań
Gotszalk T., Radojewski J., Szeloch R., Marendziak A., Sikora A., Hasek T., Kolanek K., Grabiec P., Rangelow I.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2004
|
Vol. 45, nr 12
29-33
PL
Przedstawiono możliwości obserwacji właściwości układów i materiałów mikro- i nanometrowych oraz nanoelektronicznych metodami mikroskopii bliskich oddziaływań. Omówiono podstawowe tryby pomiarowe tej metody badawczej, jej możliwości pomiarowe i zasadnicze ograniczenia. Zaprezentowano również rodzinę modularnych mikroskopów bliskich oddziaływań skonstruowanych w Politechnice Wrocławskiej oraz wyniki badań topografii powierzchni, rozkładu napięć elektrycznych i temperatury występujących na powierzchni mikroelektronicznych ukladów mikrometrowych i mikrosystemów.
EN
In this article we describe the application of Scanning Probe Microscopy (SPM) in high resolution diagnostics of microelectronical devices and materials. In this experimental method the interactions between microtip with the tip radius of 10 nm located above the investigated structure surface are monitored. Based on this measurements various mechanical, thermal and electrical surface properties can be resolved within several nanometers. We will present results of thermal and electrical surface characterization using Scanning Thermal Microscopy (SThM) and Electrostatic Force Microscopy (EFM). We will also describe the sensor technology, which was developed in our group and which enables us to observe the surface thermal conductivity, electrical potentials and dopant profiles in micro- and nanostructures.
9
Badania chropowatości powierzchni warstw optycznych nanoszonych w procesie IBAD : wstępne porównanie symulacji komputerowych z eksperymentem
Marendziak A., Oleszkiewicz E., Oleszkiewicz W., Romiszowski P., Żukowska K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2003
|
Vol. 44, nr 11
21-23
PL
W pracy przedstawiono kontynuację badań symulacyjnych (metodą Monte Carlo) modyfikacji topografii powierzchni i wzrostu warstw nanoszonych w procesie IBAD. Badano chropowatość powierzchni warstw o symulowanym wzroście oraz warstw optycznych (CrN) nanoszonych w warunkach odpowiadających warunkom symulacji. Z pomiarów elipsometrycznych, mierząc spektralną zależność współczynnika załamania n oraz wskaźnika absorpcji k, określono wpływ energii bombardujących jonów na właściwości optyczne osadzanych warstw. Zmiana parametrów n i k wynika m. in. ze zmian topografii powierzchni, co badano wykorzystując mikroskop sil atomowych (AFM). Porównując wartości współczynników ft, zmierzonych za pomocą mikroskopu AFM z wartościami uzyskanymi z symulacji komputerowych stwierdzono konieczność opracowania odpowiedniej metodyki uśredniania obliczeń.
EN
In this work we present the continuation of our former simulation studies on optical films deposited in IBAD process. The comparison between the simulation results and the experimental results obtained for CrN film obtained for different energy of ion beam is presented. The results show that along with the increase of the ion beam energy the roughness of the films under consideration decreases for both simulation and experimental cases determined by AFM microscope measurements.
10
Zastosowanie mikroskopii bliskich oddziaływań w pomiarach geometrii nanostruktur
Marendziak A., Gotszalk T., Sankowska A., Radojewski J., Szeloch R.
Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
|
2002
|
nr 7-8
51-53
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.